软X射线投影光刻技术

软 X射线投影光刻作为特征线宽小于 0 .1μm的集成电路制造技术 ,倍受日美两个集成电路制造设备生产大国重视。随着用于软 X射线投影光刻的无污染激光等离子体光源、高分辨率大视场投影光学系统、无应力光学装调工艺、深亚纳米级镜面加工和多层膜制备、低缺陷反射式掩模、表面成像光刻胶。     

两非球面反射镜非扫描式软X射线投影光刻系统

提出了一个软Ｘ射线投影光刻，缩比为６：１，由两非球面镜构成的光学系统。该系统在波长为１３ｎｍ时，可获得Φ３０ｍｍ的平像场和优于０．１μｍ的光刻线条分辨率，其最大畸变为０．４％。     

X射线光刻与超大规模集成电路

当前,集成电路正在向超大规模集成电路发展,预期在1985年到1990年间超大规模集成电路设计中将采用线宽为1至0.5微米的电路几何图形加工工艺(即亚微米工艺).这将使电路成本大大下降,例如采用2微米线条,存储器每位成本为3200微美分,采用1.5微米线条,成本为1925微美分,采用0.5微米线条,成本则下降至84微美分.由于这样明显的经济效益,超大规模集成电路所需的各种技术正在迅速发展,其中光刻技术更是突飞猛进. 一、超大规模集成电路对光刻技术 的基本要求1.高分辨率线条 三十万个元件组成的超大规模集成电路,其要求的最小线宽为1至1.5微米;一百万…     

麻省理工学院林肯实验室的193nm光刻

麻省理工学院林肯实验室的１９３ｎｍ光刻麻省理工学院林肯实验室正在发展１９３ｎｍ光刻，其目标是：使０．２５μｍ光刻达到工业应用，并能使之扩展到优于０．１８μｍ．此技术利用ＡｒＦ准分子激光器发出的１９３．４ｎｍ的光进行光刻．此项目在林肯实验室已进行了５年...     

合肥国家同步辐射实验室同步辐射光刻研究

同步辐射光刻技术是Ｘ射线光刻技术的重要发展，适用于深亚微米乃至纳米级图形的 超微细加工，特别是ＬＩＧＡ技术的出现大大拓展了同步辐射光刻的应用领域．使它不仅适合于超大规模 集成电路等平面微结构的加工，也适合于具有复杂构造的三维立体结构和器件的制作．文章简要介绍了 ＮＳＲＬ光刻光束线和实验站概况及研究工作进展．     

激光光刻中的超分辨现象研究

激光光刻是加工微光学及二元光学掩模的主要手段。光刻的最细线宽对所加工的二元微器件性能起决定作用。本文导出了会聚的高斯光束用于激光光刻时在光刻胶内的光场近似上此可判断出能光刻线条的分辨力。若入射高斯光束受到振中相位调制时,胶层内的光强分布将发生变化,从而影响曝光线条的线宽和质量。计算看出：当入射光中心环受到遮拦时,可以得到超光刻物镜极限分辨的线条宽度（０．６μｍ）,但此时对曝光能量控制要求很高。在激     

0.7微米i线投影曝光系统光刻物镜的设计与试制

介绍了微电子专用关键设备０．７μｍｉ线投影曝光系统光刻物镜的主要技术指标，及设计试制中解决的关键单元技术和试制结果。结果表明，数值孔径ＮＡ＝０．４２，光刻工作分辨力０．６μｍ，像场尺寸１４．６ｍｍ×１４．６ｍｍ，畸变＜±０．１μｍ的５倍精缩投影光刻物镜已试制成功。物镜具有双远心和有温度气压控制补偿，在满足高精度成像的同时，又能同时满足暗场同轴对准的特点。     

紫外光刻术

随着科技的发展 ,集成电路芯片上的插口与记忆元件会愈来愈多 ,所以在硅或金属底板上的空间显得极其拥挤 .现有的短波光刻技术能生产 6 5nm宽的连线以及 90nm的连线间距 ,因此微型芯片的制造商们都力图寻找能雕刻更加精细连线的光刻技术 .为此 ,美国政府 (以加洲劳伦斯伯克利国家实验室的近代光源研究所为主 )和跨国工业财团 (如AMD ,IBM ,微软 ,摩托罗拉等 )携手合作 ,现在以P .Naullear教授为首的研究组已开发出了紫外波段的光刻技术 ,这种紫外光刻术能在芯片底板上生产出 39nm的线宽和 70nm的线间距 .他们计划在 2 0 0 7年以前生产出…     

193nm光刻曝光系统的现状及发展

投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。     

扫描探针印刻术的新进展

在“超越紫外线光刻极限的新工艺”［１］短文中介绍过：集成电路中线条的宽度到２００３—２００６年以后将降到光刻工艺的极限１００ｎｍ以下，目前正在研制的光刻极限以后的新工艺有５种，其中的一种是利用几十ｋｅＶ高能量电子束进行印刻．这种电子束的直径可以小到ｎ...     

