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1.
卢学坤  王迅 《物理学进展》2011,11(4):456-482
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。  相似文献   
2.
卢学坤  董国胜 《物理学报》1989,38(12):1974-1980
本文利用角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和高分辨率电子能量损失谱(HREELS)研究Ar+刻蚀退火处理的GaP(111)面表面态。发现与P原子悬挂键有关的本征满表面态在Г点位于价带顶下0.6eV处,而缺陷引入的空表面态位于价带顶上1.1eV处(Г点)。空表面态引起n型样品表面能带发生1.36eV弯曲。  相似文献   
3.
A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO2 on the Si subetrate. It has proved that the SiO2 will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of GexSi1-x/Si.  相似文献   
4.
半导体异质结界面能带排列的实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
卢学坤  王迅 《物理学进展》1991,11(4):456-482
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。  相似文献   
5.
Si1-xCex/Si量子阱发光材料制备及特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。 关键词:  相似文献   
6.
卢学坤 《物理学报》1988,37(11):1882-1887
高分辨率电子能量损失谱(HRFELS)能直接判定Al-GaAS(100)界面反应的生成物。本文结合X射线光电子能谱(XPS)的测量,采用HREELS来测量界面的禁带宽度,研究了Al-GaAs(100)(4×1)界面的形成过程。结果判定了室温下Al-GaAs(100)界面生成的为AlAs。而退火后,界面上生成AlCaAs合金。实验中还用低能电子衍射(LEED)观察了室温下Al在GaAs(100)(4×1)面上的淀积过程,发现随着Al淀积量的增加,表面是从无序到有序转化的。 关键词:  相似文献   
7.
本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集团。集团中部分P与衬底Ga原子成键,另一部分P则以单质形式存在,继续提高温度退火,将使P集团中的P全部与衬底发生反应生成GaAsP薄层。在高温GaAs衬底上淀积P,将得到GaAsP固溶体薄层。这一薄层有望成为GaAs表面理想的钝化膜。 关键词:  相似文献   
8.
肖撼宇  卢学坤  董国胜  丁训民  陈平 《物理学报》1990,39(10):1665-1670
采用多种表面分析手段,系统地研究了氧在GaP(111)上的吸附,发现氧的初级吸附在1×104L时就已饱和,获得了有关这一阶段表面电子结构的变化、表面能带弯曲、化学吸附反应等方面的信息,发现这一吸附阶段与表面缺陷有关,适当地加热处理则可能将缺陷和氧一同去除,因此这有可能成为一种有效的、去除缺陷的表面工程手段。 关键词:  相似文献   
9.
本文利用Hel紫外线作为激发源,测量了GaP(Ⅲ)面的角分辨紫外光电子能谱,通过详细的数据分析,解释了谱中观察到的各光电子峰。实验测得的体电子能带结构特征与理论符合较好。 关键词:  相似文献   
10.
黄春晖  卢学坤  丁训民 《物理学报》1989,38(12):1968-1973
用紫外光电子能谱研究了Al0.7Ga0.3As的表面态结构,观察到Al0.7Ga0.3As在价带中的两个表面态结构。在1500L原子氢吸附后消失。研究了这两个表面态结构在热退火消除表面损伤过程中的变化。结合LEED和XPS的实验结果,确定在450℃左右的热退火可以有效地消除损伤,获得一个完整的Al0.7Ga0.3As(100)表面。 关键词:  相似文献   
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