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1.
采用液态的叔丁基砷(tertiarybularsine,TBAs)和叔丁基磷 (tertiarybulphosphine,TBP)为源材料,用有机金属气相外延(metalorganic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长了与InP衬底晶格匹配的InGaAs/InP超晶格. 高精度X射线衍射的结果表明,在InGaAs与InP单异质结界面处,存在一个压应变的界面层. 可利用相同的界面模型来模拟InGaAs/InP超晶格的X射线衍射实验结果. 该结果表明,TBAs吹扫InP表面对界面应变产生很大的影响.为此提出了一种新的界面气体转换顺序来控制InGaAs/InP超晶格的界面应变,它先把Ⅲ族源转入反应室,以此来降低TBAs对InP表面的影响,由此得到的超晶格的平均应变减小,光致发光的峰值能量出现蓝移.  相似文献   
2.
水热法合成氮化硼晶体过程中的关键影响因素   总被引:2,自引:2,他引:0  
在水热条件下成功合成了氮化硼晶体 ,为了优化实验条件 ,本文对实验过程中的影响因素进行了研究 ,包括反应温度、反应原料的种类、配比以及反应时间。通过对XRD和TEM测试结果的分析可以知道 ,当反应原料摩尔配比N2 H4·H2 O∶H3 BO3 ∶NaN3 ∶NH4Cl为 1∶1∶3∶1时 ,在 4 0 0℃下反应 4 8h是水热法制备氮化硼晶体的最佳实验条件。  相似文献   
3.
利用选相原位法在水溶液中成功制备出了立方氮化硼晶体,对反应条件进行了优化。结果表明,利用选相原位法合成立方氮化硼的最佳实验条件是:反应压力为10.0 MPa,在氯离子加入下利用混合氮源进行反应。在该条件下得到了纯相的立方氮化硼晶体。  相似文献   
4.
纳米GaP粉体对结晶紫的光催化降解及其振动光谱分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
对纳米 Ga P粉体 -结晶紫水溶液光催化降解进行了研究。纳米 Ga P粉体在紫外光照射条件下对结晶紫具有光催化降解作用 ;随平均颗粒度的降低 ,纳米 Ga P粉体的光催化活性增加。红外光谱测试结果表明 :进行光催化过程以后 ,纳米 Ga P表面存在的几种主要振动模式变化较小或不变 ;拉曼光谱测试结果表明 :纳米 Ga P粉体的横向光学声子模与纵向光学声子模 ,以及表面主要振动模式几乎没有发生变化  相似文献   
5.
合成GaP纳米晶过程的关键影响因素   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素。GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同。制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征。发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控。  相似文献   
6.
微波固相法合成钠快离子导体Na5YSi4O12   总被引:6,自引:0,他引:6  
应用微波方法合固相反应难于制备的Na5YSi4O12纯相,讨论了微波合成条件对产物的影响,与溶胶-凝胶法相比,微波法反应速率快,选择性强,合成的样品具有特异的聚集态,缺陷和微结构,从而导致离子导电活化能下降。  相似文献   
7.
用溶胶-凝胶方法制备了钠快离子导体Na_5YSi_4O_(12)(简称NYS)的纯相,应用交流阻抗谱技术测定了样品的离子电导和离子导电活化能,用扫描电子显微镜对用不同方法制备的样品烧结体表面进行了观察。与传统固相反应法制备的NYS离子导体相比,用溶胶-凝胶方法制备的NYS烧结体具有较好的界面效应。  相似文献   
8.
9.
采用常压金属有机物气相沉积法生长AlAs/GaAs周期性反射膜,并利用双晶X射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段,对材料结构及光学性质进行了分析。实验结果表明,在780℃连续生长的薄膜结构和晶体质量都很好,但是反射率低;通过模拟计算,连续生长存在渐变层,而渐变层大大降低了反射率;在同样生长条件下间断生长得到较高反射率的薄膜材料。  相似文献   
10.
 本文在高Tc超导体BiSrCaCu2Oy常压制备的基础上,研究了热压烧结和冷压处理对其形成、结构及超导电性的影响,并与常压结果进行了比较。结果表明,高压可以使样品的合成时间缩短,合成温度降低。但同时它也抑制了晶格参数较大的相(高Tc相)的形成,使小晶格参数的杂相含量增多。对于提高样品的超导电性而言,1.5 GPa时一个较好的压力点。  相似文献   
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