一个钴晶体的各向异磁性

钴在400℃上下有一个相变;在低温的稳定相是六角密集的,在高温的稳定相是面心立方的。这个相变的详细程序常跟样品的状态,例如粉末、多晶体或单晶体而变化,所以它曾是不少研究工作的对象。不过在以往的工作中似乎没有见过两种相同时存在于一个在室温下的“单晶体”内的情况。最近我们测量了一个钴单晶体在不同温度下的各向异磁性而发现了一些新的现象。     

介紹“現代磁学”

物质磁性的研究已成了物理学和应用技术的一个重要领域。这一方面的专业书籍的译著近年来在我国正迅速地增加。但是,已出版的一些书都是磁学或磁性材料的个别分枝的专论,还没有一本鳥瞰整个磁学的物理基础的书。     

非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(78)Si_(9.5)B_(12.5)合金的X射线光电子能谱研究

本文报道非晶态(Fe_(1-x)Co_x)_(7)Si_(9.5)B_(12.5)合金的X射线光电子能谱的实验结果,分别给出了Fe,Co,Si,B元素的内层电子能级的结合能以及费密面态密度随Co含量的变化关系。     

磁芯记忆元件

记忆元件也叫存储元件,是电子数字计算机的主要部件之一——存储器——的基本元件。记忆元件有不少种,就其中利用磁性的一类来说,本文只将叙述具有矩形磁滞回线的记忆磁芯,因为它们还在发展中,所牵涉到的磁性的物理本质问题较多。其它如磁带、磁鼓、以及磁致伸缩延迟线等,因不牵涉什么新的物理问题,并且不用作快速电子计算机的内部存储,将略而不谈。     

非晶态(Fe1-xCox)78Si9.5B12.5合金的X射线光电子能谱研究

本文报道非晶态(Fe_1-xCo_x)₇₈Si_9.5B_12.5合金的X射线光电子能谱的实验结果,分别给出了Fe,Co,Si,B元素的内层电子能级的结合能以及费密面态密度随Co含量的变化关系。 关键词：     

各向同性铁磁物质之磁性

用冲击法量属於正方晶系之铁钴及镍钴合金并纯钴之多结晶体之磁化曲线与Gans氏各向同性铁磁物质磁性之理论相较知在强磁场时理论与实验之契合甚佳在弱磁场时则较差,弱磁场时之差异,可以Gans氏计算时略去磁化各元晶体於其易磁化方向至饱和度所需之自由能一点解释之改正此点后理论与实验之契合大体改善在数种合金且极佳。纯钴之磁化强度在各磁场下较之前人所得者均小,惟与理论之契合则较佳:此与前人不同之点既不能归诸本实验之误差,则此较少被注意之钴实需要更进一步之研究     

用磁分析法观察某些铁-镍-铝合金的脱溶过程

用热磁分析方法较仔细地观测了Fe-Ni-Al三元系合金沿β+β′两相区内某一结线上的几个不同成分的合金样品。淬火所得的成分接近Fe₂NiAl的过饱和固溶体在较高温度(～850℃)分解甚快,在一分钟内脱溶基本上完成。在850℃分出的β′相还含铁约35at.％,其居里点在400℃附近。在850℃经短时间回火继以水淬的合金,在600—700℃再经适当的回火,则首次回火所生成的β′相继续迅速分解,在不超过十分钟内损失大量的铁而变成非铁磁性的;其在室温的H_c可增到500奥斯特。这和Б.Г.Лившнц所提出的“继续脱溶”的假设相符。磁性观测的结果证明:β′相的继续脱溶是“可逆的”,就是说,把曾在600—700℃回火的合金重热至850℃时β′相能在几分钟内恢复850℃的平衡成分。Fe₂NiAl过饱和固溶体在较低温度(70O℃以下)分解极慢,并且其过程是明显地“不均匀”的。因此,这种合金不能通过高温淬火继以较低温度(600—700℃)回火的处理来获得高H_c的事实可以用单畴粒子的理论加以解释。     

磁膜畴壁蠕移的频率特性

本文叙述难向交变场频率（５０ｃ／ｓ－２００ Ｍｃ／ｓ）对坡莫会金磁膜中畴壁蠕移的影响（即蠕移频谱）的实验结果．实验发现蠕移频谱上有三个峰出现,即１１０－１４０ Ｍｃ／ｓ的高频峰,３０－４０Ｍｃ／ｓ的中频峰和 １００ ｋｃ／ｓ的低频峰．并测定了磁膜厚度、难向直流偏场对蠕移频谱的影响．对壁线运动和与之伴随产生的暂态逸散场的初浅的理论分析表明：（１）壁线运动的暂态逸散场是导致畴壁蠕移的一个原因;（２）壁线运动有共振特征,蠕移频谱上的高频峰和中频峰的出现分别是９０°线（或Ｎｅｅｌ线）和Ｂｌｏｃｈ线共振的反映;（３）低频下的蠕移不是壁线运动的暂态逸散场引起,而可能是由Ｎｅｅｌ壁段的某种作用所导致．