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| X射线光刻与超大规模集成电路 | |
| 引用本文： | 顾柏春.X射线光刻与超大规模集成电路[J].物理,1984(1). |
| 作者姓名： | 顾柏春 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 当前,集成电路正在向超大规模集成电路发展,预期在1985年到1990年间超大规模集成电路设计中将采用线宽为1至0.5微米的电路几何图形加工工艺(即亚微米工艺).这将使电路成本大大下降,例如采用2微米线条,存储器每位成本为3200微美分,采用1.5微米线条,成本为1925微美分,采用0.5微米线条,成本则下降至84微美分.由于这样明显的经济效益,超大规模集成电路所需的各种技术正在迅速发展,其中光刻技术更是突飞猛进. 一、超大规模集成电路对光刻技术 的基本要求1.高分辨率线条 三十万个元件组成的超大规模集成电路,其要求的最小线宽为1至1.5微米;一百万… |
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