共查询到19条相似文献,搜索用时 242 毫秒
1.
本文由压电陶瓷中铁电畴极化取向的程度以及绝热条件下的压电方程组出发,推导出压电陶瓷振子谐振频率温度系数Tkf以晶格热膨胀系数、剩余极化强度等为变量的表达式。用“纯”Pb(ZrxTi1-x)O3(锆钛酸铅)的实验数据代入表达式计算,得到准同型相界附近组成的Tkf对Zr/Ti的关系曲线,与实验结果较好地符合。由本文的结论,成功地解释了极化工艺及热处理工艺对Tkf的影响,并讨论了改善压电陶瓷的频率温度稳定性的可能途径。 相似文献
2.
对不同频率下(1 —10 k Hz) Pb( Zr052 Ti048) O3 多晶陶瓷的介电性能的测量表明:在接近铁电相变温度 Tc 以下存在一介电损耗峰,该峰具有弛豫特征但不满足 Arrhenius 关系.这一损耗峰被认为是由于畴界与晶格、缺陷钉扎的互作用引起的.用畴界粘滞运动的动力学方程,考虑陶瓷样品中 Tc 离散分布的情况,模拟了该介电损耗峰在不同频率下的行为,得到了与实验数据一致的结果.并由拟合参数计算了畴界运动的粘滞系数和缺陷钉扎引起的回复力常量. 相似文献
3.
采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射(XRD)分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰(T≈170 K)起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰(T≈290 K)则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下(T≈230 K)存在明显的导电机制转变. 相似文献
4.
This paper presents systematically the doping effects of halogens in YBa2Cu3O7-δ polycrystalline samples, with a series of concentrations of fluorine, chlorine, bromine or iodine. All samples were prepared by chemical method of citrate pyrolysis, which makes the halogen concentration in the samples more uniform. Samples doped with F have Tc as high as 94.5K, Cl, Br and I dopings also raise Tc to a certain extent. In addition, the influence of halogen doping on critical current density, morphology, constitution and so forth is discussed. 相似文献
5.
本文简述了高Tc超导红外探测器的优越性、探测器工作原理以及热敏型高Tc红外探测器的研制方法和主要性能参数测试结果,并对光子型高Tc红外探测器的研制情况作了简单报道. 相似文献
6.
7.
8.
对Sm(CobalFe0.1Cu0.1Zr0.033)6.9合金, 经810℃等温时效后以0.5℃/min逐渐冷却, 在600℃-400℃温度区间淬火, 研究了不同淬火温度下的磁滞回线、磁畴和矫顽力温度系数β. 发现时效600℃淬火后磁滞回线出现台阶状, 说明畴壁中应存在两处钉扎. 随淬火温度的降低, 合金的室温矫顽力显著增加, 磁滞回线的台阶消失. 通过磁畴形貌发现时效600℃淬火后的磁畴接近条形畴, 1:5相中Cu分布相对均匀, 形成的畴壁钉扎较弱, 从而使磁滞回线出现台阶, 决定矫顽力的畴壁钉扎位于两相界面处; 随时效淬火温度的降低, 磁畴逐渐细化, 畴壁1:5相中的畴壁能降低, 形成了较强的内禀钉扎, 并决定材料的矫顽力, 两相界面处的畴壁钉扎被掩盖. 对不同温度淬火合金的高温矫顽力研究表明, 最强的畴壁钉扎位于两相界面处时, 矫顽力随温度升高逐渐增加, 矫顽力出现温度反常现象; 最强的畴壁钉扎位于1:5相中心时, 矫顽力随温度升高逐渐衰减. 当测试温度达到500℃后不同淬火温度样品的矫顽力几乎相同, 此时最强畴壁钉扎均在两相界面处. 相似文献
9.
本文基于最重要的"硬"产生机制,计算了Z0衰变产生Bc(或Bc)介子并伴有c(或c)和b(或b)两个重夸克喷注的产生率.指出在LEP上的下一次取数据中将产生出足够数目的Bc(或Bc)介子的性质成为可能. 相似文献
10.
利用BS方法讨论了ηc→VV(包括ηc→ρρ,KK,φφ)问题,着重分析了夸克的组份质量和横动量效应对衰变振幅的影响.发现ηc→VLVT被严格禁戒.夸克横动量对增加衰变率有明显效应,但即使考虑了这些因素,理论值仍然比实验值小. 相似文献
11.
