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1.
为了研究冲击波作用下引信传爆装置的响应规律,进行了以主发炸药为RDX-8701、被发装置为聚奥-9C(JO-9C)装药的传爆管(含导爆药柱)的殉爆实验。通过观测残留传爆药、壳体和见证块变形,判断传爆管的爆炸程度,分析了殉爆过程中JO-9C爆轰波的成长历程及传播规律。采用AUTODYN软件建立了殉爆实验有限元模型,计算模型中主要考虑了主发炸药产生的爆炸冲击波对传爆管的冲击响应。基于流固耦合方法,通过调整距离模拟计算得到了传爆管的临界殉爆距离和殉爆安全距离。结果表明,传爆管上端的侧角受到爆炸冲击后产生的爆轰波沿斜下方传播,使传爆药柱完全爆轰,并引起导爆药柱发生殉爆;数值模拟结果显示,JO-9C装药的传爆管临界殉爆距离为5.7 mm,殉爆安全距离为8.8 mm。  相似文献   
2.
毛晓明  唐鑫  李敏  李慧  梁亚琴  李燕 《应用化学》2019,36(4):474-481
为优化BiOCl光催化剂的结构,改善其对有机污染物的吸附性能,进而提高光催化反应活性,采用超声辅助化学沉淀法制备了BiOCl/蒙脱土(MMT)复合光催化剂,并考察了MMT质量分数(w(MMT))对复合光催化剂结构及光催化反应活性的影响。 X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和紫外-可见漫反射光谱(DRS)等的表征结果表明,所得催化剂呈微球状结构,禁带宽度为3.24 eV。 随着w(MMT)的增加,催化剂的微球状结构逐渐被破坏,但带隙能未发生明显变化。 以8-羟基喹啉为目标物考察了复合催化剂的吸附及光催化反应活性。 结果表明,随着w(MMT)增加,催化剂对8-羟基喹啉的吸附和光催化氧化活性逐渐增加,这可归因于与MMT的复合增大了比表面积并降低了光生载流子复合效率。 当w(MMT)为15%时,催化剂的吸附及光催化性能达到最佳,光照50 min后,8-羟基喹啉的降解率达到85.6%,矿化率达到51.0%。 光生空穴和超氧自由基负离子为主要的氧化活性物种。 复合催化剂还可高效降解邻苯二酚和对氨基苯甲酸。 同时,复合光催化剂表现出较强的化学稳定性,表明其具有较强的实际应用价值,可用于处理含有机酚类污染物的工业废水。  相似文献   
3.
By means of the particle-swarm optimization method and density functional theory calculations, the lowestenergy structure of SnAs is determined to be a bilayer stacking system and the atoms on top of each other are of the same types. Using the hybrid functional of Heyd–Scuseria–Ernzerhof, SnAs is calculated to be a semiconductor with an indirect band gap of 1.71 eV, which decreases to 1.42 eV with the increase of the bi-axial tensile stress up to 2%, corresponding to the ideal value of 1.40 eV for potential photovoltaic applications. Based on the deformation potential theory, the two-dimensional(2 D) SnAs has high electron motilities along x and y directions(1.63 × 10~3 cm~2 V~(-1)s~(-1)). Our calculated results suggest that SnAs can be viewed as a new type of 2 D materials for applications in optoelectronics and nanoelectronic devices.  相似文献   
4.
冰晶石-氧化铝熔盐的分子动力学研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用分子动力学方法,对冰晶石-氧化铝熔盐的结构及其电学性质进行了研究.通过对不同氧化铝含量熔盐的计算,证明文章采用的势函数参数,可以获得与实验相近的平均键长以及相同变化规律的密度.证实了Al-F-Al和Al-O-Al桥接络合离子的存在,由于这些络合离子的存在,阻碍了铝离子的自由运动,使得在铝离子电场作用下被带到阳极,降低了电解效率.同时离子淌度的计算显示钠离子是电场作用下导电的主要载流子.  相似文献   
5.
