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为了阐明Co原子在钼硫化态催化剂表面上的助催化作用,本文利用UPS,XPS和LEED,研究了Co-Mo催化剂活性相的层状硫化物半导体MoS_2单晶边缘面区域的成分较高的表面以及离子溅射解理面上过渡金属Co的亚原子单层淀积过程。在覆盖度为某个亚原子单层时,表面上存在的与淀积上去的Co有关的界面态,改变了E_F能级的钉扎位置(提高了0.30—0.35eV),使表面势垒下降,表面功函数减小。在E_F附近电子结构的明显变化和LEED研究的结果表明,在MoS_2表面的无序缺陷位置上,可能形成了有利于催化过程的Co-Mo-S类合金键型的活性相。 相似文献
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Highly c-axis oriented MgB2 thin films with Tc^onset of 39.6K were fabricated by magnesium diffusing into pulsedlaser-deposited boron precursors.The estimation of critical current density Jc,using hysteresis loops and the Bean model,has given the value of 10^7A/cm^2(15K,0T),which is one of the highest values ever reported.The x-ray photoemission study of the MgB2 thin films has revealed that the binding energies of Mg 2p and B 1s are at 49.4eV and 186.9eV,which are close to those of metallic Mg and transition-metal diborides,respectively. 相似文献
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本文用UPS,XPS研究了贮氢材料MlNi5(Ml=La,Ce,Pr,Nd)的CO,O2和H2O的中毒,在UPS谱中,我们观察到在EF以下峰α(0.3eV)和峰b(1.2eV)强度随中毒气体暴露量增加有显著变化,并向低动能端位移,逐渐形成肩峰,与此同时,峰c(6eV)和峰d(9.5eV)的强度随暴露量增加而增加,并有能量位移,配合XPS分析,分别确定相应的化学态。氧中毒后的MlNi5,经300℃加氢还原,从UPS谱可以看到峰α,b强度增加;H2O和CO中毒后,在超高真空条件下,分别经300℃加热处理,和Ar+剥离方法,均获得类似的效果,XPS分析进一步证实了这些结果。实验给出了贮氢材料MlNi5中过渡金属镍的d电子与气体自由分子轨道间电荷转移的信息,为在实际应用中认识此类贮氢合金的表面催化中毒和再生提供了依据。
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