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研究了Gd_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-y)(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dT_c/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现T_c的压力导数随着ca ̄(2+)含量的增加而下降,分析了氧含量对T_c和dT_c/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO_2面在超导电性上的作用,用CuO_2面之间耦合解释T_c(P)曲线的非线性关系。 相似文献
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精确测量了在不同氧压下退火的单晶Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212)样品的CuO面内和CuO面外的电阻率ρc(T)和ρab(T).发现ρc(T)和各向异性比(ρc(T)/ρab(T))随着载流子浓度增加而迅速下降.在过掺杂样品中,高于120K时,ρc随温度线性下降,而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系.ρc(T)和ρc(T)/ρab(T)的值可以用Alexandrov和Mot建立的双极化子模型很好地加以拟合 相似文献
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研究了(Tl0.5Pb0.5)(Sr0.8Ba0.2)2Ca2Cu3Oy超导体的不可逆场H(T),并与Y系Bi系和Tl1212相超导体作了比较。实验表明,在77K下Tl1223相的不可逆场高达5T。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Bi系超导体和Tl1212相导体强得多,并对此作了讨论,由磁滞回线估计的磁化电密度Jc在77K和2T磁场下大于14^4/cm^2。 相似文献
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测量了Cr^4+,YAG、Cr^4+,Mg2SiO4晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱,吸收光谱和激发态寿命,讨论了温度变化时,两种晶体中Cr^4+近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系,得出结论:在77K ̄300K范围内,Cr^4+的^3T2能级荧光辐射截面本身受温度影响不大,Cr^4+辐射荧光的变化,主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。 相似文献
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测量了掺La的Bi2212系统的随温度变化(80 ̄300K)的热电势。结果表明,热电势随掺杂浓度的增加(载流子浓度减少)而增大。定性解释了绝样样品的热电势的宽峰移动,并且用N-L模型及双带模型对热电势的结果进行了定量分析。 相似文献
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用电弧熔炼的方法制备了Gd2(Fe1-xCox)15Ga2(0≤x≤10)和Gd2(Fe08Co02)17-yGay(0≤y≤8)化合物,通过X射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性.实验结果表明它们都是2∶17型结构的单相化合物.Gd2(Fe1-xCox)15Ga2的单胞体积V随Co含量的增加单调下降,而居里温度TC单调上升,15K下的饱和磁化强度Ms随Co含量的增加开始时略有增大,在x=02时出现极大值,然后单调下降;对Gd2(Fe08Co02)17-yGay的样品,随Ga含量的增加单胞体积增加,居里温度和饱和磁化强度单调下降.用Co替代Fe,或用Ga替代Fe和Co都能导致Fe或Co次晶格出现室温单轴各向异性,这可能与Ga原子的择优占位有关. 相似文献
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用非极性喇曼散射光谱研究了混晶(RbxK1-x)2SnCl6性质随组份(0〈x〈1)及温度(10K〈T〈300K)的变化,发现在纯K2SnCl6晶体中用Rb^+部分替代K^+后,将降低原K2SnCl6的相变温度Tcl。当混晶中Rb^+成份超过极限浓度(x〉0.7)后,该相变就被抑制,不同组份样品的同一喇曼模频率,随Rb^+的增加,向低频方向移动,用平均力常数拟合给出很好的理论解释。 相似文献
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测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Bi2212单晶样品ab平面内和c方向电阻率ρab.ρc随温度T的变化关系.按照几种不同模型分析了测量数据.比较两块处于过掺杂区域的Bi2Sr2CaCu2O8+δ(单晶和Bi2-xPbxSr2CaCu2O8+δ(单晶,发现尽管平面内电阻率ρab与温度T依赖行为类似,且Tc值基本相同,但c方向电阻率ρc与温度T的行为差别很大.这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成c方向电阻率ρc不同温度行为表明:无序的阻挡层(blockinglayer)对于c方向电阻率ρc有重要影响 相似文献
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在77-300K温度范围内用正电子湮没方法测量了Y1-xPrxBaCu3O7-δ(x=0.2,0.1,0.0)三个超导样品中正电子湮没寿命随温度的变化,细致地研究了正常态异常现象,x为0.0和0.1的二个样品分别在较Tc高40K和30K处观察到了正常态异常现象.x=0.2样品没有观察到正常态异常现象,实验观察到的正常态异常现象可能是发生超导转的前秦,由结构不稳定产生的类相变所致。 相似文献
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用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
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利用高温高压方法合成了HgBa2CaCu2O6+δ超导体。X射线衍射线结构分析显示该超导体具有四方结构,晶格常数a=0.3867nm,c=1.2743nm.电阻和交流磁化率测量结果表明该超导体的超导起始转变温度为127K,零电阻温度为121K,抗磁转变温度为118K。对合成后的样品做了氧气氛中的退火处理,研究了27kbar压力下,不同烧结温度对合成样品的超导电性的影响,结果表明该压力下HaBa2C 相似文献
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激光沉积法制备(Y1—xHox)Ba2Cu3O7—δ薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用激光沉积法在(100)LaAlO3衬底上制备(Y1-xHox)Ba2Cu3O7-δ(x=0,0.2,0.4)超导薄膜.结果表明,新超导薄膜表面光滑,具有很强的c轴织构,零电阻温度Tc0约91K,最佳临界电流密度Jc为4.7×106A/cm2(77K). 相似文献