iC多型体X射线定量分析的Rietveld方法

鉴于SIC多型体的主要衍射线完全重叠，用常规X射线粉末衍射方法确定SiC陶瓷材料中多型体含量的分布是非常困难的．提出以X射线粉末衍射全谱拟合的Rietveld方法进行SiC多型体定量分析，阐述了原理及方法．对含3C，4H，6H和15R4种多型体衍射数据的定量分析结果表明：Rietveld方法可对SiC材料中常见多型体的定量分析给出准确的结果．还给出了各自的标准偏差，并估计了该方法对各多型体能给出精确结果的最低含量     

CaS：Bi粉末发光材料

制备了ＣａＳ：Ｂｉ粉末发光材料，用Ｘ射线衍射分析了材料的晶体结构，测量了其激发光谱，发射光谱和直流电致发光光谱，蓝色发光峰位于４５０ｎｍ。     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

硅铁中Si,Al,Ca,Mn,Cr,P和S元素的X射线荧光光谱分析

叙述了用ＡＲＬ８４８０型Ｘ射线荧光光谱仪测定硅铁中Ｓｉ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｐ和Ｓ元素的Ｘ射线荧光光谱分析方法。采用直接粉末压片法制样。分析结果与化学法结果相符。方法快速、准确、经济、简便，精密度很好。通常，结果是令人满意的     

Bi2222相单晶生长的相关问题研究

从名义组份Ｂｉ２．４Ｓｒ２ＰｒＣｕ２Ｏｙ生长出一种新的Ｂｉ２２２２相单晶，其实际组份测定为Ｂｉ２Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ．用Ｘ射线衍射对单晶的结构进行了表征，并且研究了该单晶生长中Ｂｉ２２０１和Ｂｉ２２１２相的交生等相关问题．另外，如果从名义组份为Ｂｉ２．４Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ出发，得到的却是Ｐｒ２ＣｕＯ４单晶．     

a－Si：H／a－SiC＿x：H超晶格的界面特性

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０￣（１１）ｃｍ￣（－２）。     

a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０^１１ｃｍ^-2。 关键词：     

CuSO4·5H2O在用KBr压片法制样时所发生的固相反应的研究

用Ｘ射线衍射法和ＦＴ－ＩＲ法研究了ＣｕＳＯ４·５Ｈ２Ｏ在用ＫＢｒ压片法制样过程中所发生的固相反应．主要产物为：Ｋ２Ｃｕ（ＳＯ４）２·６Ｈ２Ｏ和ＣｕＢｒ２。     

激光诱发SiH4＋CH4等离子体的发射光谱

本工作采用光学发射谱方法测量了ＴＥＡ ＣＯ２脉冲激光辐射ＳｉＨ４＋ＣＨ４系统产生的等离子体反应过程中的发射谱特性，探测到了Ｓｉ，Ｓｉ＾＋，Ｓｉ＾２＋，Ｃ，Ｃ＾＋，Ｃ＾２＋，ＣＨ，ＳｉＨ，ＳｉＨ＾＋，Ｓｉ２和Ｈ的特征辐射，研究了含Ｃ，Ｓｉ碎片粒子光谱随实验条件的变化规律，并讨论了反应条件对ＯＥＳ的影响。     

Hg对Bi系高温超导体织构生长的影响

用熔融织构工艺尝试制备的Ｂｉ系超导织构化样品并探索ＨｇＯ的加入对Ｂｉ系样品织构成形成的影响；结果发现，虽然样品（Ｂｉ，Ｐｂ）ＳｒＣａＣｕ的名义配比为２２２２３或２２３４，Ｘ射线衍射分析表明，所得织构样品均不为２２２３或２２３４相，而是２２１２相，原始样品的Ｈdisplay status     

RhXVI—InXX离子n=4Complex跃迁谱线和振子强度的计算

对类锌等电子序列ＺｎＩ－ＳｎＸＸＩ离子ｎ＝４Ｃｏｍｐｌｅｘ组态的能级结构和组态相互作用进行了理论分析。通过分析ＨＸＲ方法理论计算值与实验值之差ΔＥ随Ｚｃ的变化关系，找出了用于最小二乘拟合计算的半经验拟合方式，用此公式预测了ＣｄＸＩＸ－ＩｎＸＸ离子ｎ＝４Ｃｏｍｐｌｅｘ中至今还没有实验值的部分能级。给出了４ｓ＾２－４ｓ４ｐ，４ｓ４ｐ－４ｓ４ｄ跃迁波长和相应的ＨＸＲ方法计算的振子强度，同时也对预测能级值     

Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy的氟掺杂效应

用Ｘ－射线粉末衍射、交流磁化率和差分比热研究了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的氟掺杂效应。在Ｂｉ２２２３样品中氟替代后产生的是体超导而不是丝状超导。由于氟掺杂，样品的超导转变温度升高而晶格参量ｃ减小。比热反常的幅度没有因氟掺杂而减小，说明氟没有占据Ｃｕ－Ｏ２面中氧的位置。它们可能占据Ｃｕ－Ｏ２面之间的其它原子层的位置，这样，会改善Ｃｕ－Ｏ２面间的藕合进而提高Ｔｃ和保持比热反常幅度。     