Low-frequency internal friction (IF) of SrBi2Ta2O9(SBT) ceramics has been measured at temperatures ranging from 293 to 623 K. Two IF peaks, with their locations around 393 K (P1) and 569 K (P2) (f≈1.58 Hz), respectively, are observed. P1 is found to be associated with a relaxation process with activation energy of 0.97 eV and pre-exponential factor of 3.58×10-14 s. Peak shape analyses reveal that P1 can be well described by a broadened Debye peak with the width parameter β from 2.70 to 2.92. The mechanism responsible for P1 is proposed to be relaxation of oxygen vacancies near domain walls(DWs). P2 is considered to arise from viscous motion of DWs since it shows characteristics of static hysteresis type. Comparisons for the IF behavior between SBT and Pb(Zr, Ti)O3(PZT) suggest that in SBT oxygen vacancies are much less localized near DWs than that in PZT. This result provides a possible explanation for the weak DW pinning due to oxygen vacancies in SBT. 相似文献
12.
从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130—20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2关键词:
ZnO压敏陶瓷
本征缺陷
介电谱
热处理 相似文献
13.
14.
采用氧化物固相反应法制备了锰掺杂改性的Ba(Zr0.06Ti0.94)O3陶瓷.研究了锰的掺杂量对Ba(Zr0.06Ti0.94)MnxO3 (BZTM)陶瓷的结构、介电和压电性能的影响.实验发现,当锰含量x<0.5 mol%时进入晶格,使材料压电性能提高,损耗减小,表现出受主掺杂的特性;当锰含量x>0.5 mo
关键词:
Ba(Zr
3 陶瓷')" href="#">Ti)O3 陶瓷
锰掺杂
介电性能
压电性能 相似文献
15.
采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电子湮没寿命谱学的方法研究了样品中因氧含量的变化所引起的结构缺陷. 实验结果表明:引入氧空位和氧填隙离子缺陷都会使介电常数减小,而介电损耗则随氧含量的增加而增加,二者的变化范围均在10%—35%之间;对不同氧含量的BiFeOδ样品,介电常数和介电损耗随测量频率的增加而减小. 氧空位的引入使得局域电子密度变小,正电子平均寿命τm增加. 在氧含量δ=2.99时电子密度最大(ne=3.90×1023/cm3),继续增加氧含量对正电子寿命与局域电子密度的影响不大. BiFeOδ样品的介电常数和介电损耗随氧含量的变化可以在空间电荷限制电导的框架下来理解. 相似文献
16.
采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷,并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明:孔隙率的增加降低了多孔PZT陶瓷的介电常数,提高了静水压优值,并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测;晶粒尺寸增加,多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加,并可用Okazaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷,当烧结温度为1300℃时,孔隙率为34%,d关键词:
多孔PZT陶瓷
静水压优值
压电性能
介电性能 相似文献
17.
Günther Schmidt 《Phase Transitions》2013,86(3-4):127-162
Typical examples of ferroelectrics with diffuse phase transitions (relaxor ferroelectrics), like Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 are actually non transforming. The paraelectric phase is fully stablized against a ferroelectric phase transition in this case. A phase transition can be induced, however, by an electric field with appropriate orientation below the temperature of the dielectric constant maximum. The analogy with stress-induced martensitic phase transitions in metallic alloys is pointed out. Pecularities of the properties and of the polarization reversal of such systems are demonstrated. Actual diffuse ferroelectric phase transitions in disordered solid solutions and mixed compounds with a partially stabilized parent phase are compared with athermal martensitic transformations. With particular regard to technical ceramics based on PZT, the influence of interfaces between transformed regions and remnants of the parent phase which have to distinguished from domain walls, and of the reduced stability of the ferroelectric phase on the properties of these systems is discussed. Some effects usually explained solely by domain processes may be understood also from this point of view. Stabilization of a parent phase against an order-disorder-type phase transition is supposed to be caused by glass-like freezing caused by inelastic cooperative interactions between disordered molecular groups. 相似文献
18.
19.
利用传统的固相反应工艺,在不同的烧结温度下制备了一系列的CaCu3Ti4O12陶瓷样品,考察了其微观结构以及介电和复阻抗方面的电学性质.研究发现这些样品在微观结构方面可分为三种类型,高介电性与微观结构有着密切的关联性.室温下,样品的低频介电常数随陶瓷晶粒尺寸的增大而提高.随着测试温度的升高,不同微观结构类型的样品呈现出不同的电学性质的变化,但其中也存在着一些相同的特征.高温下,介电频谱呈现出一个低频介电响应和两个类Debye型弛豫色散,复阻抗谱呈现出三个Cole-Cole半圆弧.将实验上观测到的电学性质的起因归于陶瓷多晶微结构中的晶畴、晶界和晶粒内的缺陷.
关键词:
3Ti4O12')" href="#">CaCu3Ti4O12
微观结构
电学性质 相似文献