| 高温退火对蓝宝石基片的表面形貌和对CeO缓冲层以及Tl-2212超导薄膜长的影响 |
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| 引用本文： | 谢清连,阎少林,赵新杰,方兰,季鲁,张玉婷,游石头,李加蕾,张旭,周铁戈,左涛,岳宏卫.高温退火对蓝宝石基片的表面形貌和对CeO缓冲层以及Tl-2212超导薄膜长的影响[J].物理学报,2008,57(1). |
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| 作者姓名： | 谢清连 阎少林 赵新杰 方兰 季鲁 张玉婷 游石头 李加蕾 张旭 周铁戈 左涛 岳宏卫 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和T1-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长.表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延11-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7 K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5 MA/cm2,微波表面电阻R(77 K,10 GHz)约为390μΩ.
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| 关 键 词： | T1-2212超导薄膜 蓝宝石 缓冲层 高温退火 蓝宝石 表面形貌 缓冲层 超导薄膜 影响 films superconducting buffer layers the growth surface morphology substrate sapphire annealing 微波表面电阻 临界电流密度 液氮温度 临界转变温度 外延 质量 |
Effects of annealing of r-cut sapphire substrate on its surface morphology and the growth of CeO2 buffer layers and the Tl-2212 superconducting films |
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| Xie Qing-Lian,Yan Shao-Lin,Zhao Xin-Jie,Fang Lan,Ji Lu,Zhang Yu-Ting,You Shi-Tou,Li Jia-Lei,Zhang Xu,Zhou Tie-Ge,Zuo Tao,Yue Hong-Wei.Effects of annealing of r-cut sapphire substrate on its surface morphology and the growth of CeO2 buffer layers and the Tl-2212 superconducting films[J].Acta Physica Sinica,2008,57(1). |
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| Authors: | Xie Qing-Lian Yan Shao-Lin Zhao Xin-Jie Fang Lan Ji Lu Zhang Yu-Ting You Shi-Tou Li Jia-Lei Zhang Xu Zhou Tie-Ge Zuo Tao Yue Hong-Wei |
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