铜激光倍频光亚微米投影光刻系统的设计和实验研究

为了研究波长在２５５．３ｎｍ的铜蒸气激光倍频在亚微米光刻中的可行性，设计了带宽为１ｎｍ的１：１折反射式投影光刻物镜和一个带散射板的光管式均匀照相系统，获得了０．６μｍ的光刻分辨率。此结果表明，铜激光倍频光可作为亚微米光刻的照明光源。     

两非球面反射镜非扫描式软X射线投影光刻系统

提出了一个软Ｘ射线投影光刻，缩比为６：１，由两非球面镜构成的光学系统。该系统在波长为１３ｎｍ时，可获得Φ３０ｍｍ的平像场和优于０．１μｍ的光刻线条分辨率，其最大畸变为０．４％。     

激光直写邻近疗效应的校正

邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素,它也限制了激光直写在亚微米和亚半微微米光刻中的应用,分析了激光直写邻近效应产生的原因,指出它和电子束直写及投影光刻的区别,提出了一种简便有效的邻近校正方法,实验表明,通过光学邻近校正（ＯＰＣ）,利用微米级激光直写系统,制作出０．６μｍ的实用光刻线条。     

麻省理工学院林肯实验室的193nm光刻

麻省理工学院林肯实验室的１９３ｎｍ光刻麻省理工学院林肯实验室正在发展１９３ｎｍ光刻，其目标是：使０．２５μｍ光刻达到工业应用，并能使之扩展到优于０．１８μｍ．此技术利用ＡｒＦ准分子激光器发出的１９３．４ｎｍ的光进行光刻．此项目在林肯实验室已进行了５年...     

现有光刻技术改进后可以制造线宽为0.13μm的集成电路

现有光刻技术改进后可以制造线宽为０．１３μｍ的集成电路１９９５年美国《固态技术》２月号和３月号连续发表文章，认为现有光刻技术经过改进，可以沿用到２００４年，用来制造线宽为０．１３ｕｍ的集成电路。随着集成电路的飞速发展，１９９５年光刻技术达到的最小线宽...     

强激光在高Z等离子体中吸收的波长关系

利用“神光Ⅰ”输出的～５００Ｊ、１．０５μｍ，～２００Ｊ、０．５３μｍ激光和“星光Ⅱ”输出的～７０Ｊ、０．３５１μｍ激光，实验研究了激光与金圆盘靶作用产生的等离子体对激光的吸收，获得了激光１０°、４５°入射Ａｕ盘靶吸收的波长关系。实验结果与一维平面等离子体吸收模型计算的结果基本相符。     

Nd：S—FAP晶体1.328μm激光特性研究

用染料激光和氙灯泵浦实现了ＮｄＳ－ＦＡＰ晶体低阈值、高效率的１．３２８μｍｍ激光运转。在透过率７％的平－平腔情况下，染料激光泵浦斜效率为３８％，阈值４．５ｍＪ，倍频红光波长为０．６６４μｍ，线宽１．３ｎｍ；采用氙灯泵浦（４×３０ｍｍ），实现了１．３２８μｍ自由运转，阈值为２４０ｍＪ，斜效率为０．８５％。测量了不同腔长，不同透过率情况的输出能量、光束发散角和偏振特性等。     

激光等离子体软X光源8—20nm光谱辐射研究

研制了了一种脉冲重复频率为１０Ｈｚ的激光等离子软Ｘ射线源；傅波长０．５３μｍ和波长１．０６μｍ的激光脉冲，聚焦在不同的金属靶上，使之离子化。     

0.35 μm分步重复投影光刻物镜设计

介绍０．３５μｍ分步重复投影光刻物镜的设计要点，包括数值孔径、结构形式的确定、材料的选择。介绍了光刻物镜设计的难点、创新点及设计结果。     

抗激光减反射膜

介绍１．０～１．８μｍ抗激光宽带减反射膜的薄膜设计，制备工艺，测试方法及结果。通过采取一系列工艺改进措施，大幅度提高了膜片的抗激光性能，制备的膜片抗光损伤阈达到５００ｍＷ／ｃｍ＾２。     

宽带折反射式紫外光刻物镜的设计

本文设计了一种新系列的紫外或远紫外激光光刻物镜,它与国内外已有的紫外物镜相比,在365nm以下的光谱区,具有更宽的光谱工作带宽和较高的数值孔径.以宽带准分子激光或短弧汞氙灯做光源,无需另加色散补偿光学元件,可以进行同轴对准.     

