包钴型r-Fe2O3磁粉各向异性研究

包钴型γ-Fe₂O₃磁粉的矫顽力可比原γ-Fe₂O₃磁粉提高8000—32000A/m。木文研究探讨了两种包钴型γ-Fe₂O₃磁粉(包钴γ-Fe₂O₃和包钴包亚铁γ-Fe₂O₃)的单轴各向异性的起源和矫顽力增大的机制。包钴γ-Fe₂O₃磁粉矫顽力 关键词：     

包钴铁氧体型γ-Fe2O3磁粉穆斯堡尔效应的研究

包钴铁氧体型,γ-Fe₂O₃磁粉(简记为CoFe-γ-Fe₂O₃)是针状γ-Fe₂O₃磁粉与Co⁺⁺和Fe⁺⁺溶液起反应,在每个针状颗粒上包覆了一层钴铁氧体固溶体。经此种方法处理后的γ-Fe₂O₃磁粉的矫顽力及其它磁特性有较大的提高。如矫顽力由原来415Oe增加到715Oe;剩磁和矫顽力随时间及温度变化小等。我们利用穆斯堡尔效应并配合其它研究手段进行了研究,认为:CoFe-γ-Fe₂O₃磁粉矫顽力的提高,主要是由于γ-Fe₂O₃磁粉表面包覆了一层钴铁氧体固溶体,γ-Fe₂O₃与钴铁氧体固溶体之间发生磁耦合作用之故。 关键词：     

用于α-Al2O3分子动力学模拟的长程Finnis-Sinclair势函数

用金属势函数描述氧化物是实现金属-氧化物界面分子动力学模拟的关键.基于此,通过拟合α-Al₂O₃的晶格能、晶格常数、弹性常数,获得了一套用于描述α-Al₂O₃的长程Finnis-Sinclair（F-S）势.通过与已报道的描述α-Al₂O₃的EAM势、Glue势和modified Matsui（m-Matsui）势的比较,结果达到或优于前人的结果.进而,在300 K的温度下对 关键词： 长程F-S势 2O₃')" href="#">α-Al₂O₃ 2O₃界面')" href="#">Fe-Al₂O₃界面 2O₃界面')" href="#">Al-Al₂O₃界面     

CeO2/Nb2O5界面效应对提高CeO2氧敏特性的XPS研究

用射频/直流磁控溅射法制备了CeO₂/Nb₂O₅双层氧敏薄膜，利用X射线光电子能谱(XPS)，描述并解释了单层CeO₂薄膜中氧随温度变化的动力学行为，以及CeO₂/Nb₂O₅薄膜界面对氧敏特性的影响.通过对Ce3d XPS谱的高斯拟合，计算了Ce³⁺浓度并给出了判定Ce⁴⁺还原的标志.结果表明，界面效应可以提高CeO₂/Nb₂O₅薄膜中Ce⁴⁺的还原能力，使之远远高于单层CeO₂薄膜，这对薄膜的氧敏特性是极为有利的. 关键词：     

Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性

在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的基础上 ，制备了Ag/Bi₄Ti₃O₁₂栅n沟道铁电场效应晶体管. 研 究了Si基Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/ 硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明，在合理的工艺条件下可以获 得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi₄Ti₃O₁₂ 铁电薄膜并有利于改善Bi₄Ti₃O₁₂/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi₄Ti₃O_{12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(I< sub>sd}-V_G)特性曲线显示Ag/Bi₄Ti₃O_{12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应. 关键词： 铁电场效应晶体管 4}Ti₃O₁₂')" href="#">Bi₄Ti₃O₁₂ 存储 特性 溶胶-凝胶工艺     

包钴对α-Fe2O3粉末Morin相变的影响

用穆斯堡尔谱,磁性测量,中子衍射和X射线光电子能谱(XPS)等方法对纯的和包钴α-Fe₂O₃粉末Morin相变的影响以及有关性质进行了研究,发现包钴会使α-Fe₂O₃的Morin温度降低,相变温度的区域扩大,矫顽力明显增大,3d能带变化,假设包钴可使α-Fe₂O₃的单离子各向异性常数K_FS下降来解释上述实验结果。 关键词：     

