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a-Si/SiO2多量子阱材料制备及其晶化和发光 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法淀积SiO2和非晶硅(a-Si)时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系。选择合适的淀积条件制备了a-Si/SiO2多量子阱结构材料。用激光扫描退火方法使其晶化,当a-Si和SiO2层厚度分别为4nm和6nm时,形成了颗粒大小为3.8nm的硅晶粒。晶化后的样品在10K下可以观察到较强的光荧光发射,三个峰值波长分别为810、825和845nm. 相似文献
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用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在
关键词: 相似文献
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在判断淀积于玻璃衬底上磷光体粒子层(如电视屏)的光输出效率时,我们能运用关于漫反射、透射以及淀积物向前后发光的比率的实验数据。利用这些数据,我们能够由输入磷光体的固有效率计算出电视荧光屏可能达到的光输出。 相似文献
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利用溅射淀积技术直接得到可用于显示器件的透明导体和光导体薄膜。这些器件主要是以铁电陶瓷板或液晶层作为控制介质的光阀结构。淀积技术可以改进,以淀积在包括热敏材料在内的各种基片上。 溅射淀积的透明电极In_(2-x)Sn_xO_(3-y)(ITO)已被淀积在PLZT(锆钛酸铅镧)铁电陶瓷,玻璃和其他基片材料上。ITO薄膜具有极好的附着力,很坚固,而又易于抛光和刻蚀。对可见光透射很好,近红外的吸收由电导率控制。电阻率为3×10~(-4)Ω.cm的薄膜通常注积在热稳定的基片上,而电阻率为10~(-3)Ω.cm的薄膜很容易在热敏基片上得到。 溅射淀积的CdS在Ar莱塞的514.5nm谱线附近有光敏峰,其光导增益为4×10~3,唁电阻率大于10~7Ω.cm。类似的溅射淀积技术也用于制作以Cd_(1-x)Zn_xS为光导体的器件。Cd_(1-x)Zn_xS的组分是变化的,使薄膜的灵敏度峰值在400至500mm之间与莱塞辐射相配合。这些薄膜没有CdS那样的光敏性,但它们可以透过更多的可见光,对投射光源很不灵敏,所以可用于同时读出——写入系统,也能用于实时显示系统。Cd_(1-x)ZnS的暗电阻率决定于组分,但所有薄膜都超过10~(12)Ω.cm。 相似文献
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本文报道了用电子回旋共振化学气相淀积(ECRCVD)技术实现了低温(50℃)淀积SiON/SiN膜作硅太阳电池减反射膜的实验研究.探讨了影响薄膜性能的主要工艺参数,设计了具有较佳抗反效果的双层减反膜,并对膜层的反射率和太阳电池参数进行了测定.结果表明:该减反膜具有良好的减反效果,能实现较宽波段范围内的均匀增透,使太阳电池短路电流密度提高了42%,电池转换效率提高了45%. 相似文献
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采用原子层淀积(ALD)实现了10nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT). 通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势. 通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引
关键词:
原子层淀积
AlGaN/GaN
MOS-HEMT器件
温度特性 相似文献
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本文报道淀积条件对非晶态硒化镉(a-CdSe)薄膜微区结构的影响,并对利用a-CdSe为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。 相似文献
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分子束外延(MBE)一词原来是用来称呼某些化合物特别是砷化镓(GaAs)的外延薄层的真空淀积(外延层晶体的取向和它在上面波尔的衬底的取向匹配).然而,现在MBE包括半导体、绝缘体或金属薄膜在超高真空(UHV)中的淀积.它促成了一种重要的器件制造工艺,并且已变成一种为基础研究制备表面和界面的重要技术。 MBE的主要优点是:(1)过程发生在十分清洁的真空情况下,把表面和界面的玷污缩至最小的程度.(2)生长速率非常低,并且衬底温度较低,允许界面呈突变形式,相互扩散可减至最低程度.(3)MBE过程是和广泛的现代表面分析技术相适应的,这些技术能在… 相似文献
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在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,采用a-Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a-Si∶H/SiO2多层膜 (ML);利用限制性结晶原理通过两步退火处理使a-Si∶H层晶化获得尺寸可控的nc-Si/SiO2 ML,并观察到室温下的蓝光发射;结合Raman散射和剖面透射电子显微镜技术分析了nc-Si/SiO2 ML的结构特性;通过对晶化样品光致发光谱和紫外-可见光吸收谱的研究,探讨了蓝光发射的起源.
关键词:
纳米硅多层膜
等离子体氧化
蓝光发射
热退火 相似文献
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本文研究了贵金属-CaAs(110)界面形成过程中hν=21.2eV和40.8eV的价带光电子谱的演化,在小于0.5单原子层淀积金属时,观察到所谓原子样Ag5s和Au6s态。大约从10埃到几十埃的淀积金属范围内,发现贵金属价带发射极大值现象。用金属原子团的形成、岛状生长与界面反应相关的观点讨论了实验结果。
关键词: 相似文献
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本研究利用纳秒激光两次双光束干涉无掩模烧蚀、快速制备硫化锌(ZnS)微纳结构抗反射疏水表面,使其红外透过率由原来的75%增加到92%,解决了表面淀积抗反射镀层膜层附着力、抗蚀性、热胀失配等问题.此方法加工过程快速简单,可实现大面积制作,且微纳结构使基底具有疏水性能,疏水角可达145fi.使其在光电子、太阳能、航空航天及红外制导等领域具有广泛的应用前景. 相似文献
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采用脉冲激光沉积(PLD)工艺,制备了以Bi4Ti3O12(BIT)为过渡阻挡层的Au/PZT/BIT/p-Si异质结.研究了BIT铁电层对Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响,对Au/PZT/BIT/p-Si异质结的导电机制进行了讨论.氧气氛530℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜,与直接淀积在Si基片上相比,加入BIT铁电层后PZT铁
关键词:
铁电薄膜
异质结构
脉冲激光沉积(PLD) 相似文献
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规整膜系层厚允许误差的研究 总被引:4,自引:4,他引:0
提出了一种通过计算机模拟薄膜的淀积过程来计算规整膜系层厚允许误差的方法,所计算的层厚允许误差不仅取决于膜系的设计结构,还与薄膜的淀积工艺、镀膜设备的监控精度有关.实验结果表明:采用这种方法所计算出的层厚允许误差对于薄膜的实际镀制具有指导意义. 相似文献