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正电子湮没技术是一种研究材料的微观缺陷和相变的灵敏工具,在通常的正电子谱仪中,正电子能量为MeV量级,在样品中注入深度比较学(-100μm),主要研究材料体内的平均缺陷密度,慢正电子束方法把正电子的能量降低为keV量级(而且可以调节),注入比较浅(-μm),所以是研究表面缺陷的探测手段,正电子慢化体是产生慢正电子的关键设备,对其研究有重要意义,文章综述了慢化体研究的历史和现状,从物理概念出发介绍使正电子慢化的四种可能方法和当今慢化体的五种几何排列方法,其中应用最广泛的是钨慢化体和百叶窗式的排列方式,效率最高的是惰性气体固体慢化体,而加电场慢化体是有待开发的高效慢化体。 相似文献
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用正电子湮没多普勒增宽谱测量金属中电子的费米能级 总被引:1,自引:0,他引:1
高校中不少实验室具有半导体探头能谱仪,可扩展用作正电子湮没多普勒增宽谱仪,并测量金属中电子的费米能级 相似文献
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编者按:19 8l年 3月以来,中国金属学会和北京金属学会,中国电子学会和应用磁学学会,北京电子学会分别举办了“新实验技术在材料研究中的应用专题讲座”、“磁性材料微结构分析方法讨论会”和“电子材料和器件显微结构分析技术”讲座。现择其部分报告连同我们收到的有稿件,在讲座栏陆续发表。 相似文献
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利用正电子湮没寿命谱实验手段研究了22Na放射源的e+自辐射对三 嵌段共聚物SEBS的正电子湮没参数的影响,而后结合Eldrup的经典模型,研究了SEBS的自由体积孔尺寸和自由体积分数随着温度的变化关系,给出了自由体积分数在Tg以上和在Tg以下各自区域内分别与温度呈线性关系,最后结合Williams-Landel-Ferry(WLF)自由体积理论和Eldrup的经典模型讨论了热膨胀系数和自由体积分数中的A常数.
关键词:
正电子湮没技术
嵌段共聚物
自辐射
热膨胀 相似文献
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一种新的灵敏核探针——慢正电子束流装置 总被引:1,自引:0,他引:1
简要介绍了广泛应用于表面科学的灵敏核探针——慢正电子束设备的原理、构造和应用 ,阐述了北京慢正电子束流装置的设计原理和性能 ,讨论了北京慢正电子束流装置今后的研究前景. A novel and compact slow positron beam line——Beijing Slow Positron Beam Line was described. The basic physical concepts of the slow positron beam and its applications were reviewed. Recent experimental results showed the converting effcicency for the total positrons from the radioisotope to slow positrons was 8×10 -5 and the moderation efficiency was 1.7×10 -4 . The future development of Beijing Intense Slow Positron Beam, based on the BEPC LINAC, was also briefly discussed. 相似文献
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POSITRON ANNIHILATION STUDY ON SURFACE STRUCTURE OF BIOLOGICAL SAMPLES IMPLANTED BY IONS WITH LOW ENERGY 总被引:3,自引:0,他引:3 下载免费PDF全文
The organic materials of biological samples, such as lima bean and peanut, were implanted respectively by nitrogen ions with an energy of 100 keV and vanadium ions with an energy of 200 keV. The positron annihilation lifetime spectra of implanted and non-implanted samples were compared with each other especially in τ3 and I3. The experimental results showed that before implantation there were many small holes with diameters of 0.48 and 0.7 nm respectively in lima bean and peanut. After ion implantation, the size of holes would be changed because of organism cross linking and scission. The effective penetration range of implantation of ions with low energy into biological samples is about 200μm. 相似文献
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