用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

约瑟夫森结AlOx-Al隧道势垒的实验研究

通过Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、阳极氧化电压谱（ＡＶＳ）和Ｆｉｓｋｅ台阶电压的测量，研究了约瑟夫森结中ＡｌＯ_x-Ａｌ隧道势垒．发现结的隧道势垒最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ，Ａｌ上形成ＡｌＯ_x厚度只取决于氧化条件，与沉积Ａｌ厚无关，势垒Ａｌ氧化物可能含有一个像ＡｌＯＯＨ态的ＯＨ基团．同时，估算了剩余Ａｌ厚度，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间在４.２Ｋ时，由常态Ａｌ而产生临近效应的存在 关键词：     

约瑟夫森结AlO_x-Al隧道势垒的实验研究

通过Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、阳极氧化电压谱（ＡＶＳ）和Ｆｉｓｋｅ台阶电压的测量，研究了约瑟夫森结中ＡｌＯｘＡｌ隧道势垒．发现结的隧道势垒最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ，Ａｌ上形成ＡｌＯｘ厚度只取决于氧化条件，与沉积Ａｌ厚无关，势垒Ａｌ氧化物可能含有一个像ＡｌＯＯＨ态的ＯＨ基团．同时，估算了剩余Ａｌ厚度，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间在４２Ｋ时，由常态Ａｌ而产生临近效应的存在     

耐熔金属约瑟夫逊隧道结制备中Nb／AlOx—Al／Nb结构质量的检验

在耐熔金属约瑟夫逊制备过程中，我们应用各种分析技术对Ｎｂ／ＡｌＯｘ－Ａｌ／Ｍｂ基本结构的质量作了检验；基于这些分析，从实验上了用直流磁控溅射制备该结构时的最佳参数。     

耐熔金属约瑟夫逊隧道结制备中Nb／AlO_x－Al／Nb结构质量的检验

在耐熔金属约瑟夫逊结制备过程中，我们应用各种分析技术对Ｎｂ／ＡｌＯｘ－Ａｌ／Ｎｂ基本结构的质量作了检验；基于这些分析，从实验上确定了用直流磁控溅射制备该结构时的最佳参数．     

磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的制备和物性

用等离子体氧化形成绝缘层的方法,重复性地制备出了Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ磁性隧道结。样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ）比值在室温下最高可达６．０％,翻转场（ｓｗｉｔｃｈ ｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ,平台宽度约２４００Ａ／ｍ。结电阻的变化范围从几百欧姆到几百千欧。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnS:Sm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｓｍ,Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线,研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在电驱动下１６Ｖ启亮,最大亮度为１８．４ｃｄ／ｍ＾２,最大效率为０．０６１ｍ／Ｗ。     

无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8＋x单晶内禀结

我们发展了一种简易的、无光刻法制备Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋ｘ单晶内禀结的新型工艺，制备过程简单，重复性好，成功率高，结面积在２０μｍ×２０μｍ～８０μｍ×８０μｍ之间．同时，我们测量了内禀结的直流Ｉ～Ｖ特性，得到了具有多路电阻分支的内禀约瑟夫逊直流Ｉ～Ｖ特性曲线     

Spiro－Oxaziue染料掺杂高分子材料光致变色效应的研究

报道Ｓｐｉｒｏ－Ｏｘａｚｉｕｅ染料掺杂高分子（ＳＯ／ＰＶＡ）膜具有很强的可逆光致变色效应，通过对这种高分子膜吸收光谱的测试，证实ＳＯ分子具有二个特征吸收带，一个在３６０ｎｍ，另一个在５９５ｎｍ，分别对应于二个分子异构体ＳＯ１和ＳＯ２，有关这种ＳＯ／ＰＶＡ光致变色过程的研究给出了ＳＯ１对紫外光和ＳＯ２对可见光（波长在５１５ｎｍ）的吸收系数分别为１．２ｃｍ２／Ｊ和６×１０－２ｃｍ２／Ｊ，ＳＯ２的寿命为３８ｓ。最后本文给出了采用这种ＳＯ／ＰＶＡ膜实现紫外－可见光图像转换和空间光调制操作的实验演示结果     

以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnSvSm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳｖＳｍ , Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线, 研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在市电频率驱动下１６ Ｖ启亮, 最大亮度为１８．４ ｃｄ／ｍ ２, 最大效率为０．０６ ｌｍ ／Ｗ。     

YBCO薄膜双晶结DC SQUID的研制

在优化ＹＢＣＯ薄膜的制备工艺和研究双晶结的电流密度Ｊｃ和结的正常态电阻Ｒｎ与结宽的关系的基础上，在角度差为２８度的ＹＳＺ双晶基片上设计和制作了双晶结ＤＣ ＳＱＵＩＤ。双晶结的Ｉ－Ｖ特性基本符合ＲＳＪ模型，结宽为４μｍ的双晶结的正常态电阻Ｒｎ为２．４Ω，在２３．４ＧＨｚ微波辐射场中观察到Ｓｈａｐｒｉｏ微波感应台阶。所研制的结宽为４μｍ的双晶结的ＤＣ ＳＱＵＩＤ最大电压调制深度为１５μＶ，特征电压Ｉｃ     

