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国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究
引用本文:朱国义,何景棠,顾以藩,钱忠敏,楚国柱.国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究[J].中国物理 C,1990,14(1):8-15.
作者姓名:朱国义  何景棠  顾以藩  钱忠敏  楚国柱
作者单位:中国科学院高能物理研究所 北京
摘    要:在总强度为105Ci的60Co γ射线辐照装置上开展了国产高Z闪烁晶体的辐照损伤研究.在5×103—7.5×105rad剂量范围内测量了小尺寸BGO晶体样品的辐照损伤效应,观察到损伤随剂量增加逐渐趋于饱和的现象;辐照损伤的自然恢复过程可用三组时间常数表征的指数函数描述.在5×105rad剂量下,考察了BaF2,CsI(Tl)以及ZnWO4晶体小尺寸样品的辐照损伤效应.发现了BaF2的严重损伤情况,初步分析原因可能是晶体中某些微量杂质的存在.

关 键 词:中国  高工闪烁晶体  辐照损伤  饱和  微量杂质  小射线能谱测量
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