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硅基二氧化硅波导和SOI脊型波导应力双折射研究 总被引:4,自引:2,他引:2
采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI(Silicon on Insulator)脊型波导内部残留热应力引起的双折射.对于硅基二氧化硅波导,应力双折射系数的数量级为10-4,对于上包层为空气的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-5,对于上包层为SiO2的SOI脊型波导,该系数的数量级为10-3,可见在硅基二氧化硅波导和上包层为SiO2的SOI脊型波导中产生了大的应力双折射,而在上包层为空气的SOI脊型波导中应力双折射较小. 相似文献
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本文采用密度泛函理论的第一性原理方法,对手性指数m=n=K(K为3~15的整数)的扶手型硅纳米管的能带结构和态密度进行了研究。计算结果表明,扶手型(3,3)硅纳米管为间接带隙结构,其余均为直接带隙结构;随着手性指数的增加,硅纳米管的直径增大,硅纳米管的禁带宽度逐渐减小,且导带逐渐下移,总态密度图峰值强度增大;扶手型(3,3)硅纳米管的禁带宽度最大;扶手型(13,13)硅纳米管的禁带宽度最小,说明其导电性优于其他手性指数的扶手椅型硅纳米管;同时,扶手型(4,4)硅纳米管的导带和价带出现重叠,说明扶手型(4,4)硅纳米管为金属性纳米管;态密度图表明扶手型(9,9)硅纳米管的价带顶主要由Si-3p电子态构成,导带底由Si-3p态电子和Si-3s态电子共同构成。 相似文献
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定义了硅表面上硅和二氧化硅的横向腐蚀速率 ,系统地测量了硅 (10 0 )晶面上的硅和二氧化硅在 4 0 %(质量分数 )氟化铵水溶液中的横向与纵向腐蚀速率 ,并和硅 (111)晶面上的测量结果进行了对比 .对比结果表明 ,尽管两种晶面上的硅和二氧化硅的腐蚀速率有明显的差别 ,其相应的表观活化能在误差范围内相同 .实验中还发现 ,溶液的温度为 38.2℃时 ,硅腐蚀过程中形成的气泡对硅的腐蚀速率有显著的影响 :开始时加速硅的腐蚀 ;但随着气泡在硅 /溶液界面的聚集 ,阻碍硅的腐蚀 . 相似文献
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一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI(silicon on insulator,绝缘层上的硅)技术和SiGe(silicon germanium,锗硅)技术都是微电子领域的前沿技术,SiGe-OI(SiGe-on-insulator,绝缘层上的锗硅)新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一。文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景,详细介绍了其主要的制备方法,最后报道了作才在SiGe-OI材料研究上的一些实验结果。 相似文献
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硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n+型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅(SiO2∶Si)薄膜,然后用热扩散法进行了锰(Mn2+)掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3~5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm(2.36 eV),一般认为这是来自Mn2+能级4T1 →6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅(SiO2∶Si∶Mn2+)做成电致发光结构,在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光(EL),光谱范围覆盖了400~800 nm。研究表明,该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2+以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加;Mn2+的发光是靠薄膜中的热电子来激发的;并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。 相似文献
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多孔硅——一种新形态的硅材料 总被引:3,自引:0,他引:3
多孔硅(porous Silicon)是指通过对氢氟酸溶液中的晶体硅片进行阳极氧化,在硅衬底上形成的多孔态的硅材料.本文介绍了多孔硅的形成规律和结构形貌,并对其光学性质和形成机制仆行了简要的评介,最后以多孔硅在大规模集成电路中的应用为主讨论了它的技术应用. 相似文献
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以正硅酸乙酯(TEOS)和六甲基二硅氮烷(HMDS)为前驱体,研究了引入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对膜层的影响,在碱催化条件下制备了改性的二氧化硅溶胶,并采用提拉涂膜的方法在石英基底上涂膜。对不同组分的薄膜,先经热处理或紫外辐照处理,然后用十八烷基三氯硅烷(OTS)/甲苯溶液对膜层表面进行化学修饰,制备出疏水性能良好的纳米二氧化硅自组装薄膜,分析了不同后处理方法对膜层透过率、接触角、膜层表面微观形貌和激光损伤阈值影响。实验结果表明:溶胶中加入PVP提高了膜层的平整度,经OTS改性后膜层疏水性和激光损伤阈值均得到提高。 相似文献
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采用高压火花光源,一次预烧,连续摄谱的发射光谱法定量分析铸铁中硅,锰、镁三元素,加快了分析速度,可测定质量百分数为1.50%-3.50%的硅、0.40%-1.10%的锰,0.010%-0.090%的镁,其相对标准偏差分别为硅1.9%,锰3.0%,镁10.4%。 相似文献
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采用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备了掺Nd^3 硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000℃退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm(-5.0eV)光激发下获得了紫蓝光区(410-430nm)和红光区(746nm)蒌光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd^3 特征光发射跃迁(^4F7/2,^4S3/2→^4I9/2),讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。 相似文献
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用ESR方法研究了硅(磷)中心自由基与2-丁烯二酸二乙酯的加合反应机理.具有顺式构型的马来酸二乙酯(DEM)与硅(磷)中心自由基反应,生成自由基加合物。DEM的聚合反应受到抑制。具有反式构型的富马酸二乙酯(DEF)易发生聚合反应,DEF与硅(磷)中心自由基的加合反应受到抑制.DEF与DEM在反应性能上的差异,主要来自DEF有较大的空间位阻效应. 相似文献
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采用退火后处理的方法,使SiOx∶H(0<x<2)形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构.利用红外透射谱、Raman谱和光致发光谱,系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响.发现发光谱均由两个Gauss线组成,其中主峰随着退火温度的升高而红移,而位于835nm的伴峰不变.指出退火前在720—610nm的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团,随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大.而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷.1170℃退火后在850nm附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关,支持了量子限制效应发光模型. 相似文献
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通过分子动力学方法模拟了在碳纳米管内填充一定数目的半导体元素硅形成碳纳米管-硅纳米线复合结构的过程,并采用Lindemann指数研究了这种复合结构的热稳定性.计算结果表明,当考虑碳纳米管和硅纳米线轴向方向的周期性边界条件之后,在C(13,0)和C (14,0)碳纳米管内能够形成亚稳结构的硅纳米线Si16NW和Si20NW,从而获得一种碳纳米管-硅纳米线的新型复合结构.通过计算这种复合结构的Lindemann指数,可以看到由于碳纳米管的保护作用,碳纳米管包裹的硅纳
关键词:
复合结构
纳米线
碳纳米管
分子动力学 相似文献
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利用快速退火法从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒 总被引:5,自引:0,他引:5
报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法。含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行分析。实验结果表明:纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄膜中形成,而且所形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化。在升温过程中,若单位时间内温度变化量较大(-100℃/s),则所形成纳米硅粒较小(1.6-15nm); 若单位时间内温度变化量较低(-1℃/s),则纳米硅粒较大(23-46nm)。根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系。 相似文献