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NdCa4YO(BO3)3(简称NdYCOB)是一种新型的自倍频晶体[1~3]。根据测定的吸收光谱,它有5条较宽的吸收带,因而极适合于用脉冲氙灯进行泵浦。作者利用脉冲氙灯泵浦NdYCOB实现了基频光和自倍频光的运转。实验中所用晶体掺杂的摩尔分数为0.... 相似文献
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本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Tc值为95K的NdBa23Cu3Ox外延薄膜,样品的XRD分析表明,样品为强烈c轴织构,c轴晶胞参数为1.174nm,样品衍射峰的FWHM=0.29°,RBS分析表明:薄膜的化学计量为Nd1.0Ba2.0Cu3.3Ox。对影响NdBa2Cu3OX薄膜Tc值的因素进行了讨论。 相似文献
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激光沉积法制备(Y1—xHox)Ba2Cu3O7—δ薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了用激光沉积法在(100)LaAlO3衬底上制备(Y1-xHox)Ba2Cu3O7-δ(x=0,0.2,0.4)超导薄膜.结果表明,新超导薄膜表面光滑,具有很强的c轴织构,零电阻温度Tc0约91K,最佳临界电流密度Jc为4.7×106A/cm2(77K). 相似文献
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热稳定法拉第旋转TbYbBiIG磁光单晶及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温溶液法,以Bi2O3/B2O3为助熔剂成功地生长出掺铋复合稀土铁石榴石(TbYbBi)3Fe5O12(简称TbYbBiIG)晶体。晶体外形规则,最大尺寸为7×6×4mm3,X射线衍射分析证实,生长的晶体为TbYbBiIG单相单晶体,扫描电镜能谱分析其组成为Tb2.06Yb0.46Bi0.48Fe5O12。在1.0μm~1.7μm波段测量出晶体法拉第旋转谱和光吸收谱。当λ=1.55μm时,在10°C~80°C温度范围内测得法拉第旋转θF的温度系数为dθF/dT=-2.3×10-2deg·mm-1K-1。研究结果表明,TbYbBiIG单晶体在近红外波段θF约为YIG单晶的3倍,温度系数小,是制作高性能光隔离器的一种好材料 相似文献
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对于La0.2Ba0.8-xCax(O,CO3)其中x=0.0、0.2、0.4、0.6氧化物在973K及甲烷氧化偶联(OCM)条件下,无Ca^2+的样品可用表面BaCO3和(LaO)2CO3的Raman谱及810cm^-1附近的O2^2-特征峰来表征;含Ca^2+的样品,则表现了混合碳酸盐(Ca,Ba)CO3的特征,还有位于1135cm^-1(w)和810cm^-1(w)的O2^-、O2^2-瞬时 相似文献
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制备了四氯四铜酸苯铵盐(C6H5NH3)2CuCl4单晶,Mr=187.26,由四园衍射数据确定了晶体结构,晶体属单斜晶系,空间群P21/a,a=0.7184(1),b=0.7448(2),c=1.5070(4)nm,β=100.67(2)°,V=0.7924nm^3,Z=2,Dx=1.650gcm^-3,(Mo,Ka)=0.071069nm,μ=4.056mm^-1,F(000)=389,R=0 相似文献
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研究了Gd_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-y)(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dT_c/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现T_c的压力导数随着ca ̄(2+)含量的增加而下降,分析了氧含量对T_c和dT_c/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO_2面在超导电性上的作用,用CuO_2面之间耦合解释T_c(P)曲线的非线性关系。 相似文献
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本文报道了NYAB[四硼酸铝钇钕,Nd,Y1-xAl3(BO3)4]在室温下,300-800nm波长范围内晶体Z轴方向的CD谱(圆二色性谱)测定的结果,给出了相应的Cotton效应参数。将Kronig-Kramers变换公式应用于晶体,在高斯型CD带近似下,给出了晶体旋光度与Cotton效应参数的关系式。计算了NYAB晶体Z轴方向的旋光度,讨论了在CD带半宽较小时用CD谱的测量估算晶体旋光度的优点 相似文献