Ce3+掺杂SiO2-Al2O3-Gd2O3玻璃的闪烁性能

通常, Ce离子掺杂的低密度玻璃有较高的发光效率, 而高密度的Ce离子掺杂玻璃其发光效率很低. 为了解释这一现象, 采用高温熔融法获得了SiO₂-Al₂O₃-Gd₂O₃三元系统的玻璃形成区, 并在还原气氛下制备了Ce³⁺掺杂SiO₂-Al₂O₃-Gd₂O₃以及SiO₂-Al₂O₃-Gd₂O₃-Ln₂O₃ (Ln=Y, La, Lu)闪烁玻璃, 研究了其光谱和闪烁性能. 测试结果显示: 随着Gd₂O₃含量增加, 玻璃紫外截止波长发生红移, 荧光强度降低, 衰减时间缩短; 加入Lu₂O₃, La₂O₃, Y₂O₃后, 紫外截止波长发生红移, 荧光强度降低, 衰减时间变短; 当Gd₂O₃超过10% mol时, X射线荧光积分光产额从相当于锗酸铋 晶体的61%降低到13%. 荧光强度降低、衰减时间缩短的原因是随着玻璃的紫外截止波长红移玻璃的能带宽度变窄, 使得Ce³⁺离子的d电子轨道开始接近玻璃的导带, Ce³⁺离子受辐射后跃迁到d电子轨道的电子会通过导带与玻璃中的空穴复合, 产生电荷迁移猝灭效应.     

Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

在研制AlGaN/GaN HEMT器件的基础上,采用ALD法制备了Al₂O₃ AlGaN/GaN MOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al₂O₃薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现：所制备的Al₂O₃薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小,因而MOSHEMT器件呈现出较 关键词： 2O₃')" href="#">Al₂O₃ ALD GaN MOSHEMT     

BaO-Li2O-B2O3三元系中BaB2O4-Li2B2O4和BaB2O4-Li2O截面相平衡关系的研究

本文用X射线和差热分析方法对BaO-Li₂O-B₂O₃三元系中的两个截面:BaB₂O₄-Li₂B₂O₄和BaB₂O₄-Li₂O作了研究。在BaB₂O₄-Li₂B₂O₄赝二元系中发现了一个新的化合物4BaB₂O₄·Li₂B₂O₄。化合物在930±3℃由包晶反应形成,并与Li₂B₂O₄形成共晶反应。共晶温度为797±3℃,共晶点组分为79mol％Li₂B₂O₄。在BaB₂O₄-Li₂O截面中也存在化合物4BaB₂O₄·Li₂B₂O₄,其包晶反应温度从930±3℃随Li₂O含量增加下降到908±3℃。在组分60mol％Li₂O处形成另一个新的化合物2BaB₂O₄·3Li₂O。该化合物在630±3℃也是由包晶反应形成,并与Li₂O和Li₂CO₃分别形成共晶反应,共晶温度分别为400±3℃和612±3℃。在BaB₂O₄-Li₂B₂O₄和BaB₂O₄-Li₂O体系中都没有观察到固溶体。用计算机程序分别对化合物4BaB₂O₄·Li₂B₂O₄和2BaB₂O₄·3Li₂O的X射线粉末衍射图案进行了指标化,其结果:4BaB₂O₄·Li₂B₂O₄的空间群为Pmma,a=13.033?,b=14.630?,c=4.247?,每个单胞包含两个化合式单位;2BaB₂O₄·3Li₂O的空间群为Pmmm,a=4.814?,b=9.897?,c=11.523?,每个单胞也含有两个化合式单位。 关键词：     

Y2O3·Cr2O3复合氧化物热力学性质的研究

在1182—1386K温度范围内,用固体电解质氧浓差电池:Mo|Cr,Y₂O₃,Y₂O₃·Cr₂O₃|ZrO₂(+MgO)|Cr,Cr₂O₃|Mo测定了复合氧化物Y₂O₃·Cr₂O₃的热力学性质。对于反应Y_{2关键词：}     

γ-Fe2O3中的氢含量

利用热中子透射法测定γ-Fe₂O₃的氢含量。利用差热分析、磁分析以及穆斯堡尔效应研究γ-Fe₂O₃的相变,实验结果表明在γ-Fe₂O₃结构中确实含有一定量的氢,当γ-Fe₂O₃结构中的阳离子空位被H¹⁺,Co²⁺,Si⁴⁺,P⁵⁺等离子占据时,将 关键词：     

非晶态离子导体Li2B2O4的核磁共振研究

本文报道了非晶态离子导体Li₂B₂O₄的⁷Li核磁共振研究。测量了⁷Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li₂B₂O₄的晶态、非晶态和部分晶化样品的⁷Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的⁷Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al₂O₃)的⁷Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl进行了⁷Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。 关键词：     

