Pb(Zr0.52Ti0.48)O3陶瓷畴界粘滞运动的介电损耗模拟

对不同频率下(1—10kHz)Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃多晶陶瓷的介电性能的测量表明：在接近铁电相变温度T_c以下存在一介电损耗峰,该峰具有弛豫特征但不满足Arrhenius关系．这一损耗峰被认为是由于畴界与晶格、缺陷钉扎的互作用引起的．用畴界粘滞运动的动力学方程,考虑陶瓷样品中T_c离散分布的情况,模拟了该介电损耗峰在不同频率下的行为,得到了与实验数据一致的结果．并由拟合参数计算了畴界运动     

Tb2Fe17-xSix单晶磁性和窄畴壁的研究

在 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ 化合物中用 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 观察到晶格参数减小和居里温度升高．平均场理论分析指出, Ｓｉ 对 Ｆｅ 的替代使 Ｆｅ Ｆｅ 间的交换作用明显增强、 Ｔｂ Ｆｅ 间交换作用轻微地减弱．通过拟合 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ － ｘ Ｓｉｘ（ ｘ ＝ ００ ,１０ ,２０ ,３０ ,３３） 单晶的磁化曲线,得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数．在 Ｔｂ２（ Ｆｅ , Ｓｉ）１７ 单晶的磁化和退磁过程中,观察到 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 时引起低温下的本征窄畴壁钉扎和矫顽力增强．计及三个各向异性常数的计算以及用 Ｅｇａｍｉ 热激发模型和 Ｈｃ 与 Ｔ 的经验关系,对畴壁能和畴壁厚度的计算都证明了 Ｓｉ 的替代导致了窄畴壁的存在,分析了它们随成分和温度变化的规律．     

四方相钛酸锶钡陶瓷中介电损耗频率响应的分岔现象

在空冷的四方相钛酸锶钡陶瓷中观测到介电损耗-温度关系对测量频率依赖关系的分岔现象.即高频测量时,出现单一的损耗峰,随着测量频率的降低,单一的损耗峰分裂成两个损耗峰,该现象只在升温时出现.内耗在相应温区亦在升温时出现两个相变型内耗峰.由于该温区内的畴界运动不可能引起相变,该相变分岔现象可能是温度变化时,空冷样品中氧缺位组态变化所致.     

四方相钛酸锶钡陶瓷中介电损耗频率响应的分岔现象

在空冷的四方相钛酸锶钡陶瓷中观测到介电损耗-温度关系对测量频率依赖关系的分岔现象。即高频测量时，出现单一的损耗峰，随着测量频率的降低，单一的损耗峰分裂成两个损耗峰，该现象只在升温时出现。内耗在相应温区亦在升温时出现两个相变型内耗峰。由于该温区内的畴界运动不可能引起相变，该相变分岔现象可能是温度变化时，空冷样品中氧缺位组态变化所致。     

T1系1223相超导体的不可逆线

研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的不可逆场Ｈ（Ｔ），并与Ｙ系Ｂｉ系和Ｔｌ１２１２相超导体作了比较。实验表明，在７７Ｋ下Ｔｌ１２２３相的不可逆场高达５Ｔ。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Ｂｉ系超导体和Ｔｌ１２１２相导体强得多，并对此作了讨论，由磁滞回线估计的磁化电密度Ｊｃ在７７Ｋ和２Ｔ磁场下大于１４＾４／ｃｍ＾２。     

Pb_(0.85)Ca_(0.15)TiO_3纳米晶铁电—顺电相变的拉曼光谱研究

采用变温ＦＴ Ｒａｍａｎ技术测定了三种粒径Ｐｂ０．８５Ｃａ０．１５ＴｉＯ３纳米晶的居里温度。１７８９ｎｍ、２５．６９ｎｍ、和３６２５ｎｍ粒子的Ｔｃ分别为２７４℃,２６５℃,２９４℃。认为尺寸效应和掺杂引起的缺陷均对Ｔｃ产生影响。掺杂及焙烧不充分引起的晶体缺陷使居里点弥散。Ｅ（１ＴＯ）软模具有弱阻尼特征     

