提高干涉条纹清晰度的条件

分析了在满足干涉三条件后,提高两束光干涉条纹清晰度的条件.     

溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜

以正硅酸乙酯(TEOS)为原料，采用旋转涂敷的方法，结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO₂薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性，傅里 叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH₃键，从而减少了孔洞塌陷.用扫 描电子显微镜观察薄膜的表面形貌，发现薄膜内孔洞尺寸在70—80 nm之间.调节溶胶pH值，发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明，在300 ℃时介电常数最低达2.05. 关键词： 2')" href="#">多孔SiO₂ 低介电常数 溶胶-凝胶     

Ar原子偶宇称3p5(2P1/2)nl′ [K′]J (l′=1, 3)自电离Rydberg态共振增强激发光谱

用脉冲直流放电产生Ar原子亚稳态3p⁵4s[3/2]₂和3p⁵4s′[1/2]₀．在单光子32500～35600 cm^-1能量范围内, 结合飞行时间质谱技术获得Ar原子共振增强激发光谱．光谱分析表明,所有谱线来源于Ar原子3p⁵4s[3/2]₂和3p⁵4s′[1/2]₀两个亚稳态吸收单个光子向偶宇称np′、nf′自电离Rydberg态序列的跃迁．实验观测到许多新的自电离能级,并获得更精确和系统的能级位置和量子亏损值数据．     

从单缝夫琅禾费衍射的图形来看衍射的定义

讨论了衍射的定义,并指出有些教材中单缝夫琅禾费衍射插图错误．     

谈谈熵的概念

 一、“熵”字的来源 二、“熵”概念的来源 三、“熵”所遵循的规律 四、“熵”与热力学第二定律的关系 五、“熵”与微观状态数的关系 六、熵的应用     

大学物理学教学方法实例分析

从万有引力定律大学讲解方法与高中方法的区别入手,先后介绍了杨氏双缝干涉、瞬时速度、平均速度及简谐振动方程的引入及讲解方法,深入浅出地简介几种讲授技巧,为大学物理教学提供参考.     

电镀法在氧化铟锡上制备铜锌锡硫薄膜的光谱特征

低成本、环境友好的铜锌锡硫替代含贵金属和有毒金属的铜铟镓硒,是薄膜太阳能电池的最佳选择。电镀法是一种无需真空设备和靶材的低成本方法。一种更简单的制膜方法是在水溶液中共电镀沉积Cu-Zn-Sn（CZT)合金于FTO衬底上。采用氩气保护气氛下在550 ℃硫化电镀法制得的CZT合金前驱体,成功制备了CZTS薄膜。采用三电极体系将CZT合金前驱体电镀在FTO上,其中FTO作为工作电极,铂（Pt）网和Ag/AgCl分别作为对电极和参比电极。电解质由CuSO₄,ZnSO₄,SnSO₄,络合剂-三乙醇胺（TEA）和柠檬酸钠组成。前驱体在氩气保护气氛下550℃硫化得到CZTS薄膜。采用X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见光光谱仪和光电化学测量（PEC）等方法,表征了CZTS薄膜的结构、形貌、成分和光谱学性质。XRD和拉曼光谱证明了550 ℃硫化后的CZTS薄膜具有锌黄锡矿结构。一个Raman主峰位于342 cm-1,两个Raman次强峰分别位于289和370 cm-1,这些峰位与锌黄锡矿CZTS的峰位相吻合。SEM结果证明优化后CZTS薄膜成分接近CZTS的理想化学计量比,CZTS薄膜中Cu/(Zn+Sn）和 S/(Zn+Sn+Cu)分别为0.52和1.01,这表明CZTS薄膜中S的含量非常合适。PEC结果证实,采用前照射或后照射FTO/CZTS均产生光电流,并且两种照射下产生的光电流方向一致。通过紫外可见光光谱测量并由此计算出的CZTS能隙为1.45 eV。通过上述分析证明制备的CZTS薄膜具有高品质,可用于制备CZTS薄膜太阳能电池。     

劳埃德镜实验条件的讨论

利用菲涅耳公式推导劳埃德镜所用材料对半波损失结论的影响,证实不论各向同性电介质还是金属材料,只要满足光掠入射条件,即可实现劳埃德半波损失实验.     

如何讲授库仑定律

库仑定律是静电学的基础.静电场的两个重要定理,即高斯定理和静电场的环路定理,都是由库仑定律引申出来的.这两个定理说明静电场是一个有源无旋场.但当我们讲授库仑定律时,需要格外谨慎小心,因为学生们已经在中学接触过它.如果按一般     

用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

用溶胶-凝胶法制备了低k多孔SiO2:F薄膜,用空间电荷限制电流法(SCLC)研究了多孔SiO2:F薄膜中的隙态密度以及掺F量对隙态密度的影响,得到了平衡费米能级附近的隙态密度约为7×1015 cm-3·eV-1,以及带隙中隙态随能量的分布.并对造成隙态的主要原因也进行了讨论.