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用窄空间外延方法,在GaAs(100)衬底上外延生长了ZnSe(100)单晶薄膜.实验条件是,T衬=550℃,T源=650℃,H2-HCl气流速率为0.4-0.45l/min,生长速率为0.25-0.3μ/h.外延片在700℃的Zn和MnCl2蒸气中处理40-60分钟,以降低ZnSe的电阻率及掺入杂质Mn.利用这一外延层制作了MS结发光二极管,在反向偏压下获得黄色电致发光. 相似文献
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由中国物理学会发光分科学会委托河北大学筹办的第一届全国Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料会议于1985年9月17—19日在河北省保定市召开。参加会议的有发光分科学会理事长、学部委员徐叙瑢教授,副理事长吴伯僖教授和许少鸿教授,以及来自全国有关 相似文献
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Mn~(2+)浓度C(0.5%,0.6%)相同,而煅烧温度不同的DCEL ZnS:Mn、Cu粉未样品的EPR谱是不同的.用微机模拟EPR谱,计算出Mn~(2+)团所占Mn~(2+)的比例Cc/C.煅烧温度低于950℃时,Mn~(2+)团比例随锻烧温度升高而减少,煅烧温度高于950℃时,六角晶相比例和Mn~(2+)团比例同时随锻烧温度的升高而增加.分析表明,六角晶相有利于Mn~(2+)间的间接电子自旋交换作用,在相同的掺Mn、Cu浓度条件下,对比立方晶相,它将使更多的Mn~(2+)形成团,使材料的发光亮度降低.文中还讨论了锻烧DCEL ZnS:Mn、Cu材料的最佳温度问题. 相似文献
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