Si100P2.5（GaP）1.5中随机孔洞对热电性能的影响

纯硅由于原材料来源广、熔点高,是潜在的太阳能热发电用热电材料.它的热电绩效因子ZT很小,室温只有0.01.本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si₁₀₀P_2.5（GaP）_1.5,获得813℃时的ZT为0.47.本文在此基础上,通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si₁₀₀P_2.5（GaP）_1.5的ZT.结果表明:由于孔洞增加了对低能载流子的过滤,Seebeck系数得到了提高;又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射,晶格热导率大大降低,结果Si₁₀₀P_2.5（GaP）_1.5的ZT提高了32%.研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径.     

Structural transition of FeSe under high pressure

The density functional calculations of the energy band structure and density of state for the tetragonal PbO-type phase α-FeSe and hexagonal NiAs-type phase β-FeSe are reported in this paper.The structural phase transition from tetragonal to hexagonal FeSe under high pressure is investigated,it is found that the calculated transition pressure for the α→β phase transformation is 8.5 GPa.Some fluctuations in the transition pressure maybe occurred by different external factors such as temperature and stress condition.There is about 17% volume collapse accompanying the α→β phase transformation.     

Sm3+掺杂的SnNb2O6粉体的光谱特性

采用熔盐法制备了Sm³⁺掺杂的SnNb₂O₆粉体, 利用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜对其物相和形貌进行了表征, 用激发、发射光谱和荧光寿命对样品的发光性能进行了研究.结果表明:所得样品为单斜晶系的SnNb₂O₆, 在407 nm的激发下, 有较强的橙红色发射, 最强峰位于599 nm, 属于Sm³⁺的⁴G_5/2→⁶H_7/2跃迁.     

锰掺杂对Ba(Zr,Ti)O3陶瓷压电与介电性能的影响

采用氧化物固相反应法制备了锰掺杂改性的Ba(Zr_0.06Ti_0.94)O₃陶瓷.研究了锰的掺杂量对Ba(Zr_0.06Ti_0.94)Mn_xO₃ (BZTM)陶瓷的结构、介电和压电性能的影响.实验发现,当锰含量x<0.5 mol%时进入晶格,使材料压电性能提高,损耗减小,表现出受主掺杂的特性;当锰含量x>0.5 mo 关键词： Ba(Zr 3 陶瓷')" href="#">Ti)O₃ 陶瓷 锰掺杂 介电性能 压电性能     

水热法制备Eu3+掺杂β-Ga2O3粉体的结构及性能

采用水热法制备了Eu3+掺杂的β-Ga2O3粉体,利用X射线粉末衍射、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱和发光光谱等测试手段对其物相、形貌和发光性能等进行了研究.结果表明:所得样品为单斜晶系的β-Ga2O3;在波长为325 nm的He-Cd激光器激发下,发射光谱的最强峰位于612 nm,属于Eu3+的5 D0→7F2电偶极跃迁;在模拟太阳光照射下,样品对甲基橙具有较高的光催化降解率,经过2h后,甲基橙的降解率可达到75％.     

网状结构ZnO团聚物的制备和光致发光性能

通过对共沉淀方法制备的Zn(OH)2进行足够时间(70min)的超声处理制备了具有网状结构的ZnO纳米团聚(WLSZC)。采用高分辨率电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱等方法对所制备的样品进行表征。在WSLZC的网状结构中,观察到了每一条边由一个单晶组成的多边形网状结构。PL测试表明。所有制备的样品都具有469nm的发光峰。WSLZC的PL的强度比只有普通结构的纳米粉末ZnO要大8～14倍。在所有超声处理的样品中都能观察到四重分裂的“施主-受主“跃迁峰。这个峰是由于超声处理时残留的非共轴应力和自旋相互作用的结果。     

SilooP2．5（GaP）1．5中随机孔洞对热电性能的影响

纯硅由于原材料来源广、熔点高，是潜在的太阳能热发电用热电材料．它的热电绩效因子ZT很小，室温只有0．01．本研究小组通过掺杂和结构纳米化制备了Si100P25（GaP）1．5，获得813℃时的ZT为0．47．本文在此基础上，通过引入一种新的机制——随机孔洞——来进一步提高纯硅基材料Si100P2．5（GaP）1．5的ZT．结果表明：由于孔洞增加了对低能载流子的过滤，Seebeck系数得到了提高；又由于孔洞对主要携带热量的声子的散射，晶格热导率大大降低，结果Si100P2.5（GaPh5的ZT提高了32％．研究结果表明引入随机孔洞是增加纯硅基体系ZT的有效途径．     

MOCVD法在（220）CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究

采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在(220)CaF2衬底上外延生长ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光谱和光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的结构和光学性能进行了分析.XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜结晶性能良好,具有高度的(002)的择优取向,002衍射峰的半高宽(FMHM)为0.115°.所制备的ZnO薄膜透明,透过率超过85%.在常温的(He-Cd激光器)PL谱中,只有378.5 nm的带边发射.用同步辐射光源测试的真空紫外光谱中,在低温20K时,出现218 nm、368 nm、418 nm、554 nm发光峰,其中368 nm峰强度随着温度的升高强度逐渐下降,到常温时几乎消失.