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超薄超导YBa2Cu3O7薄膜的外延生长和电阻温度关系
引用本文:连贵君,王志海.超薄超导YBa2Cu3O7薄膜的外延生长和电阻温度关系[J].低温物理学报,1998,20(1):41-44.
作者姓名:连贵君  王志海
作者单位:北京大学物理系和介观物理国家实验室
摘    要:利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术,我们在SiTiO3衬底上成功地外延生长了超薄超导YBa0.2Cu3O7薄膜样品.样品YBa0.2Cu3O7层厚度分别为2.4nm至10.8nm(二至九个原胞).四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变.超导零电阻温度分别为16K至81K.超薄超导薄膜样品显示当YBa0.2Cu3O7层厚度达到和超过四个原胞层厚(9.6nm)时,厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显.实验观察到YBa0.2Cu3O7层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同.这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响.超薄YBa0.2Cu3O7超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件.

关 键 词:外延生长  电阻温度关系  YBCO  超导体  薄膜
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