全文获取类型
收费全文 | 753篇 |
免费 | 565篇 |
国内免费 | 182篇 |
专业分类
化学 | 198篇 |
晶体学 | 128篇 |
力学 | 107篇 |
综合类 | 11篇 |
数学 | 61篇 |
物理学 | 995篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 45篇 |
2022年 | 58篇 |
2021年 | 66篇 |
2020年 | 40篇 |
2019年 | 40篇 |
2018年 | 26篇 |
2017年 | 39篇 |
2016年 | 36篇 |
2015年 | 52篇 |
2014年 | 103篇 |
2013年 | 63篇 |
2012年 | 47篇 |
2011年 | 59篇 |
2010年 | 62篇 |
2009年 | 69篇 |
2008年 | 73篇 |
2007年 | 54篇 |
2006年 | 49篇 |
2005年 | 54篇 |
2004年 | 49篇 |
2003年 | 46篇 |
2002年 | 45篇 |
2001年 | 31篇 |
2000年 | 35篇 |
1999年 | 30篇 |
1998年 | 33篇 |
1997年 | 13篇 |
1996年 | 25篇 |
1995年 | 38篇 |
1994年 | 24篇 |
1993年 | 24篇 |
1992年 | 18篇 |
1991年 | 13篇 |
1990年 | 20篇 |
1989年 | 7篇 |
1988年 | 1篇 |
1986年 | 3篇 |
排序方式: 共有1500条查询结果,搜索用时 31 毫秒
131.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在xAl =0.2→0.43和xAl=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在xAl=0.43的n-AlGaAs层里xAl值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
关键词: 相似文献
132.
研究了TiN/SiC纳米多层膜中立方SiC(B1cubic SiC)的形成及其对TiN/SiC多层膜力学性能的影响.结果表明:在TiN/SiC多层膜中,非晶态的SiC层在厚度小于0.6nm时形成立方结构并与TiN形成共格外延生长的超晶格柱状晶,使多层膜产生硬度和弹性模量显著升高的超硬效应,最高硬度超过60GPa.SiC随着层厚的增加转变为非晶相,从而阻止了多层膜的共格外延生长,使薄膜呈现TiN纳米晶和SiC非晶组成的层状结构特征,同时多层膜的硬度和弹性模量下降.TiN/SiC纳米多层膜产生的超硬效应与立方
关键词:
立方碳化硅
TiN/SiC纳米多层膜
外延生长
超硬效应 相似文献
133.
134.
用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了Zn1-xMgxSySe1-y四元半导体合金薄膜。用X-射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数。测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模:类ZnSe的TO和LO模拟及类ZnS和类MgS的LO模,实验发现:在ZnSe和ZnSSe中加入Mg使得类ZnSe的TO和LO模的振动频率下降;同时,也使类ZnS模的频率随S的增加率减小。 相似文献
135.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3和俘获截面(10-16cm2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧 相似文献
136.
本文介绍利用分子束外延方法在GaAs的某些特殊表面上原位直接生长GaAs/AlAs量子线结构的几种方法,包括采用(311)等高指数面、(001)邻晶面以及(110)解理面二镒生长。着重讨论量子线结构的形成机理及其光学特性。这些方面能避开目前纳米尺度刻蚀生长的困难,可能成为制备低维结构的有希望的途径。 相似文献
137.
薄膜物理及其应用讲座:第八讲 激光分子束外延—一种研制薄膜的先进方法 总被引:2,自引:0,他引:2
激光分子束外延薄膜,是近年发展起来的、以原子层、原胞层尺度研制薄膜的新技术、新方法,本文简要地介绍激光分子束处延的工作原理特点与优势以及国内外的研究动态。 相似文献
138.
139.
140.