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1.
Three-dimensional SiO2 photonic crystals (PhCs) are fabricated on quartz substrates by the vertical deposition method. Scanning electron microscopy measurement reveals that the samples exhibit an ordered close-packed arrangement of SiO2 spheres. It is found that the position of the [111] photonie band gap (PBG) shifts to a long wavelength (red shift) with increasing sphere size. Gap broadening effects are observed due to the presence of defects in the samples. Moreover, the optical properties of the PBG are very sensitive to the annealing temperature. Our results indicate that the optical properties of the PBG can be easily tuned in the visible region by appropriate experimental parameters, which will be useful for practical applications of PhC optical devices.  相似文献   
2.
3.
Amorphous La-doped Al2O3 (La: Al2O3) thin films are deposited on n-type (100) Si substrates by rf magnetron co-sputterlng. The composition of the deposited films is measured by energy dispersive x-ray spectroscopy: Capacitance-voltage measurement shows that the dielectric constant k of La-doped Al2O3 films ranges from 8.5 to 11.6 with the increasing La content, and the highest k value of 11.6 is obtained for the 20.14% La content film. In the structure of the Al/La:Al2O3/Si metal oxide semiconductor, the dominant conduction stems from the space- charge-limited current at different temperatures. In addition, the wavelength dependence of the transmittance is studied by ultraviolet spectroscopy and the band gap of all the deposited films is above 5.5eV. The results demonstrate that La-doped Al2O3 can meet the requirement of next-generation gate materials.  相似文献   
4.
Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
郭得峰  耿伟刚  兰伟  黄春明  王印月 《物理学报》2005,54(12):5901-5906
利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌,用高频C-V和变频C-V及J-V测量了样品的电学特性. 结果表明,Y的掺入使电介质薄膜的介电常数k有了很大提高(8.14—11.8),并体现出了较好的介电特性. 分析认为:与氧具有较大电负性差的Y离子的加入,增大了薄膜中的金属—氧键(M—O)的强度;同时,Y的加入使Al2O3的结构和原子配位发生了改变,从而提高了离子极化对薄膜介电常数的贡献. 退火前后的XRD谱均显示薄膜为非晶态;HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜非常平整,能够满足器件要求. 关键词: 高k栅介质 掺杂氧化铝 射频反应溅射  相似文献   
5.
桑色素及其配合物与DNA作用的比较   总被引:7,自引:2,他引:5  
王流芳  宋玉民  冯亚非  张歧  王印月 《化学学报》2004,62(22):2277-2281
采用光度法、粘度法和电化学方法考察了桑色素及其配合物和DNA的作用.并对桑色素合铜(Ⅱ)、桑色素合锌(Ⅱ)、桑色素合钴(Ⅱ)、桑色素与DNA作用的方式进行了比较.Cu(Ⅱ),Zn(Ⅱ),Co(Ⅱ)桑色素配合物与DNA作用时的荧光光谱性质类似,不同于配体.钴(Ⅱ)配合物的电化学行为与铜(Ⅱ)配合物相似,不同于锌(Ⅱ)配合物.三种配合物的存在,都可引起DNA的粘度增加.但钴(Ⅱ)配合物对EB-DNA复合物的荧光光谱影响很小,而铜(Ⅱ)、锌(Ⅱ)配合物对EB-DNA复合物的荧光光谱影响较大.实验结果表明,与DNA之间的作用,钴(Ⅱ)配合物弱于铜(II)、锌(Ⅱ)配合物.这可能是钴(Ⅱ)配合物的抗肿瘤活性低于与DNA嵌入结合的铜(Ⅱ)、锌(Ⅱ)配合物的原因之一。  相似文献   
6.
从欧姆接触电阻率的定义出发,先从理论上介绍了热离子发射、热离子场发射和场发射三种不同情况下欧姆接触电阻率的计算公式,然后详细地从实验上综合各种测试方法,并讨论了其利弊.  相似文献   
7.
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的 ,高温退火后发生部分晶化 ;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面 ,表明薄膜具有优良的热稳定性 ;椭偏测得在 6 0 0nm处薄膜折射率为 2 0 9;电容 电压测试得到的薄膜介电常数为 1 9.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2 薄膜的方法  相似文献   
8.
溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
何志巍  甄聪棉  兰伟  王印月 《物理学报》2003,52(12):3130-3134
以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,采用旋转涂敷的方法,结合溶胶-凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2薄膜.采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性,傅里 叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH3键,从而减少了孔洞塌陷.用扫 描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,发现薄膜内孔洞尺寸在70—80 nm之间.调节溶胶pH值,发现pH值越小凝胶时间越长.对改性样品热处理的结果表明,在300 ℃时介电常数最低达2.05. 关键词: 2')" href="#">多孔SiO2 低介电常数 溶胶-凝胶  相似文献   
9.
本文对四种硫系玻璃半导体材料的制备工艺和电导的温度特性进行了研究,给出了室温下电导率及电导激活能的实验数据.把所得结果同国外工作进行了比较,并对一些问题进行了初步讨论. 一、非晶态半导体的电导率 根据Mott-CFO模型[1],非晶半导体的导电过程有四种不同的类型,即扩展态中的电导、带尾定域态中的电导、禁带定域态中的电导以及在低温下的变程跳跃电导,总的直流电导率同温度的关系可表示为其中第一项为扩展态中的电导率,第二项为带尾定域态中的电导率,第三项为禁带定域态中的电导率,第四项为低温变程跳跃电导率.对硫系玻璃半导体,一…  相似文献   
10.
一、引 言 五十年代末,人们就开始研究非晶态固体的微观结构和电子状态,开创了以非晶态为研究对象的固体物理的新领域.非晶态固体是凝聚态物质的一种.这个领域同国民经济以及科学技术的发展极为密切.如非晶态半导体,它的研究成果将在固体电子理论、存储器、现代无线电装置、复印机、光通讯、太阳能转换等方面产生重大影响.目前非晶态半导体还是一门年轻的学科,还处于晶态半导体四十至五十年代时的发展状况[1],在许多方面还是刚刚开始,还需要进一步地探讨和研究.本文着重介绍近几年来在研究非晶态硅方面所取得的新成果,并且已用这种新材料作…  相似文献   
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