Hg—Ba—Ca—Cu—O系超导性的研究

我们用Ｓｃｈｉｌｌｉｎｇ等人的方法制备出了Ｈｇ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导化合物系，并用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＴＥＭ－磁化率及电阻等实验测量对它们进行了初步研究。由ＴＥＭ观察，证实了在ＨＢＣＣＯ系中存在Ｈｇ－１２０１相，Ｈｇ－１２１２相和Ｈｇ－１２２３相，用高－Ｑ振动子技术，对ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋ｙ样品作了磁通点阵融化的力学测量，从而估计出该样品的不可逆线的形状。我们还对Ｈｇ－１２２３样品作了事后退火处理     

Hg－Ba－Ca－Cu－O系超导性的研究

我们用Ｓｃｈｉｌｌｉｎｇ等人的方法制备出了Ｈｇ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导化合物系，并用Ｘ－ｒａｙ衍射、ＴＥＭ、磁化率及电阻等实验测量对它们进行了初步研究．由ＴＥＭ观察，证实了在ＨＢＣＣＯ系中存在Ｈｇ－１２０１相，Ｈｇ－１２１２相和Ｈｇ－１２２３相．用高－Ｑ振动子技术，对ＨｇＢａ２ＣｕＯ４＋ｙ样品作了磁通点阵融化的力学测量，从而估计出该样品的不可逆线的形状．我们还对Ｈｇ－１２２３样品作了事后退火处理研究，在氧气中退火可使该样品的Ｔｃ略有增高，这些结果表明Ｈｇ－１２２３样品的超导相可能处在微弱的“ｕｎｄｅｒ－ｄｏｐｅｄ”态．     

高Tc（Hg,Pb）—1223相超导体的EPMA研究

在ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ（Ｈｇ－１２２３相）超导体中，我们以Ｐｂ部分代替Ｈｇ，成功地合成了（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３相超导体，并对这些样品进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ和ＥＤＸ等分析。本文着重报导ＥＭＰＡ分析的结果：在我们最佳合成的（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３超导样品中，正离子比为Ｈｇ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．６６：０．３４４：２：１．９８：２．９７，氧含量为８．４１；以及样品的主相为（Ｈｇ，     

高压对铊系单晶的超导转变温度的影响

高压研究对于提高超导转变温度和探索高温超导机制是一种非常重要的手段。环境压力下ＴＬ－１２２３相单晶样品和Ｔｌ－１２２３和Ｔｌ－１２１２相混合单晶样品的抗磁起始转变温度分别为１０２Ｋ和１１６Ｋ。高压研究表明Ｔｌ－１２２３相单晶样品的初始压力系数为ｄＴｃ／ｄｐ＝４．２Ｋ／Ｇｐａ,当压力达到６．４Ｇｐａ时,Ｔｃ达到最大值１１６Ｋ,比环境压力下升高了１４Ｋ。Ｔｌ－１２２３和Ｔｌ－１２１２相混合单晶的初始压     

HgBCO和PrBCO的正常态的1/f噪声研究

在１００ ～３００Ｋ温度范围内测量了Ｈｇ１２１２ 相块材和薄膜样品的正常态的１／ｆ 噪声,结果显示高质量薄膜的噪声水平为１０４ 量级,已和ＹＢＣＯ 外延膜及单晶相近．还测量了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７ － δ（ＰｒＢＣＯ） 微桥样品１／ｆ 噪声的尺寸依赖性,发现在ａｂ 面上,存在着与涨落相关的特征尺度,约为１０２μｍ 的量级．样品宽度降到该尺寸以下时,噪声水平急剧下降．在两个体系中,实验结果均和ＤｕｔｔａＨｏｒｎ 热激活模型进行了比较．     

