依赖能量的光电子衍射曲线Fourier变换分析方法的研究(Ⅱ) 以Ni(111)为衬底的系统

本文研究了氧族元素s和Se在Ni(111)衬底上形成的p(2×2)和(3~(1/2)×3~(1/2))两种重构吸附系统依赖能量的光电子衍射曲线的直接Fourier变换分析方法,由对不同的原子吸附位和不同的电子波束的计算,分析了它们对Fourier峰位及相对应的层距修正值Δ_n的影响,并详细讨论了它们与表面原子间距之间的关系。     

RAMAN谱研究在退火和镍衬底上金刚石形核中甲烷的影响(英文)

藉助SEM和MICRO RAMAN ,我们研究了在退火和在镍衬底上金刚石形核中甲烷CH4 的影响。CH4 的浓度分别为 0 % ,0 5 % ,1 5 %和 2 5 % ,其中当甲烷浓度为 1 5 %时 ,金刚石在镍衬底上金刚石形核密度为 3× 1 0 8/cm2 ,这个结果高于以前的结果。金刚石膜的质量是好的。     

EFFECT OF ATOMIC HYDROGEN ON THE ACETYLENE-ADSORBED Si(100)(2×1) SURFACE AT ROOM TEMPERATURE

High resolution electron energy loss spectroscopy, low energy electron diffraction and quadrupole maas spectrometer (QMS) have been employed to study the effect of atomic hydrogen on the acetylene-saturated pre-adsorbed Si(100)(2×1) surface and the surface phase transition at room temperature. It is evident that the atomic hydrogen has a strong effect on the adsorbed C₂H₂ and the underlying surface structure of Si. The experimental results show that CH and CH₂ radicals co-exist on the Si surface after the dosing of atomic hydrogen; meanwhile, the surface structure changes from Si(100)(2×1) to a dominant of (1×1). These results indicate that the atomic hydrogen can open C=C double bonds and change them into C-C single bonds, transfer the adsorbed C₂H₂ to C₂H_x(x = 3,4) and break the underlying Si-Si dimer, but it cannot break the C-C bond intensively. The QMS results show that some C₄ species axe formed during the dosing of atomic hydrogen. It may be the result of atomic hydrogen abstraction from C₂H_x which leads to carbon catenation between two adjacent C-C directs. The C₄ species formed are stable on Si(100) surfaces up to 1100 K, and can be regarded as the potential host of diamond nucleation.     

Nucleation of diamond on silicon wafers using C60 in the hot filament chemical vapour deposition system

Scanning electron microscopy and Raman shifts were used to study the process of diamond nucleation and growth using C60 in the hot filament chemical vapour deposition (HFCVD) system.The process of nucleation and growth of diamond films on silicon wafer using C60 as intermediate layer in HFCVD system is described.In order to increase the density of diamond nuclei on the wafers,it is not necessary to use negative bias.The UV-light pre-treatment is not beneficial for improving the diamond nucleation.The multi-layers of C60 molecules,but not a monolayer,can increase the density of diamond nuclei in the presence of H atoms.     

液晶N相→S_A相转变点附近的反常粘滞系数

本文由粘滞系数的时间关联函数表达式,得到了实验观察到的现象:在液晶N相→S_A相转变点附近(T→T_s_A),体粘滞系数的反常发散比切变粘滞系数反常发散要大得多。说明了Brochard等人的理论中,不能解释此实验的原因。     

广义Suzuki公式及其在液晶中的应用

本文推广了Suzuki处理经典系统和Ising模型的关联函数的严格公式,并应用在描述液晶相变具有转动不变性的Maier-Saupe哈密顿量上。结果表明,作者之一最近有关关联函数和磁双折射系数的微观处理,在所述近似范围内是正确的。文中并改进了Vertogen和Van der Meer有关液晶向列相的无规相近似的结果,提出了超越平均场近似描述液晶热力学性质的一个方案。 关键词：     

液晶N相→SA相转变点附近的反常粘滞系数

本文由粘滞系数的时间关联函数表达式,得到了实验观察到的现象:在液晶N相→S_A相转变点附近(T→T_(sA)),体粘滞系数的反常发散比切变粘滞系数反常发散要大得多。说明了Brochard等人的理论中,不能解释此实验的原因。 关键词：     

天线理论中的第二类积分方程

本文提出一个决定柱状天线电流分布的新的积分方程,这是一个一维的Fredholm第二类积分方程。它不同于天线理论中惯用的Hallen积分方程。本文着重分析了在天线为无穷长时,由两个方程所解得的电流和磁场,说明第二类积分方程比Hallen方程更适于描述天线的实际情况。还初步进行了有限长度天线的数值计算,结果表明用第二类积分方程进行天线的数值计算是可行的。     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示,在 Ｓｉ（１００） 界面上, Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开,它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ, Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法,计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构,指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．     

相变前后VO2薄膜光学性质的研究

测量了玻璃、熔融石英及蓝宝石衬底上VO2 薄膜变温过程的红外透过率谱 ,对样品相变前后的光学性质进行了研究。特定温度下VO2 薄膜发生相变 ,其光学性质随之发生突变。不同衬底、不同制作工艺影响相变发生的温度以及相变前后光学性质的变化量。蓝宝石衬底上磁控溅射所得的VO2 膜 5 μm处透过率的减小量ΔT为 70 % ,相对变化ΔT TRT为 94 % ,玻璃衬底上磁控溅射所得的VO2 膜 2 5 μm处ΔT =6 4 2 % ,而ΔT TRT高达 98% ,接近于 1。