Si-Al2O3复合薄膜的室温铁磁性

在Si-Al₂O₃复合薄膜中观察到室温铁磁性.Si的体积百分比为15 %的Si-Al₂O₃复合薄膜的磁性最强.Si的含量影响样品的磁有序,在样品中观察到了明显的磁畴.在不同气氛下,对样品进行快速热退火.退火样品的磁性测试结果的差别表明氧空位不是样品铁磁性的主要来源.我们认为铁磁性来源于Si与Al₂O₃基质界面之间的缺陷的磁耦合.改变Si的含量可以改变缺陷密度,从而控制铁磁耦合强度. 关键词： 2O₃薄膜')" href="#">Al₂O₃薄膜 室温铁磁性 掺杂 交换相互作用     

非晶锂离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3晶化初期的核磁共振研究

通过真空密封热处理、避免了样品晶化后吸水引起的误差,采用脉冲法在293K和77K测量了晶化过程初期三种非晶锂离子导体B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl-xAl₂O₃(x=0.15,0.10和0.05)的⁷Li核磁共振谱。发现在低温(77K)只有固相锂离子对应的自旋-自旋弛豫时间T₂=87μs,严格按高斯函数衰减。在室温下固相锂离子对应的T_2s=127μs,仍是高斯型;但液相锂离子对应的T₂却按洛仑兹函数衰减。这反映出锂离子导体的固-液二相性。三种非晶B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl-xAl₂O₃(x=0.15,0.10和0.05)分别在热处理温度401,388和381℃附近,其液相锂离子对应的T_2l都剧增,其吸收谱线宽都变窄。由此再次验证了非晶母体与微晶之间的两相界面效应的物理图象。 关键词：     

Y2O3-Eu2O3-SnO2三元系固相线下相关系及其发光性质研究

采用固态反应法及改良固态反应法合成了一系列Y₂O₃-Eu₂O₃-SnO₂体系中的试样，利用X射线粉末衍射法测定了Y₂O₃-Eu₂O₃-SnO₂三元系固相线下的相关系.结果表明，Y₂O₃-Eu₂O₃二元系 关键词： 2O₃-Eu₂O₃-SnO₂三元系')" href="#">Y₂O₃-Eu₂O₃-SnO₂三元系 烧绿石型结构 激发光谱 发射光谱     

In2O3纳米微粒非线性光学特性

用Z扫描技术研究了In₂O₃纳米微粒有机溶胶和水溶胶的三阶非线性光学特性,发现表面修饰能明显提高In₂O₃纳米微粒的非线性响应.讨论了表面偶极效应对In₂O₃纳米微粒非线性的影响. 关键词：     

超细颗粒γ-Fe2O3微粉包钴前后的各向异性

本工作利用穆斯堡尔谱并配合其它研究手段,测量了超细γ-Fe₂O₃微粉在包钴和不包钴两种情况下的各向异性常数K;观察到前者比后者的各向异性常数K增加30％左右。对普通针状包钴型γ-Fe₂O₃磁粉矫顽力增大的原因提供了进一步的说明。 关键词：     

P2O5—Li2O—LiCl-Al2O3系统非晶态离子导体与金属电极间界面阻抗的色散关系

本文研究了非晶态锂离子导体29.6P₂O₅-44.4Li₂O-26.0LiCl和36.3P₂O₅-44.4Li₂O-15.1LiCl-4.2Al₂O₃的阻抗谱,给出了测量盒系统的等效电路,得出了界面阻抗的色散关系。在一定条件下,此界面阻抗过渡到恒相角阻抗。 关键词：     

TiN/Al2O3纳米多层膜的共格外延生长及超硬效应

采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al₂O₃调制层厚度的TiN/Al₂O₃纳米多层膜. 利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能. 研究结果表明，在TiN/Al₂O₃纳米多层膜中，单层膜时以非晶态存在的Al₂O₃层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化，并与TiN层形成共格外延生长，相应地，多层膜产生硬度明显升高的超硬效应，最高硬度可达37.9 GPa. 进一步增加多层膜中Al₂O₃调制层的层厚度，Al₂O₃层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长，使得多层膜的硬度逐步降低. 关键词： 2O₃纳米多层膜')" href="#">TiN/Al₂O₃纳米多层膜 外延生长 非晶晶化 超硬效应     

Li2O-(LiCl)2-B2O3-Al2O3系统玻璃的Raman光谱研究

我们用Raman光谱研究了Li₂O(LiCl)₂B₂O₃-Al₂O₃系玻璃的结构,着重研究了Al₂O₃的影响。对于Li₂O-B₂O₃系玻璃,Li₂O含量增加使玻璃中存在的BO₃三角体转变为BO₄四面体, 关键词：