纳米GaP粉体对结晶紫的光催化降解及其振动光谱分析

对纳米 Ga P粉体 -结晶紫水溶液光催化降解进行了研究。纳米 Ga P粉体在紫外光照射条件下对结晶紫具有光催化降解作用 ;随平均颗粒度的降低 ,纳米 Ga P粉体的光催化活性增加。红外光谱测试结果表明 :进行光催化过程以后 ,纳米 Ga P表面存在的几种主要振动模式变化较小或不变 ;拉曼光谱测试结果表明 :纳米 Ga P粉体的横向光学声子模与纵向光学声子模 ,以及表面主要振动模式几乎没有发生变化     

一个新的秋千参激振动的数学模型

提出了一个新的秋千参激振动的数学模型,并根据此模型对秋千的参激振动现象作出了理论解释．     

磺氨酸作为一种绿色和可循环使用的催化剂催化β-烯胺酮的合成

磺氨酸作为一种绿色催化剂可有效催化β-烯胺酮的合成. 该方法具有产率高、反应时间短、条件温和、操作简单等优点,同时催化剂可循环使用。     

N-取代马来酰亚胺光学活性聚合物研究进展

N-取代马来酰亚胺由于刚性内酰亚胺五元环的存在,在聚合时一般按反式加成进行,得到苏式双全同和苏式双间同两种构型的聚合物.其中苏式双间同结构由于具有等量的(R,R)和(S,S)结构而不产生光学活性,而苏式双全同结构中含有过量的(R,R)或(S,S)结构时聚合物呈现光学活性.而且,高度连续的(R,R)或(S,S)结构能使主链形成螺旋构象.N-取代马来酰亚胺单体上不同的取代基、不同的聚合方法以及聚合时选用的不同配体都对得到的聚合物主链中苏式双全同构象的量有显著影响.本文综述了各种N-取代马来酰亚胺光学活性聚合物的研究进展.     

融合光学椭率判据的自由曲面望远镜设计方法

光学椭率是联系天文望远镜光学设计与暗物质探测科学目标的一项核心性能指标,然而目前还没有将椭率作为指标融入光学系统优化设计过程的完整方法。提出了一种融合光学椭率判据的自由曲面望远镜光学设计方法,依据椭率与彗差、像散等非旋转对称像差的关系,提出了椭率关联性较强的像差分量优先校正原则,开拓了主要离轴像差校正后通过MZDDE在评价函数中融入椭率判据的设计思想,结合离轴三反系统中像差节点与椭率节点在优化过程中的演变规律,建立了自由曲面面型Zernike项的优化策略。据此设计了离轴三反自由曲面天文望远镜,系统有效焦距为600 mm,口径为200 mm,视场为4°×4°。通过波像差和椭率的联合优化,成像像质及光学椭率得到了同步有效控制,波像差近衍射极限,椭率最大值为0.030 3,平均值为0.015 6。与从低阶项到高阶项的传统像差校正优化方法相比,该方法采用相对较小的自由曲面偏差,设计的自由曲面望远镜成像质量和椭率性能得到了同步控制,充分发挥了自由曲面的效能,设计效率优势明显。     

Optical total reflection and transmission with mode control in a dielectric subwavelength nanorod chain

We report a polarization dependent reflection phenomenon beyond the normal incidence with a subwavelength nanorod chain.Light waves of the transverse electric mode will be totally reflected while those of the transverse magnetic mode will transmit through.The total reflection or transmission phenomenon can be seen as a constructive or destructive interference of the incident field with the transverse mode field of the chain.With the low-loss feature and the ultra-compact characteristic,this structure may find applications in photonic circuits.     

Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation

Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions.     

萤火虫氧化荧光素类似物电子光谱的理论研究

对萤火虫氧化荧光素(S)-2-(6-羟基-2-苯并噻唑基)-2-噻唑啉-4-酮(BTZ)中苯并噻唑环的N和S原子进行取代, 形成一系列萤火虫氧化荧光素类似物, 并采用TD B3LYP/6-31+G(d)方法, 通过计算氧化物中性态与羟基去质子化后的负一价态在气相、水溶液和模拟生物环境下的吸收与发射光谱, 讨论环内不同取代原子对光谱的影响. 结果表明, X₁位以O原子取代S原子的化合物的最大吸收值发生蓝移, 以N原子取代S原子的化合物的最大吸收值发生红移. 去质子化可增加苯环上π轨道成份, 降低能隙, 从而有利于提高电子跃迁几率, 使荧光发射波长红移; 通过取代X₁和X₂位杂原子, 可调节发射光谱红移达44 nm, 蓝移达41 nm(在模拟蛋白中). 6种化合物荧光发光范围较宽, 振子强度较大, 可以作为潜在的化学发光材料用于生物成像研究.     

激光辐照VO2薄膜温度场分布及透射特性研究

为了探究VO₂薄膜受激光辐照的温度场分布,以及1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的激光功率密度阈值,并比较近红外和中红外波段透过率调制特性差异。首先基于COMSOL建立了薄膜受激光辐照的模型并进行了温度场仿真,然后分别测试了薄膜正反面被不同功率密度的1 064 nm激光辐照100 s内激光透过率随时间响应特性。实验中的VO₂薄膜利用分子束外延法在Al₂O₃基底上制备得到。仿真结果表明,激光功率密度为25 W·mm^-2时,50 nm厚薄膜在被辐照1 ms时间内即达到相变温度。经激光辐照实验发现:50 nm厚的VO₂薄膜正反面受1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的功率密度阈值分别为4.1 W·mm^-2和5.39 W·mm^-2。30 nm厚VO₂薄膜对1 064 nmn激光的透过率调制深度约为13%,对3 459 nm激光透过率调制深度约62%,说明VO₂薄膜对近红外透过率调制特性不明显。     

Metastable Electron Traps in Modified Silicon-on-Insulator Wafer

We perform the total ionizing radiation and electrical stress experiments to investigate the electrical characteristics of the modified silicon-on-insulator(SOI) wafers under different Si ion implantation conditions. It is confirmed that Si implantation into the buried oxide can create deep electron traps with large capture cross section to effectively improve the antiradiation capability of the SOI device. It is first proposed that the metastable electron traps accompanied with Si implantation can be avoided by adjusting the peak location of the Si implantation reasonably.