二元光学元件及其应用

叙述一种新型衍射光学元件──—二元光学元件的设计原理及其制造方法。分析二元光学元件的衍射效率和色差，讨论光刻法对其最小特征线宽的限制因素，阐明二无光学元件的特点及应用。     

深亚微米激光光刻研究

报道用远紫外准分子激光进行亚微光刻的实验结果，以波长为２４８．３ｎｍ的ＫｒＦ准分子激光为光源，以光管均匀器为主构成照明系统，采用带有平行平板为像差样正板的１：１折反射投影光刻物镜，在两种光刻胶上分别获得了０．６μｍ和０．５μｍ的光刻分辨率。     

腔内倾斜标准具法压缩KrF激光线宽

在一台长脉冲放电泵浦ＫｒＦ准分子激光器上，对采用腔内倾斜标准具法压缩线宽进行了研究。采用平行平面腔结构，在谐振腔中加入小孔光阑以控制横模振荡，并加入０．１ｍｍ空气隙、０．５ｍｍ固体和３ｍｍ固体三个标准具体作为线宽压缩元件，实验中研究了不同光阑孔径及输出耦合率对输出线宽和输出能量的影响。实验获得的线宽小于３ＧＨｚ，相当于线宽压缩一千倍。     

利用双色激光感生光栅光谱法测定^127I的核自旋

本文利用ＮｄＹＡＧ激光倍频光５３２ｎｍ激光分成强度大致相等的两束激光作为泵浦光以２．７３°交叉于碘分子样品室中，两束泵浦光发生干涉在碘分子中选择激发形成了空间正弦分布的激光态分子光栅和基态耗尽型光栅。另一束窄线宽染料激光作为探索光射入到激光感生光栅上，沿着布拉格衍射的方向接收信号光。利用泵浦共振为３２－０Ｒ（５５），探索共振为１３－０Ｐ（５５），Ｒ（５５）和泵浦共振为３２－０Ｐ（５２），探索共振为１３－０Ｐ（５２），Ｒ（５２）的碘分子双色激光感生光栅光谱谱线强度测定了１２７Ｉ的核自旋，测定值为５／２。     

铜激光倍频光亚微米投影光刻系统的设计和实验研究

为了研究波长在２５５．３ｎｍ的铜蒸气激光倍频在亚微米光刻中的可行性，设计了带宽为１ｎｍ的１：１折反射式投影光刻物镜和一个带散射板的光管式均匀照相系统，获得了０．６μｍ的光刻分辨率。此结果表明，铜激光倍频光可作为亚微米光刻的照明光源。     

193nm光刻曝光系统的现状及发展

投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术,探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。     

微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用

微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度，光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术，同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术，文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用。     

激光直写方法制作透明导电金属网栅

介绍了利用激光直写光刻技术在200mm×200mm基片上制作线宽为5μm,周期为350μm的红外透明导电金属网栅的工艺过程,对激光直写光刻技术和机械刻划掩模接触光刻制作金属网栅结构的两种方法进行了比较,给出了激光直写制作金属网栅的优点.     

用同步辐射光刻直接在有机玻璃板上制备高深宽比亚微米光栅

为了将平面金属膜紧密耦合到纳米光栅形成的表面等离子体共振传感器,以提高灵敏度,以及利用亚微米光栅调整共振反射波长,需要制备亚微米结构光栅。介绍了一种基于X光光刻的亚微米结构光栅的制造技术。该结构光栅是利用日本立命馆大学的同步辐射光源进行同步辐射光光刻,在有机玻璃(PMMA)板上直接得到亚微米光栅。用此纳米加工技术获得的光栅线宽为250 nm,周期为500 nm,深宽比为8的PMMA亚微米结构光栅。还优化了曝光近接间隔、曝光剂量和显影时间等同步辐射光刻参数。     

合肥国家同步辐射实验同就辐射光刻研究

同步辐射光刻技术是Ｘ射线光刻技术的重要发展，适用于深亚微米乃至纳米图形的超微细加工，特别是ＬＩＧＡ的出现大大拓展了同步辐射光刻的应用领域，使它不仅适合于超大规模集成电路等平面微结构的加工，也适合于具有复杂构造的三维立体结构和器件的制作，文章简要介绍了ＮＳＲＬ光刻光束线和实验站概况及研究工作进展。