Fabrication of a 256-bits organic memory by soft x-ray lithography

This paper reports a procedure of soft x-ray lithography for the fabrication of organic crossbar structure. Electron beam lithography is employed to fabricate the mask for soft x-ray lithography, with direct writing technology to lithograph positive resist, polymethyl methacrylate on the polyimide film. Then Au is electroplated on the polyimide film. Hard contact mode exposure is used in x-ray lithography to transfer the graph from the mask to the wafer. The 256-bits organic memory is achieved with the critical dimension of 250~nm.     

基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展

随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级，传统的硅基集成电路技术面临挑战，新材料及新结构的研究成为热点，纳电子学分支之一的分子电子器件正在蓬勃发展一场效应晶体管（FET）和交叉结构是目前主要的分子电子器件的结构，而交叉结构有利于集成受到广泛关注。文章概述了基于交叉结构的分子纳米器件工作原理、工艺流程，并着重介绍了逻辑功能的实现方法及其研究进展，最后，总结了交叉结构的前景及所面临的困难。     

微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用

微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度，光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术，同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术，文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用。