研究固体微结构的X射线粉末衍射全谱图拟合方法

Ｘ射线粉末衍射全谱图拟合的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法是一种有效的晶体结构和微结构的分析方法。本文介绍了Ｘ射线粉末衍射全谱图拟合的Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法的基本原理，综述了该方法中的线形分析、校正及其在晶体结构分析、微结构分析、相定量分析和衍射图谱指标化等方面应用的最新进展。文章最后介绍了在实验方案选取方面的新概念     

溶胶—凝胶法制备CdS微晶掺杂TiO2／SiO2薄膜及其非线性光学特性

采用溶胶－凝胶方法在普通的载玻片上制备了ＣｄＳ微晶掺杂的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料，比较了两种硫化剂：硫尿和硫代乙酰氨的硫化作用。Ｘ射线衍射谱和拉曼光谱揭示了ＣｄＳ微晶镶嵌在ＴｉＯ２／ＳｉＯ２薄膜的玻璃网络中。不同热处理温度、不同热处理时间的吸收光谱表明薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Ｚ扫描技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率ｎ２＝－４．６７×１０－７ｅｓｕ。     

透明莫来石陶瓷薄膜的光电子能谱研究

采用溶胶－凝胶工艺合成了莫来石透明陶瓷薄膜。用Ｘ射线光电子能谱分析技术，通过Ｏ１ｓＡｌ２ｐ太Ｓｉ２ｐ的Ｘ射线光电子能谱分析，探讨了透明膜的结构，组成及阳离子的配位形态。研究表明，干凝胶中铝以ＡｌＯ６八面体为主，硅为ＳｉＯ４四面体，随温度的升高ＡｌＯ６向ＡｌＯ４转化，引进透明膜结构的相应变化。     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示,在 Ｓｉ（１００） 界面上, Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开,它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ, Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法,计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构,指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．     

角分辨XPS对自组装单分子层厚度和官能团位置的定性及定量研究

用角分辨ＸＰＳ（Ａｎｇｌｅ－ｒｅｓｏｌｖｅｄＸＰＳ）研究研究了ＨＳ（ＣＨ２）１０ＣＯＯＨ（Ｉ）ＨＳ（ＣＨ２）３ＯＣ６Ｈ４Ｎ＝ＮＣ６Ｈ４（ＣＨ２）７ＣＨ３（ＩＩ）和ＨＳ（ＣＨ２）６ＨＳ（Ⅲ）３种分子在Ａｕ膜表面制备的自组装单分子层，得出了（Ｉ）中Ｓ原子，（Ⅱ）中Ｓ，Ｎ原子距膜表面的垂直距离，并结合构象分析确定了分子的取向和倾角，对分子（Ⅲ）则得出分子在紫外光照射下氧化反应的选择性，发现氧化主要在底层     

X射线粉末衍射的新起点——Rietveld全谱拟合

Ｒｉｅｔｖｅｌｄ全谱拟合法及高分辨Ｘ射线粉末衍射实验方法的出现与发展，使Ｘ射线粉末衍射进入了一个新阶段，不但提高了分析结果的质量，并且使从头晶体结构测定成为可能。本文扼要介绍了Ｒｉｅｔｖｅｌｄ全谱拟合法的理论；高分辨高准确的粉末衍射装置，从头晶体结构测定方法及多晶材料结构表征的全谱拟合法（包括作物相定性分析、物相定量分析、晶粒大小及点阵畸变的测定等）     

软X射线超光滑表面传输特性的初步研究

本文给出了软Ｘ射线超光滑表面散射的一级近似的一般理论推导，从中给出软Ｘ射线的散射传输特性。通过实验测量了λ＝２４．３ｎｍ、２５．６ｎｍ时具有超光滑表面的Ｍｏ、Ｓｉ样品的反射率和λ＝４．４６ｎｍ时熔石英超光滑样品的反射单。对４．４６ｎｍ进行了了散射测量，可以明显观察到软Ｘ射线的非正常反射现象。     

RhⅩⅥ─InⅩⅩ离子n＝4Complex跃迁谱线和振子强度的计算

对类锌等电子序列ＺｎⅠ－ＳｎⅩⅩⅠ离子ｎ＝４Ｃｏｍｐｌｅｘ组态的能级结构和组态相互作用进行了理论分析。通过分析ＨＸＲ方法理论计算值与实验值之差ΔＥ随Ｚｃ的变化关系，找出了用于最小二乘拟合计算的半经验拟合公式，用此公式预测了ＣｄⅩⅠⅩ－ＩｎⅩⅩ离子ｎ＝４Ｃｏｍｐｌｅｘ中至今还没有实验值的部分能级。给出４ｓ２－４ｓ４ｐ，４ｓ４ｐ－４ｓ４ｄ跃迁波长和相应的ＨＸＲ方法计算的振子强度，同时也对预测能级值的可靠性作了说明