CuPc／InP（O／I）异质结的电学特性及其引起的Raman效应

本文首次报导了ＣｕＰｃ／ＩｎＰ，Ｈ２Ｐｃ／ＩｎＰ（Ｏ／Ｉ）异质结的整流（Ｊ－Ｖ）特性和电容电压（Ｃ－Ｖ）特性，并研究了Ｏ／Ｉ界面态对ＣｕＰｔ ＬＢ膜Ｒａｍａｎ光谱的影响，这种影响导致了ＣｕＰｃ ＬＢ膜分子产生了新的正则振动模。     

XeCl激光诱发SF6气体击穿及高压开关触发特性的研究

给出了ＸｅＣｌ激光诱发ＳＦ６气体击穿及高压开关触发特性的研究结果。ＳＦ６气体击穿所需要的ＸｅＣｌ激光的功率密度很强地随气体压强而变，在ＳＦ６气体压强为０．０２ＭＰａ时，击穿功率密度为４．６ＧＷ／ｃｍ＾２，当压强为０．０４８ＭＰａ时，击穿阈值达最小值为３．２ＧＷ／ｃｍ＾２，而在高气压情况（气压大０．０２ＭＰａ），其所需功率密度触发特性：对自由击穿电压Ｖａｂ≈６０ＫＶ的小型开关，在充电电压Ｖｃｈ＝０．     

高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器

采用金属有机化合物气相淀积（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ Ｇ Ｒ Ｉ Ｎ）异质结结构的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ａｌ Ｇａ Ａｓ 应变双量子阱激光器。该激光器的波长为 ９７０～９８２ ｎｍ ,室温连续工作阈值电流密度为１４０ Ａ／ｃｍ ２, 工作在０．９ Ａ 时单面连续输出光功率为５２０ ｍ Ｗ , 工作在２．０ Ａ 时, 连续输出光功率为 １．４９ Ｗ , 最高功率可达 ２．４ Ｗ 。微分量子效率高达０．８３ Ｗ ／ Ａ。     

从非晶态多层膜制备超晶格的中温退火法

从非晶态多层膜制备超晶格的中温退火法俄勒冈大学化学系和村料科学所Ｊｏｈｎｓｏｎ小组在《Ｓｃｉｅｎｃｅ》发表研究报告称：利用中温退火使非晶态多层膜转化为ＮｂＳｅ２／ＴｉＳｅ２超晶格．最初的多层膜由Ｓｅ／Ｎｂ／Ｓｅ／Ｔｉ／Ｓｅ…组成，其厚度严格受控，使反...     

掺杂聚合物蓝光发光二极管

报道了用有机染料ＴＰＢ（１，ｌ，４，４－四苯基丁二烯）分散到ＰＶＫ（聚乙烯基咔唑）中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备，用透明导电材料ＩＴＯ（铟锡氧化物）、金属Ａｌ作为正负电极。器件正向偏压为１３Ｖ时，可以看到蓝光发射，峰值波长为４５５ｎｍ，注入电流为５０ｍＡ／ｃｍ２时，亮度为４４ｃｄ／ｍ２。     

高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射

我们制作了一种可在６—１１Ｖ偏压范围内均匀发射可见光的新型金属—绝缘体—金属结型发光器件，其内层结构是Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＦ２－Ａｎ（Ｃｕ），其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的Ｍ－Ｏ－Ｍ遂道结型发光器件．本文首次报导并论证了这一由Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子所激发的光发射及其物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在ＡＯ（Ｃｕ）－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ（Ｃｕ）－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合．这一图象与该器件的电流—电压（Ｉ—Ｖ）、电流—温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致．     

低压驱动薄膜电致发光特性及其机理的研究

采用低电阻率为Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合层制备了出低压驱动Ｚｎｓ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下，当驱动电压为６０Ｖ，频率为５０Ｈｚ，发光亮度在２００ｃｄ／ｍ＾２以上，这种器件具有其独特的亮度－电压特性和电荷存储量－电压特性，利用空间电荷限制电流模型分析了发光层中空间电荷，电场强度在这种低压驱动电致发光器件发光层中的分布特性，并对低压驱动薄膜电致发光机理，亮度     

铝的激发光谱的测量

用１２０ｋｅＶ的Ａｌ＋离子与１０μｇ／ｃｍ２的碳箔相互作用，研究ＡｌⅠ、ＡｌⅡ和ＡｌⅢ的激发光谱，其结果与其它实验进行了比较。     

高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs／AlGaAs应变双量子阱？…

采用金属有机化合物气相淀积（ＭＯＣＶＤ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ＧＲＩＮ）异质结构的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变双量子阱激光器。该器的波长为９７０－９８２ｎｍ,室温连续工作阈值电流密度为１４０Ａ／ｃｍ＾２,工作在０．９Ａ时单面连续输出光功率为５２０ｍＷ,工作在２．０时,连续输出光功率为１．４９Ｗ,最高功率可达２．４Ｗ,微分量子效率高达０．８３Ｗ／Ａ。