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为了在可见及近红外波段得到具有良好带隙结构的三维光子晶体,利用传输矩阵法分析了MgF2、Ta2O5 以及Ta2O5/MgF2异质结构三维光子晶体的带隙性质.结果表明:Ta2O5/MgF2异质结构三维光子晶体在820~1 020 nm的近红外波段TM模式下具有不受入射光方向影响的全方位光子带隙.该结构有望用于制作近红外光波段的偏振器件. 相似文献
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主要研究了110keV的He+高温注入Al2O3单晶及1.1MeV/u的208Pb27+辐照注氦Al2O3样品的光致发光的特性. 从测试结果可以清楚地看到在375nm, 413nm和450nm处出现了强烈的发光峰. 并且在600K, 5×10sup>16ions/cm2剂量点, 样品的发光峰是最强的. 这
表明He+注入Al2O3后使带隙中深的辐射中心复合的效率大幅度提高, 极大的增强了其发光强度,而且发光伴随着蓝移现象. 而经过高能208Pb27+辐照后的样品, 在390nm出现了新的发光峰,从FTIR谱中我们能够看到, 可能是208Pb27+辐照相对沉积膜出现一定的晶化, 其中含有许多纳米尺寸的Al2O3晶粒所致. 相似文献
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研究了Er1.0P5O14铒非晶玻璃的红外量子剪裁现象. 从吸收谱和激发光谱的计算比较中肯定了Er1.0P5O14非晶 玻璃的1537.0 nm红外荧光为多光子量子剪裁荧光. 从Er1.0P5O14非晶玻璃的可见和红外荧光发射光谱中发现激发2H11/2, 4G11/2和4G9/2能级所导致的4I13/2→4I15/2量子剪裁红外荧光很强;基于自发辐射速率、无辐射弛豫速率和能量传递速率等参数的计算,对其量子剪裁机理进行了分析.发现起源于基态的强下转换能量传递{2H11/2→4I9/2,4I15/2→4I13/2},{4G11/2→4I13/2, 4I15/2→2H11/2},{4G9/2→4F7/2,4I15/2→4I13/2}和{4G9/2→4I13/2, 4I15/2→2H11/2}是导致Er1.0P5O14非晶玻璃具有强的三光子和四光子量子剪裁红外荧光的原因.研究结果对改善太阳能电池效率有一定意义. 相似文献
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采用提拉法成功生长尺寸为φ30 mm× 75 mm的15at.%Yb3+:Gd2SiO5单晶, 并用Reitveld全谱拟合方法确定了其晶格常数、原子坐标和温度因子等参数. 用吸收光谱计算了Yb3+离子2F7/2↔ 2F5/2能级跃迁的振子强度、谱线强度、跃迁概率、 能级寿命和积分发射截面等光谱参数, 并根据激光性能评估得出结论: 表明该晶体具有较大的阈值特性, 有望采用大功率激光二极管泵浦实现可调谐或超快激光输出. 相似文献
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本文利用紫外吸收光谱和稳态荧光光谱技术结合理论模型,研究了钙钛矿材料CH3NH3PbI3晶体在光激发过程中的电荷复合动力学行为,进而获得晶体的扩散长度. 电荷载体的扩散长度是判断光电材料的重要参数. 研究通过合成两种不同缺陷态浓度的CH3NH3PbI3晶体,测量这两种晶体在0.019∽4.268 μJ/cm2的激光激发下的时间分辨荧光光谱,利用动力学模型对光谱进行拟合,可以获得每个晶体的掺杂浓度,空穴浓度以及电荷复合参数. 将这些参数结合已有公式,最终可获得每个晶体的电荷载体的扩散长度. 相似文献
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运用GULP计算软件模拟计算了PbWO4(PWO)晶体中不同位置的填隙氧原子点缺陷的生成能,计算结果表明:当填隙氧原子存在于(WO4)2-的周围时,填隙氧原子点缺陷的生成能最低;进一步运用基于密度泛函理论的全数值自洽DV-Xα方法计算了包含填隙氧原子的PWO晶体的态密度,计算结果表明:当填隙氧处在(WO4)2-的周围时,容易与(WO4)2-上的一个或两个氧离子相互作用形成分子离子O22-或O34-,通过分析这些计算结果,认为PWO晶体中350 nm吸收带的出现很可能与晶体中的氧分子离子有关. 相似文献
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采用改进的坩埚下降法成功地生长了Tm/Yb共掺氟化钇锂单晶. 该单晶体具有每吸收一个蓝色光子并能发射出2个1000 nm近红外光子的下转换发光效应. 测定了样品的激发光谱、发射光谱和荧光衰减曲线. 在465 nm蓝光激发下观察到由Yb3+:2F5/2→2F7/2能级跃迁所致的960~1050 nm 波段的发射带,此发光带源于Tm3 对Yb3 离子的能量下转换过程. 应用Inokuti-Hirayama模型,研究了晶体的能量转换过程,结果表明Tm3 向Yb3 的能量传递是一个电偶极子相互作用机制过程. 当Tm3 与Yb3 离子的掺杂浓度为0.49mol%与5.99mol%时,单晶的量子剪裁效率达到最大值167.5%. 相似文献
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应用晶体场理论和不可约张量算符方法构造了3d2/3d8态离子在C3v对称晶场中包含自旋-轨道相互作用、自旋-自旋相互作用、自旋-其它轨道相互作用和其它轨道-其它轨道相互作用四种微观磁效应的45阶可完全对角化的能量哈密顿矩阵.利用该矩阵,计算了V3+∶α-Al2O3和Ni2+∶α-Al2O3晶体的光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量,研究了掺入两种互补态离子Ni2+和V3+对同种晶体的光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量的影响,理论计算值和实验值相符.研究发现:掺杂没有改变晶体的光谱精细结构和能级分裂条数,但改变了能级间距|掺杂也没有改变晶体的对称性,但使晶体局域结构发生了一定程度的畸变| Ni2+∶α-Al2O3晶体局域结构的伸长畸变量大于V3+∶α-Al2O3晶体,键角的变化量小于V3+∶α-Al2O3晶体. 相似文献