退火对HgBa2Ca2Cu3O8＋δ超导体的转变温度Tc的影响

本报导我们成功地合成了高Ｔｃ超导铜氧化物ＨｇＢａＣ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ，并用ＸＲＤ、ＴＥＭ、交流磁化率及电阻测量对这些样品作了研究，特别是，为了更进一步提高Ｔｃ，我们对这些样品在各种气氛条件下进行了事后退火处理研究，发现：样品的超导转变温Ｔｃ，在流动氧气中或高压氧气中退火后，获得增高；而在流动氩气中退火后其值变小，因此，由退火实验结果可知：未经退火处理的Ｈｇ－１２２３相样品处于微弱的“ｕｎｄｅ     

Hg_2、Hg_2~(2 )、Hg_3、Hg_3~(4 )原子簇的电子结构和光谱的SCC-DV-X_α方法的计算

利用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法计算了Ｈｇ２、Ｈｇ２＋２、Ｈｇ３、Ｈｇ４＋３原子簇的电子结构和光谱，分析了体系的稳定性和影响分子轨道的因素及可能的光谱跃迁波长，所得结果与所报道的实验结果作了比较。     

Hg2,Hg^2＋2,Hg3,Hg^4＋3原子簇的电子结构和光谱的SCC—D…

利用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法计算了Ｈｇ２，Ｈｇ＾２＋２，Ｈｇ３，Ｈｇ＾４＋３原子族的结构和光谱，分析了体系的稳定性和影响分子轨道的因素及可能的光谱跃迁波长，所得结果与所报道的实验结果作了比较。     

新型Hg系高Tc超导体(Hg_(0.8)Mo_(0.2))Sr_2(Y_(1-x)Ca_x)Cu_2O_(6+δ)的拉曼光谱

新型Ｈｇ系高Ｔｃ超导体（Ｈｇ０．８Ｍｏ０．２）Ｓｒ２（Ｙ１－ｘＣａｘ）Ｃｕ２Ｏ６＋δ的拉曼光谱许存义左健冯建平（中国科学技术大学结构分析开放实验室合肥２３００２６）吴若（江西师范大学物理系南昌３３００２７）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆｔｈｅＮｅｗＳｅ...     

新显色剂4,4′-二(2,6-二溴-4-硝基苯基重氮氨基)联苯与汞显色反应的研究

本文研究了新显色剂４，４′－二（２，６－二溴－４－硝基苯基重氮氨基）联苯与Ｈｇ（Ⅱ）的显色反应，在表面活性剂ＴｒｉｔｏｎＸ－１００的存在下，于ｐＨ８．８的Ｎａ２Ｂ４Ｏ７－ＨＣｌ缓冲溶液中，试剂与Ｈｇ（Ⅱ）形成２∶２橙红色配合物，其最大吸收峰位于４９０ｎｍ，表观摩尔吸光系数为７．６２×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１。Ｈｇ（Ⅱ）量在０－１２μｇ／２５ｍＬ范围内符合比耳定律。方法用于废水中微量Ｈｇ（Ⅱ）的测定，结果满意。     

光束品质因子M2及其性质

讨论了光束品质因子 Ｍ２ 的物理意义及其近年来的有关进展     

H2S2分子的阻碍内旋转势能函数

应用无波函烽微扰理论导出了分子障碍内旋转能谱的解析式，基于扭转频率光谱数据，确定了Ｈ２Ｓ２分子的阻碍内旋转势能函数。     

Li_2Mo_2-x_W_xO_6多晶材料的结构_电学性能与导电机理的研究

本文采用还原气氛制备导电性能优良的多晶多相陶瓷材料Li_2Mo_2-x_W_xO_6(x = 0 .1 ,0.3 ), 采用粉末x 射线衍射分析、特征x 射线能谱分析、红外光谱分析和电子自旋共振波谱分析等现代测试手段, 得到样品的物相结构为Li_2Mo_2-x_W_xO_6 和MoO , 两相组成.w 的掺入主要取代Mo进人Li_2MoO_4 晶格中. 通过导纳电桥法和交流阻抗谱测定方法研究样品材料的导电性能. 室温下,x= 0 .3 的样品其电导率为l .42 × l0**(-2) 1/(cm ), 300 ℃ 时其电导率为2.86 × l0**(-2) 1/(cm ), 研究表明: w 的掺入提高样品的电导率, 降低离子导电激活能.文中还提出样品材料的显微结构模型和离子导电机理. 关键词：     

