First-principles calculations on the electronic and vibrational properties of β-V2O5

Using a first-principles approach based on density functional theory,this paper studies the electronic and dynamical properties of β-V2O5.A smaller band gap and much wider split-off bands have been observed in comparison with αV2O5.The Ramanand infrared-active modes at the Γ point of the Brillouin zone are evaluated with LO/TO splitting,where the symbol denotes the longitudinal and transverse optical model.The nonresonant Raman spectrum of a βV2O5 powder sample is also computed,providing benchmark theoretical results for the assignment of the experimental spectrum.The computed spectrum agrees with the available experimental data very well.This calculation helps to gain a better understanding of the transition from αto β-V2O5.     

氧分压对溅射制备氧化镓薄膜结构及光学带隙的影响

在不同氧分压η(η=O2/[Ar+O2])实验条件下,通过直流反应溅射制备了氧化镓薄膜,然后在真空环境下进行高温再结晶热处理.用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)研究了氧分压η对光学带隙Eg的影响.X射线衍射(XRD)和共聚焦拉曼散射光谱(Raman Scattering)分析显示:经900℃高温热处理后,薄膜呈结晶β相氧化镓,且晶粒尺寸随着氧分压的逐渐增加而变大.室温下由UV-Vis测试薄膜透过率并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙Eg在4.68—4.85 eV之间,且随氧分压η的逐渐增加而变大.     

非化学计量比靶材溅射制备Cu-Al-O薄膜的光学电学性质研究

考虑到铜铝溅射速率的差别,使用铜铝比例为0.9 ∶1的多晶CuAlO₂靶材,用射频磁控溅射法制备Cu-Al-O薄膜.研究不同衬底温度对薄膜光学电学性能的影响.在衬底温度500 ℃附近,薄膜在可见光范围内具有很好的透光性,达到70%,计算拟合得到直接帯隙为3.52 eV,与CuAlO₂相的理论值符合较好.在室温附近,薄膜导电符合半导体热激活机理,在衬底温度为500 ℃附近薄膜电导率达到2.48×10^-3 S·cm^-1. 关键词： Cu-Al-O 衬底温度 透过率 电导率     

生长在Si基底上VO_x纳米管形貌的时间影响因子及其气敏性初探

采用水热法成功制备了在Si基底上的钒氧化物纳米管.通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜对纳米管的结构和形貌进行了表征,测试了在不同的搅拌时间和水热反应时间下纳米管形貌的变化以及气敏性质.着重探讨了不同的搅拌时间和水热反应时间对样品形貌和气敏特性的影响.结果表明,水热反应时间越长,样品管状形貌越好,边缘越平滑.其气敏敏感度越好,响应时间也比水热反应时间短的样品要快.VO_X纳米管内径分布在25—35 nm,外径分布在65—100 nm.     

石墨管阴极电化学氢化物发生原子荧光法测定锗

使用原子吸收法中的石墨管作为电解池中的阴极,设计了一种圆柱型电解池。通过电解产生锗的氢化物,并与原子荧光法联用,测定了标准样品中Ge的含量。对各种实验参数和干扰情况进行了详细研究。方法的检出限为0-67μg／L（36）;相对标准偏差（RSD）（200μg/L,n=11）为1．7％。     

氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga2O3纳米材料的结构及发光特性的影响

用热蒸发CVD法制备了β-Ga₂O₃纳米材料, 并用光致发光(PL)方法研究了其发光特性. Ｘ射线衍射分析显示, 产物为单斜结构的β-Ga₂O₃. 扫描电子显微镜测试表明: 在较小氧流量条件下制备的产物为β-Ga₂O₃纳米带, 宽度小于100nm, 长度有几微米; 较大氧流量时制备出β-Ga₂O₃纳米晶粒结构, 晶粒尺度在80—15 关键词： 光致发光 氧流量 纳米结构 2O₃')" href="#">Ga₂O₃     

氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga2O3纳米材料的结构及发光特性的影响

用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料, 并用光致发光(PL)方法研究了其发光特性.X射线衍射分析显示, 产物为单斜结构的β-Ga2O3.扫描电子显微镜测试表明:在较小氧流量条件下制备的产物为β-Ga2O3纳米带, 宽度小于100nm, 长度有几微米; 较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构, 晶粒尺度在80-156nm.PL的测试表明: β-Ga2O3纳米结构在波长516nm处有很强的绿色发光带, 且随着氧流量的逐渐增加发光强度逐渐减弱.在氧气氛中900℃退火2h处理后, 发光强度减弱, 进一步证实氧空位缺陷是β-Ga2O3纳米材料发光的主要因素.