吴静静  唐鑫  龙飞  唐壁玉 《物理学报》2017,66(13):137101-137101
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似平面波赝势方法,探究四种ZnO-Σ7(1230)孪晶界中V_(Zn)-N_O-H复合体的电子结构和p型导电机理.计算结果表明,在ZnO-Σ7(1230)孪晶界中,N掺杂后会与锌空位(V_(Zn))、氢填隙(Hi)等点缺陷结合,进而形成V_(Zn)-N_O-H复合体,并出现在孪晶中的晶格应变集中区.此外,四种孪晶界中孪晶GB7a有利于V_(Zn)-N_O-H离化能降低,从而使其表现出浅受主特征.分析显示特殊的孪晶结构导致了氮替位(N_O)与近邻的O原子间距离缩短,阴离子之间发生相互作用,导致禁带中的空带能级下降,降低了电子跃迁所需能量.这一结果也说明GB7a孪晶界中的V_(Zn)-N_O-H可能成为N掺杂ZnO材料的p型导电的来源之一.  相似文献   
6.
采用密度泛函理论(DFT)结合投影缀加波(PAW)方法,对LiVPO4F的晶体结构,电子结构和电化学属性进行了研究。从理论上获得了脱Li前后具体的晶格参数的变化。通过对其态密度的计算,发现在放电过程中,V在化合物中呈现离子态,发生+3/+4价态的转变,电子转移主要发生在V原子上;而P原子的状态比较稳定,并不发生大的电子的转移,磷酸根的空间结构也变化不大。同时LiVPO4F的禁带宽度仅为1.63 eV,说明其在一定情况下具有良好的导电性,有利于放电过程中电子的输运。LiVPO4F是铁磁相,磁矩为2μB,而VPO4F为反铁磁相。此外,通过计算获得了LiVPO4F的平均嵌锂电压为4.0 eV。  相似文献   
7.
Based on density functional theory, first-principles calculation is applied to study the electronic properties of undoped and Ag-doped Zn O-Σ7(12ˉ30) twin grain boundaries(GBs). The calculated result indicates that the twin GBs can facilitate the formation and aggregation of Ag substitution at Zn sites(AgZn) due to the strain release. Meanwhile, some twin GBs can also lower the ionization energy of AgZn. The density of state shows that the O–O bonds in GBs play a key role in the formation of a shallow acceptor energy level. When AgZnbonds with one O atom in the O–O bond, the antibonding state of the O–O bond becomes partially occupied. As a result, a weak spin splitting occurs in the antibonding state, which causes a shallow empty energy level above the valence band maximum. Further, the model can be applied to explain the origin of p-type conductivity in Ag-doped Zn O.  相似文献   
8.
濮春英  李洪婧  唐鑫  张庆瑜 《物理学报》2012,61(4):47104-047104
采用射频磁控溅射技术, 在不同温度下制备了N掺杂Cu2O薄膜.透射光谱分析发现, N掺杂导致Cu2O成为允许的带隙直接跃迁半导体, 并使Cu2O的光学禁带宽度增加.不同温度下沉积的薄膜光学禁带宽度Eg=2.52± 0.03 eV.第一性原理计算表明, N掺杂导致Cu2O的禁带宽度增加了约25%, 主要与价带顶下移和导带底上移有关, 与实验报道基本符合.N的2p电子态分布不同于O原子, 在价带顶附近具有较大的态密度是N掺杂Cu2O变成允许的带隙直接跃迁半导体的根本原因.  相似文献   
9.
Be掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
唐鑫  吕海峰  马春雨  赵纪军  张庆瑜 《物理学报》2008,57(12):7806-7813
采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致Be 关键词: 密度泛函理论 电子结构 Be掺杂ZnO  相似文献   
10.
Cd掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对掺杂Cd导致ZnO禁带宽度下降的机理进行了研究. 通过对掺杂前后电子能带结构,态密度以及分态密度的计算和比较,发现CdxZn1-xO价带顶端(VBM)始终由O-2p占据;而导带顶端(CBM)则由Cd-5s与Zn-4s杂化轨道控制. 随着掺杂浓度的增加,决定带隙宽度的CBM的位置下降,同时VBM的位置上升,从而导致了带隙的变窄,出现了红移现象. 此外,Cd掺杂会使晶胞发生膨胀,这种张应变也是导致Cd 关键词: 密度泛函理论 电子结构 Cd掺杂ZnO  相似文献   
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