| 二维铁电材料α-In2Se3 表面分子束外延生长Pb 纳米岛的STM 研究 |
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| 引用本文： | 刘姿,胡昕,夏玉敏,蔡德胜,秦胜勇.二维铁电材料α-In2Se3 表面分子束外延生长Pb 纳米岛的STM 研究[J].低温物理学报,2022(5):337-343. |
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| 作者姓名： | 刘姿 胡昕 夏玉敏 蔡德胜 秦胜勇 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学, 国际功能量子材料设计中心, 安徽合肥 23002; 中国科学技术大学物理系, 中科院强耦合量子材料物理重点实验室, 安徽合肥 230026;中国科学技术大学, 国际功能量子材料设计中心, 安徽合肥 230026 |
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| 摘 要： | 铁电材料拥有自发电极化, 不同的极化方向会对异质结的电子结构产生可逆的和非易失性的影响. 本工作采用分子束外延技术在二维铁电材料α-In2Se3 衬底上成功制备了 Pb 纳米岛构建 Pb/α-In2Se3 超导铁电异质结,并通过扫描隧道显微镜表征了其表面原子结构与电子结构. 进一步的扫描隧道谱测量显示不同层厚 Pb 岛的量子阱态消失, 并且我们在4.5 K 的温度下没有观察到超导能隙, 表明铁电衬底会影响 Pb 岛的电子结构, 甚至其超导特性. 这些发现为理解铁电衬底对超导性的影响提供了参考, 并为调控低维量子材料中的电子结构及超导性提供了新的思路.
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| 关 键 词： | 二维铁电 超导 扫描隧道显微镜 量子阱态 |
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