非晶态离子导体Li_2B_2O_4的核磁共振研究

本文报道了非晶态离子导体Li_2B_2O_4的~7Li核磁共振研究。测量了~7Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li_2B_2O_4的晶态、非晶态和部分晶化样品的~7Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的~7Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al_2O_3)的~7Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl进行了~7Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。     

非晶态离子导体Li2B2O4的核磁共振研究

本文报道了非晶态离子导体Li₂B₂O₄的⁷Li核磁共振研究。测量了⁷Li核磁共振谱与温度的关系。实验中发现,Li₂B₂O₄的晶态、非晶态和部分晶化样品的⁷Li核磁共振谱有很大的不同,且在部分晶化样品的⁷Li核磁共振谱上有附加的小峰,它与LiCl(Al₂O₃)的⁷Li核磁共振谱上附加的小峰相类似。我们也对非晶态离子导体B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl进行了⁷Li核磁共振研究,其结果与上面的类似。研究结果表明,它们都起因于非晶母体与微晶的界面效应。 关键词：     

Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)固溶体离子导体~7Li的NMR研究

在150—573K温度范围内,研究了固溶体Li_3VO_4-Li_4TO_4(T=Ge,Si)系统不同成分的~7Li的NMR谱。发现γ_(II)相固溶体室温~7Li的NMR线宽和自旋晶格弛豫时间T_1的值都比Li_4GeO_4,Li_4SiO_4和Li_3VO_4小约一个数量级。这表明在γ_(II)相固溶体离子导体中,Li~+离子运动有可能比固溶前有数量级增长。同时还发现~7Li的电四极分裂伴线数随成分和温度而异,以及伴线强度百分比依赖于温度。这反映γ_(II)相的不同成分中,间隙Li~+离子占有的不等价位置个数不同,而Li~+离子在每个不等价位置上的占有率又随温度而变化。     

非晶态离子导体Li2B2O4晶化前期的离子导电性

本文研究了非晶态离子导体Li₂B₂O₄的离子电导率与温度的关系,特别着重于晶化前期的离子迁移特性。当温度低于T_K(≈310℃)时,离子电导率遵从Arrhenius关系。当高于晶化温度(≈411℃)时,以晶态中的离子迁移为主。在T_kc时,电导率偏离热激活机制呈反常增高。我们把这一过程称为晶化前期过程。可以用自由体积模型进行描述。晶化前期又可分为两部分:当温度低于、T_p(≈380℃)时,由于自由体积的重新分布,导致了电导率的增高;当T>T_p时,出现了少量微晶,但晶化量小于5%,由于非晶母体与微晶之间的界面效应使得离子导电性显著增强。可以通过室温淬火,把晶化前期非晶态的状态保持到室温,从而有可能制备出离子电导率高于纯非晶态的材料。 关键词：     

B_2S_3-Li_2S-LiI玻璃态离子电导率

B_2S_3-Li_2S-LiI 体系玻璃态在常温下锂离子电导率高达1.7×10~(-3)(?)~(-1)cm~(?),它是一种很有希望的二次锂电池的固体电解质。本文作者成功地制备出这类玻璃,并对影响离子电导率的因素进行了研究。     

多晶Li3+xV1-xTxO4(T=Ge,Si)离子导电性能的改善

本文用阻抗谱方法研究了Li_3+xV_1-xT_xO₄(T=Si,Ge)多晶的离子导电性,发现一些工艺条件如成型压强、烧结时间和烧结程序对电导率有很大影响。注意分析了这些影响的物理起因。最佳工艺条件是:在大约8t/cm²压强下成型样品。在1000℃连续烧结5至6天,烧结过程中,应尽量避免温度波动。在此条件下制备的Li_3.5V_0.5Ge_0.5关键词：     

导模法生长铌酸锶钠锂单晶并验证相图

引 言 铌酸锶钠锂(简称 SNL) 单晶是5+1型的钨青铜结构的铁电体[1],由于它具有半波电压低、温度系数小的特性[2],近年来一直受到人们的重视.已经用提拉法生长了这种晶体[3]并测试了它的物理特性[4],证明温度系数对晶体中的锂含量是敏感的,增加晶体中的锂含量可使温度系数在较宽的温度范围内近似为零.用提拉法生长时,锂的分凝系数远小于1[3],而用导模法生长时能改善分凝系数[5],使晶体中的锂含量比用提拉法生长时有显著增加,从而可进一步改善晶体的温度系数.另外,采用导模法生长时固液界面高度是不变的,晶体不转动,因而熔体热对流的影响可…     

Li4SiO4-Li3VO4赝二元系和Li4GeO4-Li4SiO4-Li3VO4赝三元系中新的锂离子导体

本文在室温到300℃的温度范围内研究了Li₄SiO₄-Li₃VO₄和Li₄GeO₄-Li₄SiO₄-Li₃VO₄体系中的离子导电性,发现γ_II相固溶体Li_3+xV_1-xSi_xO₄是好的锂离子导体。所研究的成分中Li_3.3V_0.7Si_0.3O₄的离子电导率最高,室温下为1×10^-5Ω^-1·cm^-1,在42—192℃的电导激活能为0.36eV,电子电导率可以忽略,因而这是迄今所发现的最好的锂离子导体之一。粗略确定了Li₄GeO₄-Li₄SiO₄-Li₃VO₄三元系中电导率高的范围,发现在Li_3.5V_0.5Ge_0.5O₄中Si部分取代Ge可以使电导率进一步提高,Li_3.5V_0.5Ge_0.4Si_0.1O₄的室温电导率可达1.3×10^-5Ω^-1·cm^-1,电导激活能为0.40eV。 关键词：     

Li_4SiO_4-Li_3VO_4赝二元系和Li_4GeO_4-Li_4SiO_4-Li_3VO_4赝三元系中新的锂离子导体

本文在室温到300℃的温度范围内研究了Li_4SiO_4-Li_3VO_4和Li_4GeO_4-Li_4SiO_4-Li_3VO_4体系中的离子导电性,发现γ_(II)相固溶体Li_(3 x)V_(1-x)Si_xO_4是好的锂离子导体。所研究的成分中Li_(3.3)V_(0.7)Si_(0.3)O_4的离子电导率最高,室温下为1×10~(-5)Q~(-1)·cm~(-1),在42—192℃的电导激活能为0.36eV,电子电导率可以忽略,因而这是迄今所发现的最好的锂离子导体之一。粗略确定了Li_4GeO_4-Li_4SiO_4-Li_3VO_4三元系中电导率高的范围,发现在Li_(3.5)V_(0.5)Ge_(0.5)O_4中Si部分取代Ge可以使电导率进一步提高,Li_(3.5)V_(0.5)Ge_(0.4)Si_(0.1)O_4的室温电导率可达1.3×10~(-5)Q~(-1)·cm~(-1),电导激活能为0.40eV。     

一种好的锂离子导体

近年来,探索锂的快离子导体的工作,虽然一直在努力进行,但并未取得突破性进展.自从发现LISICON以来。人们对固溶体锂离子导体发生了浓厚兴趣.我们的研究表明,LISICON是由于Zn械GeO4溶入Li4GeO4后而形成的固溶体,它把Li4GeO4的高温相稳定到了室温[1].最近据文献[2]报道,适量的 L