排序方式: 共有9条查询结果,搜索用时 18 毫秒
1
1.
以铁箔为原材料和基片,通过控制热氧化过程中的宏观实验条件(载气流量及其组分、压强、温度分布和反应时间等),实现了α-Fe2O3一维纳米结构的可控生长,获得了大面积(10mm×10mm)、单分散性好、沿[110]方向生长的α-Fe2O3纳米带或纳米线阵列. 对不同宏观实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征和分析,认为热氧化过程中α-Fe2O3一维纳米结构的生长遵循类似气-
关键词:
2O3')" href="#">α-Fe2O3
一维纳米结构
热氧化法 相似文献
2.
以铁箔为原材料和基片,通过控制热氧化过程中的宏观实验条件(载气流量及其组分、压强、温度分布和反应时间等),实现了α-Fe2O3一维纳米结构的可控生长,获得了大面积(10mm×10mm)、单分散性好、沿[110]方向生长的α-Fe2O3纳米带或纳米线阵列. 对不同宏观实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征和分析,认为热氧化过程中α-Fe2O3一维纳米结构的生长遵循类似气-固机制的顶端生长模式,生长点铁原子和氧原子比是控制α-Fe2O3一维纳米结构生长的关键因素. 相似文献
3.
以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构. 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论. 相似文献
4.
5.
以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构. 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论. 相似文献
6.
海阔 《原子与分子物理学报》2007,24(1):85-90
射频阱中离子云与检测场的相互作用由周期驱动的Duffing方程描述.本文报道了该方程的一个精确的周期解,它描述了阱参数和外场对离子云周期运动的影响.结果表明,在各参变量满足周期解条件时,离子的运动频率为外场频率的三分之一,运动振幅分别与外场频率、振幅以及阱频正相关,与离子阱的非谐参数反相关. 相似文献
7.
A single particle magneto-confined in a one-dimensional (1D) quantum
wire experiences a harmonic potential, and imposing a sharply
focused laser beam on an appropriate site shapes a $\delta$
potential. The theoretical investigation has demonstrated that for a
sufficiently strong $\delta$ pulse the quantum motional stationary
state of the particle is one of the eigenstates of the free harmonic
oscillator, and it is determined by the site of the laser beam
uniquely, namely a quantum state is admissible if and only if the
laser site is one of its nodes. The numerical computation shows that
all the nodes of the lower energy states with quantum numbers $n \le
20$, except the coordinate origin, are mutually different. So we can
manipulate the multiphoton transitions between the quantum states by
adjusting the position of the laser $\delta$ pulse and realize the
transition from an unknown higher excitation state to a required
lower energy state. 相似文献
8.
Mo-doped SnO2 (MTO) nanowires are synthesized by an in-situ doping chemical vapour deposition method. Raman scattering spectra indicate that the lattice symmetry of MTO nanowires lowers with the increase of Mo doping, which implies that Mo ions do enter into the lattice of SnO2 nanowire. Ultraviolet-visible diffuse reflectance spectra show that the band gap of MTO nanowires decreases with the increase of Mo concentration. The photoluminescence emission of SnO2 nanowires around 580 nm at room temperature can also be controlled accurately by Mo-doping, and it is extremely sensitive to Mo ions and will disappear when the atomic ratio reaches 0.46%. 相似文献
9.
运用化学气相沉积法(CVD), 直接以Sn和S为原料分区加热蒸发, 通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件, 成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列. 扫描电子显微镜(SEM)图片显示: Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100 nm左右, 长约几个微米. X射线衍射(XRD)谱显示: 所制备样品的晶体结构属于正交晶系, 沿[002]方向生长. 紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0 eV的直接带隙半导体. 讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响, 并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理. 相似文献
1