共查询到20条相似文献,搜索用时 245 毫秒
1.
以铁箔为原材料和基片,通过控制热氧化过程中的宏观实验条件(载气流量及其组分、压强、温度分布和反应时间等),实现了α-Fe2O3一维纳米结构的可控生长,获得了大面积(10mm×10mm)、单分散性好、沿[110]方向生长的α-Fe2O3纳米带或纳米线阵列. 对不同宏观实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征和分析,认为热氧化过程中α-Fe2O3一维纳米结构的生长遵循类似气-
关键词:
2O3')" href="#">α-Fe2O3
一维纳米结构
热氧化法 相似文献
2.
室温下采用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备了Y2O3-TiO2氧化物复合薄膜.利用XRD(X-ray diffraction)和AFM( atomic force microscopy)分析观察了退火前后样品的物相、形貌等变化,讨论了致密薄膜的生长机理.实验发现,溅射功率越大,薄膜的平整度和致密度越好.对热处理前后样品的结晶结构和表面形貌的分析结果显示,在本实验参数范围内,随着溅射功率的增大,更多的Y2O3
关键词:
2O3-TiO2薄膜')" href="#">Y2O3-TiO2薄膜
表面形貌
原子力显微镜
磁控溅射 相似文献
3.
4.
利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织
关键词:
2Cu3O7-x镀膜导体')" href="#">YBa2Cu3O7-x镀膜导体
2缓冲层')" href="#">CeO2缓冲层
厚度依赖性
外延生长 相似文献
5.
基于密度泛函理论,本文通过OTFG赝势方法计算了本征β-Ga2O3以及Cu-N共掺后β-Ga2O3的晶格常数、电子结构以及光学特性.计算结果表明本征β-Ga2O3的禁带宽度为4.5 eV;Cu和N掺入β-Ga2O3后属于受主杂质,并且引入了深受主能级,这表明Cu-N共掺后β-Ga2O3变为p型半导体材料;光学性质计算结果表明本征β-Ga2O3的静介电函数为2.5,掺杂后β-Ga2O3的静介电函数增大,对电荷的存储能力增强;此外,Cu-N的共掺对β-Ga2O3的吸收系数、反射率在能量较低的区域的影响较大,而对能量较高的区域影响较小. 相似文献
6.
7.
用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料, 并用光致发光(PL)方法研究了其发光特性. X射线衍射分析显示, 产物为单斜结构的β-Ga2O3. 扫描电子显微镜测试表明: 在较小氧流量条件下制备的产物为β-Ga2O3纳米带, 宽度小于100nm, 长度有几微米; 较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构, 晶粒尺度在80—15
关键词:
光致发光
氧流量
纳米结构
2O3')" href="#">Ga2O3 相似文献
8.
GdBaCo2O5+δ体系的低频内耗研究表明:体系中存在一个由额外氧运动引起的弛豫内耗峰;额外氧δ对这个弛豫内耗峰的大小、峰形及峰位有较大影响,反映了额外氧状态随δ而变化.当δ=0.005,体系中额外氧含量很少而接近零时,相应的内耗峰消失;δ达到一定数量后,出现弛豫内耗峰.由δ=0.278,0.407,0.421,0.515样品的弛豫内耗峰分析可得到体系随δ不同存在着三种不同的额外氧形态.此外,δ=0.421及0.515的样品在360K附近存在一个相变内耗峰,它对应着体系中的金属—绝缘体转变.
关键词:
2O5+δ')" href="#">GdBaCo2O5+δ
额外氧
内耗峰 相似文献
9.
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法, 在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性. 在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜, 测量了其吸收光谱和反射光
关键词:
第一性原理
超软赝势
密度泛函理论
2O3')" href="#">Si掺杂β-Ga2O3 相似文献
10.
采用水热法制备了Gd2O3:Yb3+/Er3+纳米线和纳米片,并研究了制备过程中溶液的pH值对产物形貌的影响以及样品形貌对发光性质的影响。将稀土氧化物溶于硝酸并与NaOH反应,使溶液pH值至预期值,将生成物离心、烘干和灼烧,得到最终产物。研究发现,制备样品过程中,中性溶液中易于形成纳米片,而碱性溶液中则会形成纳米线,而且碱性越强越容易形成纳米线。在980nm激光激发下,与纳米片相比,纳米线中Er3+的4I13/2→4I15/2的红外发射强度显著减弱,而2H11/2/4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2的上转换发射相对增强,而且2H11/2/4S3/2→4I15/2与4F9/2→4I15/2的荧光分支比略有增大。纳米线与纳米片相比,比表面积减小,由表面效应引起的无辐射弛豫过程的减弱导致了上述光谱的变化。 相似文献
11.
采用传统的固相反应法,在1400–1500 ℃下烧结,制备得到Al2O3-Y2O3-ZrO2三相复合陶瓷.样品的结构、形貌和电性能分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及介电谱表征.XRD表明此三相复合体系无其他杂相,加入Y2O3及ZrO2后使得Al2O3成瓷温度降低;SEM表明此体系晶粒直径为200–500 nm,并且样品随烧结温度的升高而变得更加致密,晶界更加清晰;介电损耗谱中出现峰值弛豫现象,根据Cole-Cole复阻抗谱得出其为非德拜弛豫.
