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用软化学法合成了驰豫型复合钙钛矿结构铁电PMNT粉体,并将制备好的粉体压制成圆片状后放入硅碳棒炉中,于1150℃下烧结成致密热释电陶瓷材料.然后用x射线粉末衍射对合成材料进行物相分析,并用扫描电镜观察了晶粒形貌特征.结果表明:烧结后的陶瓷具有很好的致密性和热释电性,其中,0.67PMN.0.33PT组分热释电陶瓷的热释电系数为4.5×10^-4C·m^-2.K^-1,探测优值Fd为3.9×10^-5Pa^-1/2。 相似文献
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实验中采用高温熔融法制备了一系列高钆镥硼硅酸盐新型玻璃体系样品,研究了这种新型玻璃体系的玻璃形成区,测量了样品的玻璃稳定性和密度。结果表明,玻璃体系的玻璃形成区较广,玻璃稳定性良好(析晶温度与转变温度的差为262 ℃),且玻璃样品的密度达到5 g/cm3。以此种玻璃体系作为基质掺入Ce3+离子,测量其透过光谱、激发光谱、发射光谱、X射线激发发射光谱以及Gd3+离子的衰减时间。结果表明,玻璃的透过性能适合Ce3+离子的掺杂,并且Gd2O3和Lu2O3对闪烁体发光都具有积极的影响,同时研究了Gd3+离子和Ce3+离子的能量传递机理及最佳能量传递掺杂摩尔比。从玻璃的物理性能和光谱性能考虑,这种闪烁玻璃系统具有广泛应用于高能物理材料中的一定潜力。 相似文献
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制备了Er3 、Yb3 共掺的SiO2-A12O3-PbF2-CdF2系统玻璃,并进行相应的微晶化热处理,研究了氟氧化物微晶玻璃中Er3 离子的上转换发光特性.研究结果表明:原始玻璃经热处理后得到的β-PbF2相氟氧化物微晶玻璃,Er3 和Yb3 所在局域基质声子能量的降低,使微晶玻璃中Er3 上转换发光强度显著提高,而微晶化后Er3 、Yb3 离子局域环境发生变化,导致微晶玻璃中Er3 离子的绿光上转换荧光强度较强,而红光上转换荧光强度相对较弱. 相似文献
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报道了Zn∶Er∶LiNbO3单晶的坩埚下降法生长工艺。通过控制晶体生长固液界面的温度梯度(30~35℃.cm-1)、晶体的生长速度(0.8~1.5 mm.h-1)、密闭Pt坩埚等条件生长了宏观无缺陷的Zn2+(3%)和Er3+(0.6%)共掺的LiNbO3单晶。用X射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)表征了获得的晶体,并测量了晶体不同部位的吸收光谱和荧光谱。从吸收光谱以及由XRD数据计算所得的晶胞参数推断,沿生长方向Er3+在晶体中的浓度分布逐步减少。光谱数据表明,晶体底部样品的吸收强度和荧光强度要比顶部大,而对应于Er3+上能级4S3/2和2H11/2跃迁至基态4I15/2的绿光发射,晶体底部却比顶部表现出更高的上转换效率。从晶体的内部结构、缺陷情况以及Er3+的分凝现象解释了产生上述现象的内在机制。 相似文献
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有机-无机复合ZrO2-SiO2平面光波导 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶法合成ZrO2-SiO2有机一无机复合光波导材料,通过改变其中ZrO2的含量来调节材料的折射率,使材料分别适用于平面光波导的导光层(ng≈1.497)和衬底层、包层(mb=nc≈1.479)。采用旋转涂膜工艺和相应的热处理,在单晶硅基片上制备衬底层、导光层和包层等薄膜,其中导光层介质因具有感光性而可通过紫外光刻来制备光路图案。所得有机一无机复合ZrO2-SiO2板型平面光波导(衬底层 导光层),用棱镜耦合截断法测试其光损耗在632.8nm波长处约为0.8dB/cm。对板型平面波导的导光层薄膜进行紫外光刻和异丙醇淋洗,制备出脊状光波导通道,在覆盖包层后,即获得埋层沟道式平面光波导。采用端耦合截断法测试了埋层沟道式平面光波导的光损耗(小于0.1dB/cm),并观察了其近场图像以及导光材料在近红外窗口的吸收光谱。 相似文献
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Zn,Cr∶LiNbO3单晶的坩埚下降法生长及其荧光光谱 总被引:3,自引:2,他引:1
通过选择合适的化学原料(Li2O∶48.6mol%, Nb2O5∶51.4mol%)、控制生长速度(<3 mm/h)及固液界面的温度梯度(20~40℃/cm)与温场,用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr双掺杂初始浓度分别为3 mol%、0.1 mol%,以及6 mol%、0.1 mol%的大尺寸铌酸锂晶体.生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下,无散射中心.测定了晶体的宽带荧光光谱(700~1200nm)及R带(710~740nm)的精细变温光谱.这些R带的光谱线由Cr离子所取代的Li(Cr3+Li)与Nb(Cr3+Nb)的发光中心以及声子辅助吸收所致. 相似文献
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Eu3+掺杂硼酸盐玻璃的光谱性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
测试了不同浓度掺杂下Eu^3+离子在硼酸盐玻璃的吸收光谱、激发光谱与发射光谱,根据荧光光谱计算了各样品的强度参数力2与/24,分析了Eu^3+离子掺杂浓度对其发光强度的影响.研究结果表明:在Eu^3+离子高掺杂浓度时,会发生浓度猝灭效应,但由于Eu^3+激活离子之间能量传递几率很小,使得Eu^3+离子猝灭浓度较高。 相似文献
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报道了ZnErLiNbO3单晶的坩埚下降法生长工艺. 通过控制晶体生长固液界面的温度梯度(30~35 ℃·cm-1)、晶体的生长速度(0.8~1.5 mm·h-1)、密闭Pt坩埚等条件生长了宏观无缺陷的Zn2+(3%)和Er3+(0.6%)共掺的LiNbO3单晶. 用X射线衍射(XRD)和差热分析(DTA)表征了获得的晶体, 并测量了晶体不同部位的吸收光谱和荧光谱. 从吸收光谱以及由XRD数据计算所得的晶胞参数推断, 沿生长方向Er3+在晶体中的浓度分布逐步减少. 光谱数据表明, 晶体底部样品的吸收强度和荧光强度要比顶部大, 而对应于Er3+上能级4S3/2和2H11/2跃迁至基态4I15/2的绿光发射, 晶体底部却比顶部表现出更高的上转换效率. 从晶体的内部结构、缺陷情况以及Er3+的分凝现象解释了产生上述现象的内在机制. 相似文献