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采用蠕爬型助熔剂CaO-CuO和蒸发型复合助熔剂CaO-CuO-NaCl来制备Tl-Ba-Ca-Cu-O超导单晶,生长炉最高温度890℃和850℃,因而实现了铊系单晶的低温生工。生长出的单晶分别是典型尺寸为2.0×1.5×0.2mm^3,Tc在100K与119K之间的Tl-2212相单晶和尺寸为1.2×1.0×0.1mm^3。Tc约为115K的Tl-2223相超导单晶。 相似文献
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自助熔法从富Bi2O3 的Bi1 .8 + xPb0 .2Sr1 .65La0 .35CuOy(x= 0 .1 ,0 .2,0 .3 ,0.4 ,0 .5) 熔体中生长出了高质量的Pb、La 掺杂的Bi2201 相大单晶,最大尺寸达8 ×4 ×0 .05mm3 .在生长单晶时不同程度过量的Bi2O3 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定.通过单晶的(00l) XRay 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为4 ×1 .6 ×0 .03mm3 的高质量单晶做了结构表征.由试验发现从富Bi2O3 的熔体中生长高质量Bi2201 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程 相似文献
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在活塞圆筒式P~V关系测量装置上,研究了KH_2PO_4(KDP)和(CH_3NHCH_2CO-OH)_3CaCI_2[Tris-sarcosinecalciumchloride(TSCC)]在室温下、4.5GPa内的p~V关系。实验结果表明:KDP在2.1GPa左右有一个相变;TSCC在0.8GPa和3.2GPa左右各有一个相变。本工作还给出了它们在相变前后的状态方程,以及它们的格临爱森参数γO、体积模量B_o和B_o的压力导数B_o。 相似文献
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高TcBOLOMETER 总被引:7,自引:0,他引:7
章给出了高Tc超导红外探测器的理论分析;器件设计。并报道了用GdBa2Cu3O7-x薄膜制备的红外探测器的实验结果。得到的最好结果是噪声等效功率NEP(500,10,1)=1.4×10^-11WHz^-1/2;探测率D^*(500,10,1)4.2×10^9cmHz^1/2W^-1;响应度Rv=1065V/W。 相似文献
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应用脉冲激光沉积法和光刻技术我们成功地制作Ag/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/YBa2Cu3O7-x(PZT/YBCO)三端器件.为了降低矫顽场,应用变形相界(x≈0.53)的550纳米厚的PZT作为门电极,通过优化沉积条件和门电极面积小型化(6×10-6cm2),在64K下三端器件门电极显示了极好的电性能,低的矫顽场(~37kV/cm)、大的饱和极化强度(60μC/cm2)、剩余极化强度(41μC/cm2)以及击穿电压~3×105V/cm.对于我们的场效应器件,在±9V的情况下沟道电阻被调制~3%. 相似文献
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MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带 总被引:2,自引:0,他引:2
本报道了用MOCVD静态和动态沉积两种工艺制备YBCO超导带的实验结果。以Y(TMHD)3、Ba(TMHD)2和Cu(TMHD)2为挥发源,O2气为反应剂,高纯Ar气为载流气体,在静止和以10-15cm/h带速移动的金属银基体上,制出了有强烈c-轴取向的YBCO超导带。静态沉积样品的Jc达到1.04×10^4A/cm^2,动态沉积样品的Jc达到1.4×10^4A/cm^2(78K,0T)。对改… 相似文献
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本给出了具有高密度孪晶界c取向YBa2Cu3O7-x外延薄膜存在涡旋玻璃转变及很好的标度行为的实验证据,在有a方向昌粒或45°晶界的GdBa2Cu3O7-x外延薄膜中存在涡旋玻璃转变但在转变温度附近观察到磁通蠕动和热激活磁通流的某些特征。 相似文献
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