关键词:
2O3-Y2O3-ZrO2三相陶瓷')" href="#">Al2O3-Y2O3-ZrO2三相陶瓷
介电弛豫
阻抗谱
热导率 相似文献
12.
制备了Tm3+(8.0mol%)掺杂(77-x)GeO2-xGa2O3-8Li2O-10BaO-5La2O3(x=4,8,12,16)系列玻璃.系统地研究了Ga2O3从4mol%变化到16mol%时,玻璃的光谱性质与热学性质的变化规律.差热分析表明,随着Ga2O3含量的增加,锗酸盐玻璃的热稳定性增加.运用Judd-Ofelt(J_O)理论计算得到了Tm3+在不同Ga2O3含量的GeO2-Ga2O3-Li2O-BaO-La2O3玻璃中的J-O强度参数(Ω2,Ω4,Ω6)及Tm3+各激发能级的自发跃迁概率、荧光分支比以及辐射寿命等光谱参量.在808nm激光二极管的激发下,测试并分析了Ga2O3对Tm3+荧光光谱特性的影响.随着Ga2O3从4mol%增加到16mol%,Tm3+在1.8μm处的荧光强度呈现先减弱后增强的特性.当Ga2O3含量大约在12mol%时,Tm3+在1.8μm处的荧光强度最弱,受激发射截面达到最小.还初步讨论了Ga2O3对玻璃结构与光谱参数的影响规律.
关键词:
3+掺杂锗酸盐玻璃')" href="#">Tm3+掺杂锗酸盐玻璃
光谱性能
Judd-Ofelt参数
热稳定性 相似文献
13.
利用温度梯度法, 在5.3-5.7 GPa压力、1200-1600 ℃的温度条件下, 将B2O3粉添加到FeNiMnCo+C合成体系内, 进行B2O3添加宝石级金刚石单晶的合成. 研究得到了FeNiMnCo触媒生长B2O3添加宝石级金刚石单晶的相图分布规律. 结果表明B2O3添加会使晶体生长的“V”形区上移和低温六面体单晶生长区间变宽. 通过晶体生长实验, 研究合成了不同形貌的B2O3添加宝石级金刚石单晶. 研究同时证实, B2O3的过量添加会对宝石级金刚石单晶生长带来不利影响. 当B2O3的添加量高于约3 wt‰、生长时间超过20 h时, 很难实现优质B2O3添加宝石级金刚石单晶的生长. 但B2O3的适量添加(不超过1 wt‰), 有助于提高低温板状六面体宝石级金刚石单晶的成品率. 通过对晶体生长速度的研究发现, B2O3的添加使得优质晶体的生长速度明显降低, 随着晶体生长时间的延长, B2O3添加剂对晶体生长的抑制作用会越发明显. 扫描电镜测试结果表明, 合成体系内B2O3添加剂的引入, 导致晶体表面的平整度明显下降. 相似文献
14.
采用脉冲激光沉积技术,在单晶SrTiO3基底上外延生长了一系列名义结构为p×(NdBa2Cu3O7-δ(m)/YBa2Cu3O7-δ(n))的多层膜和准多层膜(单元层NdBa2Cu3O7-δ较厚而YBa2Cu3O7-δ呈非连贯的岛状分布,m,n为激光脉冲数,p为重复周期).样品的超导转变温度在87—91 K范围,具体大小取决于不同的调制结构,多层膜的重复周期越大,层状界面越多,超导转变温度就越低.磁传输测量表明,准多层的样品不仅具有较高的超导转变温度,而且具有较强的磁通钉扎性能,77K零场下的临界电流密度高达4×106 A/cm2,显示出良好的应用前景.
关键词:
2Cu3O7-δ')" href="#">NdBa2Cu3O7-δ
多层膜
磁通钉扎
临界电流密度 相似文献
15.
钨氧化物纳米线在高灵敏度低功耗气体传感器中极具应用潜力, 且通过掺杂改性可进一步显著改善其敏感性能. 本文以WCl6为钨源, NH4VO3为掺杂剂, 采用溶剂热法合成了钒掺杂的W18O49纳米线. 利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱仪表征了纳米线的微结构, 并利用静态气敏性能测试系统评价了掺杂纳米线的NO2敏感性能. 研究结果表明: 五价钒离子受主掺杂进入氧化钨晶格结构, 抑制了纳米线沿轴向的生长并导致了纳米线束的二次集聚; 室温下, 钒掺杂W18O49纳米线接触NO2气体后表现出反常的p型响应特性; 随工作温度逐渐升高至约110 ℃时, 发生从p型到n型的电导特性转变; 该掺杂纳米线气敏元件对浓度低至80 ppb (1 ppb=10-9) 的NO2气体具有明显的室温敏感响应和良好的响应稳定性. 分析并探讨了钒掺杂W18O49纳米线的高室温敏感特性及其p-n电导转型机理, 认为钒掺杂W18O49纳米线在室温下的良好敏感响应及反常p型导电性与掺杂纳米线表面高密度非稳表面态诱导的低温气体强吸附有关.
