改善铝酸盐蓝色荧光粉性能的研究

研究了在铝酸盐蓝色荧光粉ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ中用Ｃａ代替部分Ｂａ的效果，结果表明，约４～１２ｍｏｌ％的Ｂａ和Ｃａ取代后，抑制了５００ｎｍ以上的工波绿色发射，色坐标Ｙ值减小，而发射峰强度增高，从而改善了这种蓝色荧光粉的性能。     

半导体的激光退火

虽然早在1968年就有人用激光辐照的方法制成了Si的p-n结[1],但直到1976年,离子注入半导体的激光退火才引起了人们的充分注意。由于看到了激光处理半导体这一课题不仅具有深刻的理论意义而且可能有重大的实用价值,故近几年来,美、苏、英、日、意等国开展了大量的研究工作。虽然尚未正式投入工业生产流程,但在激光退火、激光掺杂、激光合     

用电子计算机来分析p-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs太阳电池的性能

通过对p-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs太阳电池的少子扩散长度、结深、Al组分及其它光电参数的测量,初步确立了此电池的模型,以此模型用电子计算机计算了电池的量子效率谱等性能并与实验作了比较,进一步还分析了结深、扩散长度等参数对电池性能的影响.     

用于显示器件的溅射薄膜

利用溅射淀积技术直接得到可用于显示器件的透明导体和光导体薄膜。这些器件主要是以铁电陶瓷板或液晶层作为控制介质的光阀结构。淀积技术可以改进,以淀积在包括热敏材料在内的各种基片上。 溅射淀积的透明电极In_(2-x)Sn_xO_(3-y)(ITO)已被淀积在PLZT(锆钛酸铅镧)铁电陶瓷,玻璃和其他基片材料上。ITO薄膜具有极好的附着力,很坚固,而又易于抛光和刻蚀。对可见光透射很好,近红外的吸收由电导率控制。电阻率为3×10~(-4)Ω.cm的薄膜通常注积在热稳定的基片上,而电阻率为10~(-3)Ω.cm的薄膜很容易在热敏基片上得到。 溅射淀积的CdS在Ar莱塞的514.5nm谱线附近有光敏峰,其光导增益为4×10~3,唁电阻率大于10~7Ω.cm。类似的溅射淀积技术也用于制作以Cd_(1-x)Zn_xS为光导体的器件。Cd_(1-x)Zn_xS的组分是变化的,使薄膜的灵敏度峰值在400至500mm之间与莱塞辐射相配合。这些薄膜没有CdS那样的光敏性,但它们可以透过更多的可见光,对投射光源很不灵敏,所以可用于同时读出——写入系统,也能用于实时显示系统。Cd_(1-x)ZnS的暗电阻率决定于组分,但所有薄膜都超过10~(12)Ω.cm。     

固体红外象转换器

研制了一种光导——场致发光型的红外象转换器。研究了把不同厚度的掺杂CdSe光导粉末层应用于象转换器的效果和工作温度的影响。其光谱灵敏区从0.7至1.2微米,峰值在0.9微米。在0℃时,对0.9微米的入射光其灵敏阈值约为2×10~(-10)瓦/厘米~2。输入的红外图象转换为可见的场致发光图象,其分辨率为每毫米3—8条电视线,根据光导层厚度和工作温度的不同,其响应时间为1—10~(-2)秒量级。用一附加的红外源,此种转换器可用作夜视仪。文中叙述了适用于光导-场致发光器件CdSe的光导体的制备,它的某些性质,以及光导体厚度和工作温度对于固体红外象转换器性能的影响。刊登了利用实验转换器得到的可见象的照片。     

全色的低照度象增强器

据SMPTE 74年第三期报道,CBS实 它的基本结构是在二个特殊设计的色轮之间验室首次制成了彩色的象增强器(CLA)。装一高质量的静电型象增强器,如图1所