Re掺杂对Hg系超导体U-J关系的影响

本文研究了Ｈｇ０．７Ｃｒ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ,ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ２．９Ｒｅ０．１Ｏｙ,ＨｇＳｒ２Ｃａ３Ｃｕ３．８Ｒｅ０．２Ｏｙ的磁性,发现Ｒｅ的掺入会改变ＵＪ关系．由驰豫测量结果分析得到Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３,Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４具有对数钉扎势Ｕ＝Ｕ０Ｈ－ｎｌｎ（Ｊｃ０／Ｊ）,其中对Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３在２０Ｋ～６０Ｋ范围里Ｕ０和Ｊｃ０近似与温度无关;对Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４,Ｕ０和Ｊｃ０与磁场和温度有关．而Ｈｇ１２２３具有幂次方钉扎势Ｕ＝Ｕ０（Ｊｃ０／Ｊ）μ．另外,由磁化曲线Ｍ（Ｈ）的测量得到临界电流密度随磁场的变化关系．结果表明Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３在２０Ｋ～９０Ｋ、Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４在２０Ｋ～７０Ｋ的温度范围内,临界电流密度随磁场的变化关系均可以用由对数钉扎势得出的Ｊｃ（Ｈ）关系很好地描述．我们认为Ｒｅ掺入引起的体系的各向异性的减小和岛状钉扎中心,使得材料钉扎能力增强并引起ＵＪ关系的变化     

磁膜畴壁蠕移的频率特性

本文叙述难向交变场频率（５０ｃ／ｓ－２００ Ｍｃ／ｓ）对坡莫会金磁膜中畴壁蠕移的影响（即蠕移频谱）的实验结果．实验发现蠕移频谱上有三个峰出现,即１１０－１４０ Ｍｃ／ｓ的高频峰,３０－４０Ｍｃ／ｓ的中频峰和 １００ ｋｃ／ｓ的低频峰．并测定了磁膜厚度、难向直流偏场对蠕移频谱的影响．对壁线运动和与之伴随产生的暂态逸散场的初浅的理论分析表明：（１）壁线运动的暂态逸散场是导致畴壁蠕移的一个原因;（２）壁线运动有共振特征,蠕移频谱上的高频峰和中频峰的出现分别是９０°线（或Ｎｅｅｌ线）和Ｂｌｏｃｈ线共振的反映;（３）低频下的蠕移不是壁线运动的暂态逸散场引起,而可能是由Ｎｅｅｌ壁段的某种作用所导致．     

磁通钉扎液体的动力学特性

依据Ｍａｌｏｚｅｍｏｆｆ和Ｇｒｉｅｓｓｅｎ等建议的表征高温超导体有效钉扎势的唯象表式Ｕ（Ｔ,Ｂ,Ｊ）＝Ｕｏ（Ｔ,Ｂ）／μ（Ｔ,Ｂ）［Ｊｃ（Ｔ,Ｂ）／Ｊ）＾μ（Ｔ,Ｂ）－１］和热激活涡旋运动模型,并通过ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜直流传输特性的测量结果,利用“函数唯一性”数据处理方法,研究了钉扎液体的玻璃态指数μ（Ｔ,Ｂ）随温度与外磁场的负值函数形式。以及钉扎势垒Ｕｏ（Ｔ,Ｂ）和Ｊｃ（Ｔ,Ｂ）随外场与     

Y＿（0．9）Eu＿（0．1）Ba＿2Cu＿3O＿（7－δ）中的磁通蠕动研究

在较宽的温度（４．２－８０Ｋ）和磁场（０－８Ｔ）范围内测量了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）和Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）Ｂａ＿２·Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的磁滞回线和磁弛豫，研究了其Ｍ（ｔ），Ｊ＿ｃ（Ｔ）和Ｕ＿（ｅｆ＿ｆ）（Ｊ）关系，并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明：（１）与ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）相比，Ｙ＿（０．９）Ｅｕ＿（０．１）·Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高，表明Ｅｕ的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心；（２）与其它模型相比，集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述，因而本文为这一理论提供了新的实验证据。     

LOW-FREQUENCY INTERNAL FRICTION STUDY FOR SrBi2Ta2O9 FERROELECTRIC CERAMICS

Low-frequency internal friction (IF) of SrBi₂Ta₂O₉(SBT) ceramics has been measured at temperatures ranging from 293 to 623 K. Two IF peaks, with their locations around 393 K (P1) and 569 K (P2) (f≈1.58 Hz), respectively, are observed. P1 is found to be associated with a relaxation process with activation energy of 0.97 eV and pre-exponential factor of 3.58×10^-14 s. Peak shape analyses reveal that P1 can be well described by a broadened Debye peak with the width parameter β from 2.70 to 2.92. The mechanism responsible for P1 is proposed to be relaxation of oxygen vacancies near domain walls(DWs). P2 is considered to arise from viscous motion of DWs since it shows characteristics of static hysteresis type. Comparisons for the IF behavior between SBT and Pb(Zr, Ti)O₃(PZT) suggest that in SBT oxygen vacancies are much less localized near DWs than that in PZT. This result provides a possible explanation for the weak DW pinning due to oxygen vacancies in SBT.     

ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下10⁵Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130—20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下10⁵Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi₂O₃二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi_{2关键词： ZnO压敏陶瓷 本征缺陷 介电谱 热处理}     

ZnO压敏陶瓷中的本征缺陷

研究了ZnO-Sb₂O₃-BaO系和ZnO-Bi₂O₃-Sb₂O₃-BaO系压敏陶瓷的介电损耗因子D(tanδ)与频率f的关系。发现不含Bi₂O₃试样在室温附近出现一新的损耗峰,峰值频率在2MHz左右,对应的电子陷阱能级为0.18eV,分析认为是由于本征缺陷Zn_i所致。设想Bi离子对Zn_i 关键词：     

锰掺杂对Ba(Zr,Ti)O3陶瓷压电与介电性能的影响

采用氧化物固相反应法制备了锰掺杂改性的Ba(Zr_0.06Ti_0.94)O₃陶瓷.研究了锰的掺杂量对Ba(Zr_0.06Ti_0.94)Mn_xO₃ (BZTM)陶瓷的结构、介电和压电性能的影响.实验发现,当锰含量x<0.5 mol%时进入晶格,使材料压电性能提高,损耗减小,表现出受主掺杂的特性;当锰含量x>0.5 mo 关键词： Ba(Zr 3 陶瓷')" href="#">Ti)O₃ 陶瓷 锰掺杂 介电性能 压电性能     

氧含量对BiFeOδ多晶陶瓷介电特性的影响

采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeO_δ多晶陶瓷样品，利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化，用正电子湮没寿命谱学的方法研究了样品中因氧含量的变化所引起的结构缺陷. 实验结果表明：引入氧空位和氧填隙离子缺陷都会使介电常数减小，而介电损耗则随氧含量的增加而增加，二者的变化范围均在10%—35%之间；对不同氧含量的BiFeO_δ样品，介电常数和介电损耗随测量频率的增加而减小. 氧空位的引入使得局域电子密度变小，正电子平均寿命τ_m增加. 在氧含量δ=2.99时电子密度最大(n_e=3.90×10²³/cm³)，继续增加氧含量对正电子寿命与局域电子密度的影响不大. BiFeO_δ样品的介电常数和介电损耗随氧含量的变化可以在空间电荷限制电导的框架下来理解.     

Diffuse ferroelectric phase transitions in cubically sabilized perovskites

Typical examples of ferroelectrics with diffuse phase transitions (relaxor ferroelectrics), like Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃ are actually non transforming. The paraelectric phase is fully stablized against a ferroelectric phase transition in this case. A phase transition can be induced, however, by an electric field with appropriate orientation below the temperature of the dielectric constant maximum. The analogy with stress-induced martensitic phase transitions in metallic alloys is pointed out. Pecularities of the properties and of the polarization reversal of such systems are demonstrated. Actual diffuse ferroelectric phase transitions in disordered solid solutions and mixed compounds with a partially stabilized parent phase are compared with athermal martensitic transformations. With particular regard to technical ceramics based on PZT, the influence of interfaces between transformed regions and remnants of the parent phase which have to distinguished from domain walls, and of the reduced stability of the ferroelectric phase on the properties of these systems is discussed. Some effects usually explained solely by domain processes may be understood also from this point of view.

Stabilization of a parent phase against an order-disorder-type phase transition is supposed to be caused by glass-like freezing caused by inelastic cooperative interactions between disordered molecular groups.     

孔隙率及晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理研究

采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷，并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明：孔隙率的增加降低了多孔PZT陶瓷的介电常数，提高了静水压优值，并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测；晶粒尺寸增加，多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加，并可用Okazaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷，当烧结温度为1300℃时，孔隙率为34%，d关键词： 多孔PZT陶瓷 静水压优值 压电性能 介电性能     

PZT-8型铁电压电陶瓷的低频介电特性

本文研究PZT-8型多晶锆钛酸铅铁电压电陶瓷,通过介电温度、频率响应谱的研究,对它的损耗机制、弛豫过程、杂质影响等作了讨论,认为,高温时主要是电导损耗起作用,并对如何改进PZT-8型铁电陶瓷的电学性能,提出了相应的设想。 关键词：     

Influence of isomorphous substitution of metal ion on the low-frequency dielectric dispersion in NH2(CH3)2Al1−xCrx(SO4)2⋅6H2O ferroelectrics

This paper is devoted to the study of the influence of metal ion isomorphous substitution on the ferroelastic-ferroelectric phase transition and dispersion caused by the motion of domain walls in dimethylammonium metal sulfate hexahydrate DMAAl_1?xCr_xS ferroelectric crystals (x = 0, 0.065, 0.2). It is shown that such a substitution significantly changes the phase transition temperature and parameters of the dielectric dispersion. These changes are explained in terms of interaction between the metal-hydrate complexes and DMA groups that carry the dipole moment and due to this they are responsible for the phase transitions and motion of the domain walls.