硅掺杂MgB_2超导薄膜的制备及研究

本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapordeposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB_2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB_2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度T_c没有大幅下降,超导临界电流J_c得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×10~5Acm~(-2).同时上临界场H_(c2)在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率—dH/dT也有一定的提高.     

激光光束传输因子M~2的一些问题

本文讨论与 M2 因子有关的一些问题 ,指出在近轴近似条件下由光束的二阶强度矩定义的 M2 因子满足 M2 ≥ 1 ,其中只有对基模高斯光束等式才成立 .由光束的功率通量值定义的 M2 因子 ( M2pc)有可能小于 1 ,M2pc的大小取决于所定义的光斑半径内包含的光功率的百分数 .通过计算光场的二阶矩 ,我们获得了轴向相干叠加的高斯光束的 M2 因子的解析解     

Si-SiO2界面的粗糙度

利用椭偏反射光谱不但验证了Si-SiO₂界面是一祖糙面,而且在恰当的模拟形貌下,把这界面粗糙层等效为若干子层,用有效介质理论处理。分别得到各自的介电特性。通过多相椭偏光反射光谱的理论计算值ψ_cal,△_cal与实验值ψ_exp,△_exp的比较,把粗糙的高度H及相关长度L确定,把不同条件下制备的样品的粗糙度和它们的电气性能相对比,发现两者之间的趋势十分一致。同时发现,在界面上Si的介电常数具有轻度的各向异性。 关键词：     

合金AgAuZn2的有序化

本工作是用X射线衍射法观察合金AgAuZn₂的有序化过程。样品首先从600℃淬炼,然后在100℃再经不同时间的熟炼处理。样品在熟炼状态,几乎全部的Zn原子都占据了它们的适宜位置,Ag和Au原子占有适宜位置的几率则较小些。随着熟炼时间的增加,Ag,Au原子作有序的排列,而不影响Zn原子的位置。在有序畴长大的初期阶段,从不同衍射线所求出的有序畴大小是不同的。但它们随着熟炼长大,最后却几乎达到同一线性大小。原子的有序化和有序畴的长大同时进行,但在有序畴达到稳定大小以前,有序度早已达到了稳定程度。     

MgB2超导体的各向异性

采用两带Ginzburg-Landau(GL)理论模型,考虑到两能带有效质量的各向异性,我们讨论了各向异性超导体MgB:的上临界磁场各向异性比以及有效相干长度对角度、温度的依赖关系.     

S2激光器的发展

本文回顾硫双原子分子激光器的发展历史,通过借鉴已有激光器件在设计上积累的成功经验和存在的不足之处,提出一种新型可拆卸式横向脉冲快放电Ｓ２激光管的设计方案并给出此激光管设计的截面图和立体图。     

MgB2中的MgO纳米管

为观察MgO在MgB2超导样品中的影响和存在形式,通过在MgB2胚体样品之外,增加周围MgO量的实验方法,经过4 h 750℃的烧结,在制备好的MgB2超导样品内得到了壁厚是约4纳米,直径在50～80纳米,长为30～40微米以上的氧化镁(MgO)纳米管.在MgB2样品表面可以看到少量直径是200～300纳米的氧化镁(MgO)亚微米线.经过扫描电镜的能量损失谱和透射电镜EELS分析测量,证明了纳米管中没有硼元素.实验观测也表明这些氧化镁(Mgo)纳米管是由许多氧化镁(MgO)纳米晶片组成.