用157 nm激光制作的光子晶体光纤法布里-珀罗传感器

157nm准分子激光用于微加工具有单光子能量高,峰值功率高,材料吸收系数高,分辨率高等优点。利用157nm激光微加工的方法,在光子晶体光纤上融切出微小矩形孔,从而构成腔长为45.6μm的微光纤法布里-珀罗干涉腔,得到的干涉条纹平滑,衬比度约为26dB,并从激光与石英材料的相互作用上分析了形成较好干涉条纹的原因。把这种微腔应用于应变测量,在550μm范围内,腔长增量相对于应变的灵敏度为0.32nm/μm,线形度达0.9994。实验证明该微腔对温度不敏感,800℃范围内腔长变化仅20nm。157nm准分子激光加工光纤法布里-珀罗腔方法简单,一次成型,具有较高的加工效率和精度,有望实现光纤法布里-珀罗腔的规模化批量制造,具有较好的应用前景。     

步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法研究

提出了一种以生产率、剂量精度与激光器使用成本三者最佳匹配为优化目标的步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法及其数学模型,通过将激光器重复频率作为可调参量并引入有效脉冲个数的概念,获得了有效剂量区间内任意给定剂量所应采取的优化策略并给出了剂量控制参量的具体计算方法。理论推导和模拟计算结果表明,新算法既保持了原算法在生产率和剂量精度优化方面的优势,又改进了原算法在激光器成本优化目标上的缺陷。随着准分子激光器及其剂量控制技术的进一步发展,新算法可望更能显示出其优越性并具有更广阔的应用前景。     

准分子激光辐照PVDF的拉曼和红外光谱研究

通过测量KrF准分子激光辐照前后PVDF的拉曼光谱和红外光谱,分析了PVDF经激光辐照后表面电导率大幅度提高的机理;采用逐点扫描拉曼成像技术,确定出激光辐照后PVDF的导电层厚度约为7.5μm。在拉曼光谱、扫描电镜和X射线能谱综合表征基础上,发现激光辐照后PVDF表面呈现出复合型微结构。     

低增益准分子激光最佳透射率的研究

对于激光系统性能而言,谐振腔最佳透射率具有非常重要的作用。低增益、宽带脉冲准分子激光的最佳透射率条件与其激光抽运脉冲引起的增益脉宽有密切关系。提出了在激光四能级系统速率方程的基础上模拟低增益准分子激光的跃迁行为。并利用合理的近似,研究低增益脉冲准分子激光谐振腔的最佳透射率。给出了其在不同增益脉宽情况下统一的最佳透射率条件,并分析了以小信号增益系数为函数的最佳透射率变化规律。所得到的结论为：低增益、宽带脉冲准分子激光的最佳透射率情况和连续激光器有所不同。而是取决于增益脉宽和光子寿命之间的关系。上述结论得到了相应实验研究结果的证实。     

熔石英紫外激光初始损伤形态分析

 采取355 nm激光脉冲辐照熔石英样品,利用Nomarski微分干涉差显微镜、原子力显微镜和扫描电子显微镜观测手段对前后表面产生的损伤点进行了观察分析。对前后表面损伤形态做出详细的描述和分类,从理论上对每种损伤类型产生的条件与机理做出推测。实验结果表明：熔石英前表面存在小麻点群损伤和星状裂纹损伤两种损伤形态,横向尺寸分别为0.8～2.5和1.0～5.5 μm;后表面存在小麻点群损伤、壳状剥离损伤和火山口3种损伤形态,损伤横向尺寸分别为0.48～1.33,4～20和12～30 μm。实验证明了1 μm尺度损伤点的产生与再沉积层密切相关。     

Comparison of characteristics of an x-ray preionized XeCl laser, pumped by water transmission line and low inductance capacitor bank

With a high uniformity of x-ray preionization, a long pulse duration and a high specific energy (9 J l^-1), an XeCl excimer laser output has been obtained by using a compact low inductance capacitor bank as the laser excitation circuit. The superior features of the low inductance capacitor bank (LICB) compared to the water transmission line (WTL) are attractive for repetitively pulsed XeCl excimer lasers.     

XeCl laser generated infra-red SRS in barium vapour

Radiation at 2.36 μm is produced by stimulated electronic Raman scattering in barium vapour. The pump radiation is provided by a XeCl excimer laser. Photon conversion efficiencies of up to 1% are observed. The variations of the infra-red Stokes output with barium number density and with pump intensity are described.     

ArF-excimer laser ablation experiments on Cycloolefin Copolymer (COC)

To determine the capability of Cycloolefin Copolymer (COC) for excimer laser microstructuring, ablation experiments have been performed at 193 nm using an ArF excimer laser workstation. A matrix of square holes was structured in COC, the ablated structures were examined qualitatively and quantitatively by optical methods and scanning electron microscopy. It turned out that COC can be structured with high accuracy and is therefore suited for laser rapid prototyping of micro optical and microfluidic devices. The maximum ablation depth of COC (0.17 μm/pulse) is smaller than of PMMA (0.58 μm/pulse), but is sufficient for prototyping and allows fine depth tuning. Flat structures less than 200-μm deep nearly show no amount of redeposited material and yield smooth surfaces.