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采用脉冲激光沉积方法,在SrTiO3(STO)基片上原位制备了电子型掺杂高温超导体La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)与超大磁电阻(CMR)材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)异质结.使用X射线衍射和透射电镜分析,表明异质结是c轴取向外延生长.LCCO层的超导转变温度TC0是18.5K,LCMO层的金属-绝缘转变温度为195K.我们研究了这种异质结的界面微分电导,得到LCCO的能隙大小是4.2meV. 相似文献
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本文报道用水平滑舟系统液相外延制备n~ InSb/PHg_(1-x)Cd_(?)Te异质结.该异质结外延层厚度在15~25μm之间,由电镜扫描分析出外延层和衬底之间的介面平直,组分过渡很徒.采用该异质结能制备3~5μm(x=0.3)、8~14μm(x=0.2)两波段的红外探测器,从介绍的单元器件的性能来看,该材料是红外焦平面列阵研究方面极有希望的膺选对象. 相似文献
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研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料, AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特性. 在精确测量布拉格衍射角的基础上定量计算了压应力的大小. 增加的压应力一方面通过增强GaN层的压电极化电场, 提高了AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)面密度, 另一方面使AlGaN势垒层对2DEG面密度产生的两方面影响相互抵消. 同时, 这种AlN插入层的采用降低了GaN与AlGaN层之间的
关键词:
高温AlN插入层
AlGaN/GaN异质结
二维电子气
应力 相似文献
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用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物异质结.X射线衍射和原子力显微镜测量结果表明,在Si基底上生长的SrTiO3和LaAlO3薄膜具有很好的外延结构和取向,其表面达到原子尺度的光滑.YBCO/SrNb0.01Ti0.99O3、La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3(LSMO/SNTO)等异质结,均观测到较好的p-n结I-V特性.首次观测到钙钛矿结构氧化物p-n结电流的磁调制和正巨磁电阻效应,在255K条件下,当外加磁场分别为5×10-4T、1×10-3T、1×10-2T和0.1T时,LSMO/SNTO p-n结的磁电阻变化率ΔR/R0达到:46.7%、59.7%、70.5%和83.4%;当外加磁场为3T时,在100K条件下,在LSMO/SNTO多层p-n异质结上观测465%的正磁电阻变化率. 相似文献
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在5%Nb掺杂的SrTiO3衬底上用磁控溅射法外延生长了La1/aCa7/aMnO3薄膜形成异质结,该异质结有类似于传统P-n结的整流特性.磁场下扩散电压减小,当温度低于130 K以下,扩散电压的减小非常明显.这和在此温度以下,La1/8Ca7/aMnO3出现自旋倾斜态密切相关.我们计算出异质结的结电阻和磁致电阻(MR),在不同大小的正负偏压,不同磁场下,都得到负的MR值.我们给出界面附近的La1/8Ca7/8MnO3的能带结构并分析了外加磁场对洪德耦合,Jahn-Teller畸变等机制的作用,来解释该异质结的磁输运行为.结果有助于了解高Ca掺杂锰氧化物异质结的性质. 相似文献
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铁电材料拥有自发电极化, 不同的极化方向会对异质结的电子结构产生可逆的和非易失性的影响. 本工作采用分子束外延技术在二维铁电材料α-In2Se3 衬底上成功制备了 Pb 纳米岛构建 Pb/α-In2Se3 超导铁电异质结,并通过扫描隧道显微镜表征了其表面原子结构与电子结构. 进一步的扫描隧道谱测量显示不同层厚 Pb 岛的量子阱态消失, 并且我们在4.5 K 的温度下没有观察到超导能隙, 表明铁电衬底会影响 Pb 岛的电子结构, 甚至其超导特性. 这些发现为理解铁电衬底对超导性的影响提供了参考, 并为调控低维量子材料中的电子结构及超导性提供了新的思路. 相似文献
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本文采用密度泛函理论比较了三层异质结(石墨烯/石墨烯/石墨烯,石墨烯/石墨烯/氮化硼和氮化硼/石墨烯/氮化硼)和双层异质结(石墨烯/石墨烯,石墨烯/氮化硼)的结合能和广义堆垛能的差异,以研究近邻层的影响. 由于近邻层的影响,相邻层结合能会有从-2.3%到22.55%的变化,但层间距的变化很小. 此外近邻层也会影响相邻层的广义堆垛能,变化值从-2%到10%,具体的变化值依赖于相邻层的性质. 相似文献
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通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结材料比基于蓝宝石衬底低温AlN成核层异质结材料漏电小、背景载流子浓度低.深入分析发现,基于薄成核层的异质结材料在近衬底的GaN缓冲层中具有高浓度的n型GaN导电层,而基于厚成核层的异质结材料的GaN缓冲层则呈高阻特性.GaN缓冲层中的n型导电层是导致器件漏电主要因素之一,适当提高成核层的质量和厚度可有效降低GaN缓冲层的背景载流子浓度,提高GaN缓冲层的高阻特性,抑制缓冲层漏电.
