Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)膜1/f噪声的研究

我们在８０～３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．５，１）膜的１／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响．我们还将实验结果与Ｄｕｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较．发现ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜符合较好，ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜定量上有较大差别．     

常态下Pr掺杂Y—Ba—Cu—O薄膜的激光响应研究

本文对倾斜基片上生长的ＹＢａＣｕＯ薄膜在不同膜厚和多种浓度Ｐｒ掺杂条件下的激光响应进行了研究．这种现象的根源是薄膜层状结构造成的热电系数张量各向异性．与未掺杂ＹＢａＣｕＯ薄膜的激光响应相比，掺Ｐｒ使薄膜的激光响应幅度显著提高，并且仍具有较好的能量线性响应和时间响应．掺Ｐｒ２０％，效应最明显；掺Ｐｒ５０％时，效应则显著降低．本文认为，由于Ｐｒ掺杂使ＣｕＯ面载流子浓度降低从而显著增强声子曳引作用是导致ＹＢａＣｕＯ薄膜ＣｕＯ面热电系数增大及其激光响应幅度提高的主要原因     

Y1—xPrxBa2Cu3O7—δ膜I／f噪声的研究

我们在８０－３００Ｋ温区测量了电阻随温度变化行为十分不同的Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的Ｉ／ｆ噪声，发现Ｐｒ含量对样品噪声水平没有明显的影响。我们还将实验结果与Ｄｕｔｔａ－Ｈｏｒｎ热激活模型进行了比较。     

Tl2Ba2CaCu2O8薄膜直流超导量子干涉器的噪声特性

本给出了Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏ８薄膜双晶结直流超导量子干涉器噪声测量的实验结果。与至今最好的ＹＢＣＯ薄膜器件噪声测量结果相比，铊器件１／ｆ特性低频噪声的起始频率要低二个数量级。本还详细介绍了器件在闭环工作模式时，其噪声频谱的测量方法。     

高温超导／铁磁多层膜样品制备与输运性质的初步研究

本介绍我们对高温超导／铁磁多层膜样品的初步研究结果。利用准分子脉冲激光淀积方法制备了由高温超导ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７薄膜与铁磁巨磁电阻材料Ｐｒ．７Ｓｒ．３ＭｎＯ３薄膜组成的三夹层型和台阶边缘结型多层膜样品。对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／Ｐｒ．７Ｓｒ．３ＭｎＯ３多层膜样品输运性质测量表明样品中存在超导转变及铁磁相变。对两种多层膜样品的电阻随温度变化测量曲线进行了讨论。     

YBa2Cu3O7膜1／f噪声的测量

建立了一套测量样品电压涨落噪声的频谱分析系统，用此系统观察到超导ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７取向模在正常态下反常大的１／ｆ噪声，并发现不同结构形貌的样品噪声水平有明显差异。     

借助于PrBa2Cu3O7的红外光谱讨论Pr在体系中的价态

本报道了陶瓷和薄膜ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料的红外和远红外反射谱，从陶恣和薄膜样品的声子谱的比较中萃取ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７材料沿着ｃ轴振动的Ｂｌｕ模分别位于１１０，１５８，１９４，２０２，３９５，５８０ｃｍ＾－１，ＰｒＢａ２Ｃｕ３）７和ＹＢＣ３Ｏ７－δ有类似的晶体结构，分析和比较这两种材料的声子谱，尤其是沿着ｃ轴振动的Ｂｌｕ模，我们认为Ｐｒ的Ｂｌｕ模位于１９４ｃｍ＾－１，并由此而建议从红外测试结果     

新块材超导体Pr_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-δ)(0.4≤x≤0.6)的高压合成与超导电性

采用高温高压合成方法，合成出了Ｐｒ１－ｘＣａｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（０４≤ｘ≤０６）系列块材超导体，在缺氧的Ｐｒ０．５Ｃａ０．５Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ四方１２３结构样品中得到了Ｔｃ为９８Ｋ．实验结果表明Ｐｒ在１２３结构中的价态为大于３＋的混合价态，因而空穴填充和杂化导致的载流子局域化是Ｐｒ抑制１２３相超导电性的关键因素．     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。     

PrBa_2Cu_3O_7中的Pr－O共价因素及其影响

本文提出ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的Ｐｒ－Ｏ键长的缩短是由于Ｐｒ－Ｏ键含有明显的共价成份．文中阐述了这种共价作用的性质和原因．讨论了这种化学键对ＰｒＢａ２ＣＵ３Ｏ７电子结构的影响．定性解释了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ中复杂的反铁磁有序．     

超薄超导YBa2Cu3O7薄膜的外延生长和电阻温度关系

利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术，我们在ＳｉＴｉＯ３衬底上成功地外延生长了超薄超导ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７薄膜样品．样品ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度分别为２．４ｎｍ至１０．８ｎｍ（二至九个原胞）．四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变．超导零电阻温度分别为１６Ｋ至８１Ｋ．超薄超导薄膜样品显示当ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度达到和超过四个原胞层厚（９．６ｎｍ）时，厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显．实验观察到ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同．这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响．超薄ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件．     