关键词:
氧化钨
纳米线
气体传感器
室温灵敏度 相似文献
16.
采用化学气相沉积法系统研究了合成温度和N2/O2流量对生长在碳纤维衬底上的SnO2纳米线形貌及场发射性能的影响规律. 利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM), X射线衍射(XRD)及能谱仪(EDS)对产物细致表征, 结果表明, SnO2纳米线长径比随反应温度的升高而增大; 随N2/O2流量比值的增大先增大后变小, 场发射测试表明, 合成温度780 ℃, N2/O2流量比为300 : 3 时SnO2纳米线阵列具有最佳的场发射性能, 开启电场为1.03 V/μm, 场强增加到1.68 V/μm时, 发射电流密度达0.66 mA/cm2, 亮度约2300 cd/m2. 相似文献
17.
在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上 ,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管. 研 究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/ 硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明,在合理的工艺条件下可以获 得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(I< sub>sd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12 sub>栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.
关键词:
铁电场效应晶体管
4Ti3O12')" href="#">Bi4Ti3O12
存储 特性
溶胶-凝胶工艺 相似文献
18.
利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法, 对蓝宝石衬底上 在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析; 并结合高分辨X射线衍射分析技术, 通过对其对称(402)面的θ–2θ及ω扫描, 确定了其结构类型及结晶品质. 实验表明: 在相同的生长温度(500 ℃)下, 结晶品质随压强的下降而变好, 生长压强为15 Torr (1 Torr=133.322 Pa)的样品其结晶品质最好, 沿轴入射之比χmin值为14.5%; 在相同的生长压强(15 Torr)下, 结晶品质受生长温度的影响不大, 所以, 生长温度不是改变结晶品质的主要因素; 此外, 在相同的生长条件下制备的样品, 分别经过700, 800和900 ℃退火后, 其结晶品质随退火温度的变化而变化. 退火温度为800 ℃的样品的结晶品质最好, χmin值为11.1%; 当退火温度达到900 ℃时, 样品部分分解; 经热处理的样品其X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3 (402)面衍射峰, 其半峰全宽为0.5°, 表明该Ga2O3外延膜是(402)择优取向.
关键词:
氧化镓
卢瑟夫背散射
X射线衍射
结晶品质 相似文献
19.
采用溶胶凝胶法制备了Ti1-xCrxO2±δ体系系列样品.利用扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS),粉末X射线衍射分析(XRD)方法研究了Ti1-xCrxO2±δ系列样品的颗粒尺寸、形貌、组分化学态、相关系和固溶区范围;并利用超导量子干涉磁强计对样品的磁性能进行了研究.采用Rietveld结构精修的方法研究了Cr的不同掺杂量对TiO2晶体结构的影响,研究表明,1000℃烧结的样品的固溶区范围是x=0—0.03,为金红石单相;随着Cr掺杂量的增加,金红石相晶胞参数规律性地减小;当x>0.03,为金红石相和CrO2相两相共存.综合XRD和磁性测量结果,500℃烧结的样品的固溶区范围是x=0—0.02,为锐钛矿单相;随着Cr掺杂量的增加,锐钛矿相晶胞参数规律性地减小;当x≥0.04,为锐钛矿相和绿铬矿相(Cr2O3)两相共存.XPS实验结果表明,500℃和1000℃退火的样品中Cr都是以Cr+3和Cr+6两种化学态存在,1000℃烧结的样品中可能有更多的Cr3+转化为Cr6+.根据M-H和M-T曲线的测试结果发现,本文500℃烧结的Ti1-xCrxO2±δ体系样品当x=0—0.02时,为室温铁磁性.当x≥0.04时,由铁磁相和顺磁相所组成,在低温下有较强的铁磁性;室温下主要是顺磁相,铁磁相只占据很小的体积分数.
关键词:
1-xCrxO2±δ体系')" href="#">Ti1-xCrxO2±δ体系
相关系
固溶区
磁性能 相似文献
20.
采用脉冲激光沉积技术制备了SrTiO3和SrNb0.2Ti0.8O3薄膜.X射线衍射分析表明在LaAlO3(100)单晶平衬底上生长的SrTiO3及SrNb0.2Ti0.8O3薄膜是沿[001]取向的近外延生长.随着氧压在一定范围内逐渐增大,SrTiO3薄膜的晶格参数减小,而SrNb0.2Ti0.8O3薄膜的晶格参数先减小后增大.同时摸索出制备具有二维电子气超晶格(SrTiO3/SrNb0.2Ti0.8O3)L的最佳氧压为1.0×10-2Pa.另外在LaAlO3(100)倾斜衬底上制备的SrNb0.2Ti0.8O3薄膜中观察到激光感生热电电压效应.
关键词:
0.2Ti0.8O3薄膜')" href="#">SrNb0.2Ti0.8O3薄膜
晶格参数
激光感生热电电压
脉冲激光沉积 相似文献