关键词:
AlGaN/GaN异质结
GaN缓冲层
漏电
成核层 相似文献
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以电子束蒸发的方法制备硒化锌(ZnSe)薄膜,研究了基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件.在双层器件ITO/ZnSe(50nm)/Alq3(12nm)/Al中看到了峰值位于578nm的ZnSe电致发光,却很难得到单层器件ITO/ZnSe(50—120nm)/Al的电致发光;在此基础上进一步引入有机空穴传输层(HTL),通过改变器件的结构,讨论了ZnSe对有机-无机异质结器件ITO/HTL/ZnSe/Alq3/Al电致发光特性的影响.其电致发光光谱的研究结果证实了ZnSe在器件中的作用:ZnSe既起传输电子的作用,也起到传输空穴的作用,还作为发光层.并对ZnSe的发光机理进行了讨论.
关键词:
硒化锌
有机-无机异质结
电致发光
空穴传输层 相似文献
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研制了一种新型结构双异质结半导体激光器,这种激光器是利用非平面衬底液相外延的特点,使电流阻挡层和四层双异质结构在腐蚀成窄台的衬底上一次外延完成生长,内条形电流通路在外延生长中自然形成.工艺特别简单,且具有良好线性输出和稳定基横模式振荡等特点. 相似文献
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采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指出了达到理想的异质结传输效率时,发射层的厚度和掺杂浓度、吸收层的掺杂浓度、异质结界面处渐变区宽度以及场助偏压应满足的条件.它有助于场助半导体光电阴极的结构设计和材料参数的选择. 相似文献
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采用嵌入原子方法的原子间相互作用势,利用分子动力学模拟方法研究了Au/Cu(111)和Ag/Cu (111)体系的异质外延结构特征以及外延岛形貌和应变释放的演化过程. 通过对比Au/Cu(111)和Ag/Cu (111)体系的异质外延结构及外延岛演化行为,揭示了导致Ag/Cu (111)体系中异质外延层形成Moiré结构的微观物理机理及其与外延体系的宏观物理特性之间的关系. 研究结果显示,外延岛原子与基体表面原子之间的界面结合强度是形成Moiré结构的重要因素,异质外延体系的界面结合强度取决于二者的合金熔解热. 当异质外延体系的合金熔解热为正值时,界面结合强度较弱,有利于Moiré结构的形成. 同时,外延岛原子之间的相互作用决定着外延岛的面内弛豫行为,对Moiré结构的形成有一定的影响. 外延岛的面内弛豫行为与外延层和基体之间的相对刚度有关,弹性模量较大的外延层具有较强的延展能力,对Moiré结构的形成有利. 此外,Moiré结构的形成与外延岛的尺度有关,主要是外延岛边界原子的钉扎作用对外延岛内原子弛豫行为的约束作用的影响. 相似文献
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本文介绍了一种确定聚合物太阳能电池功能层光学常数和厚度的方法. 该方法借助于特定的色散模型拟合透射率测试曲线以获得功能层光学常数和厚度值. 文中比较了Forouhi-Bloomer和Lorentz-Oscillator模型在体异质结薄膜的透射率拟合计算中的适用性, 计算了poly(3-hexylthiophene)(P3HT)/[6,6]-phenylC61-butyric acid methyl ester (PCBM)和 poly[2-methoxy-5-5(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene](MEH-PPV)/PCBM体异质结薄膜的光学常数和厚度. 拟合得到的曲线与实验曲线符合良好, 厚度计算的结果与台阶仪测量结果保持一致, 误差小于4%. 进一步分析得到的热退火和加入高沸点溶剂添加剂后P3HT/PCBM薄膜的光学常数和光学禁带值与相应器件伏安特性相符. 该方法适用于所有体异质结的功能层, 可用于聚合物太阳能电池的膜系优化和在线检测. 相似文献