R＿（1－x）Pr＿xBa＿2Cu＿3O＿（7－δ）超导T＿c平台的离子尺寸效应

系统地研究了Ｒ＿（１－ｘ）Ｐｒ＿ｘＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导Ｔ＿ｃ与Ｐｒ替代浓度ｘ的关系。发现在离子半径ｒ＿ｉ≤ｒ＿ｉ（Ｄｙ）时，在低Ｐｒ浓度范围内存在一个超导Ｔ＿ｃ平台，并且平台宽度表明一个Ｒ￣（３＋）离子尺寸效应。我们认为，Ｔ＿ｃ平台宽度的离子尺寸效应可能起源于Ｐｒ４ｆ电子局域态的改变。提出一个临界Ｒ￣（３＋）离子半径ｒ＿（ｉｃ），ｒ＿ｉ＞ｒ＿（ｉｃ）时ＲＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的超导电性消失     

Y1—xPrxBa2Cu3O7δ体系的正电子捕获效应

在８０Ｋ－４００Ｋ的温区内测量了Ｙ１－ｘｒｘＢａ２ＣＵ３Ｏ７－δ体系 电子寿命的温度依赖关系，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ样品，正电子平均寿命具有明显的温度依赖性；随着Ｐｒ的掺入，温度依赖性 ，以致于ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ体系的正电子平均寿命不再随温度变化，正电子寿命的温度依赖性可用正电子浅捕获理论加以解释，并由实验数据拟合得出了浅捕获中心的正电子束缚能，文中还讨论了该体系中正电子清捕获中心所对应的缺     

高成品率台阶结DC—SQUIDs磁强计

我们在ＳＴＯ台阶基片上，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）和直流磁控溅射法制备出ＹＢＣＯ外延超导薄膜，采用普通的光刻技术得到ＤＣＳＱＵＩＤ图形．器件的ＩＶ曲线具有ＲＳＪ模型描述的上翘特征；三角波调制幅度峰峰值大于４μＶ，磁场灵敏度优于１ｐＴ／Ｈｚ（白噪声区）；９个不同基片上的样品磁通锁定的成品率达到６７％．     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

激光分子束外延制备的BaTiO3及c取向YBa2Cu3O7-δ薄膜的生长模式

用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ） 和原子力显微镜（ＡＦＭ） 研究激光分子束制备的铁电ＢａＴｉＯ３ 和高Ｔｃ 超导ｃ 取向Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７ 薄膜的生长模式,ＢＴＯ 铁电薄膜是原子级平整的层状生长模式;ｃ 取向ＹＢＣＯ 超导薄膜是ＳＫ生长模式 当薄膜厚度小于５ 个原胞时,层状生长,然后是台阶岛状生长．处理ＳｒＴｉＯ３ 基片表面可以改变ｃ 取向ＹＢＣＯ薄膜的生长模式     

铁电/超导集成膜和铁电多层膜的TEM研究

报道了用透射电子显微镜对单层ＹＢＣＯ薄膜,ＰＺＴ／ＹＢＣＯ集成薄膜,ＳＴＯ／ＧＢＣＯ集成薄膜和ＳＴＯ／ＢＴＯ超晶格薄膜等四种有代表性的薄膜样品的研究结果．在单层ＹＢＣＯ平面样品中观察到镶嵌,在生长在ＹＢＣＯ／ＳＴＯ上面生长的ＰＺＴ薄膜中,观察到柱状结构．用ＰＬＤ方法生长的ＳＴＯ／ＧＢＣＯ,ＹＳＺ集成薄膜中缺陷很少．虽然ＧＢＣＯ膜的表面并不平整,但仍能生长出ｃ取向的ＧＢＣＯ薄膜．用ＭＢＥ方法生长的ＳＴＯ／ＢＴＯ多层膜具有很好的外延特征．由于晶格匹配和层状生长机制所以具有锐的界面．这些结果对改进铁电超导集成薄膜和多层膜制备工艺是有用的     

HgBa2CuO2正常态1/f噪声行为的研究

我们在１００－３００Ｋ温度范围测量了ＨａＢａ２ＣｕＯ２（Ｈｇ－１２１２）相块材样品和不同质量的Ｈｇ－１２１２相薄膜样品,发现Ｈｇ－１２１２相膜的噪声温行为显示较强的样品个性。     

NdvGdCOB晶体1331.0nm基频光运转和自倍频红光的观察

ＮｄｖＣａ４ＧｄＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄｖＧｄＣＯＢ）是一种新型自倍频晶体［１］。利用该晶体实现１０６０．０ｎｍ的自倍频绿光输出,因内外均已有报道［２］。我们利用Ｄａｔａｃｈｒｏｍ５０００型染料激光器泵浦该晶体成功地实现了１３３１．０ｎｍ基频光和６６５．５ｎｍ自倍频红光的输出。ＮｄｖＧｄＣＯＢ属单斜双轴晶体,具有明显的偏振吸收特性。生长该晶体所用原料为Ｃａ４Ｎｄ０．０８Ｇｄ０．９２Ｏ（ＢＯ３）３。晶体样品尺寸为３ｍｍ×３ｍｍ×８ｍｍ,通光方向为ｘ（ｘ轴与晶体的ｃ轴的夹角为１２°,ｚ轴与ａ轴的夹…     

Bi2222相单晶生长的相关问题研究

从名义组份Ｂｉ２．４Ｓｒ２ＰｒＣｕ２Ｏｙ生长出一种新的Ｂｉ２２２２相单晶，其实际组份测定为Ｂｉ２Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ．用Ｘ射线衍射对单晶的结构进行了表征，并且研究了该单晶生长中Ｂｉ２２０１和Ｂｉ２２１２相的交生等相关问题．另外，如果从名义组份为Ｂｉ２．４Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ出发，得到的却是Ｐｒ２ＣｕＯ４单晶．