约瑟夫森结AlOx-Al隧道势垒的实验研究

通过Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、阳极氧化电压谱（ＡＶＳ）和Ｆｉｓｋｅ台阶电压的测量，研究了约瑟夫森结中ＡｌＯ_x-Ａｌ隧道势垒．发现结的隧道势垒最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ，Ａｌ上形成ＡｌＯ_x厚度只取决于氧化条件，与沉积Ａｌ厚无关，势垒Ａｌ氧化物可能含有一个像ＡｌＯＯＨ态的ＯＨ基团．同时，估算了剩余Ａｌ厚度，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间在４.２Ｋ时，由常态Ａｌ而产生临近效应的存在 关键词：     

高质量的光刻胶图型及它对Nb／AlOx—Al／Nb隧道结制备的影响

本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Ｎｂ／ＡｌＯｘＡｌ／Ｎｂ的制备．借助于ＳＥＭ，利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺，并分析了其对铌结特性的影响．结面积为７μｍ２的铌结具有典型的ＩＶ曲线，在４．２Ｋ时，他们的特性参数Ｖｍ～２０ｍＶ，能隙电压Ｖｇ～２．７ｍＶ，临界电流密度Ｊｃ～３０００Ａ／ｃｍ２，比电阻ρｎ～１μΩｃｍ２．这些铌结能够被直接应用于ｄｃＳＱＵＩＤ．     

酞菁钴/铁纳米填充母粒的制备及其稳定性

采用有机／无机原位复合技术,将酞菁钴（ＣｏＰｃ）的ＤＭＦ溶液与Ｆｅ（ＣＯ）５混合、加热回流制备出稳定的、规则球形的、平均粒径为１．４μｍ的酞菁钴／铁纳米填充母料。其内部为１０￣１５ｎｍ的α－Ｆｅ填充,外部为厚５０￣１５０的酞菁钴层包覆。纳米填充母粒的填３实密度为３．６６４ｇ／ｃｍ＾３,比饱和磁化强度为７６．３Ａｍ＾２／ｋｇ,矫顽力为４．１５ｋＡ／ｍ,纳米填充母粒的热稳定性高于１５０℃,与甲基硅油组     

高功率梯度折射率分别限制异质结构InGaAs/AlGaAs应变双量子阱激光器

采用金属有机化合物气相淀积（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ Ｇ Ｒ Ｉ Ｎ）异质结结构的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ａｌ Ｇａ Ａｓ 应变双量子阱激光器。该激光器的波长为 ９７０～９８２ ｎｍ ,室温连续工作阈值电流密度为１４０ Ａ／ｃｍ ２, 工作在０．９ Ａ 时单面连续输出光功率为５２０ ｍ Ｗ , 工作在２．０ Ａ 时, 连续输出光功率为 １．４９ Ｗ , 最高功率可达 ２．４ Ｗ 。微分量子效率高达０．８３ Ｗ ／ Ａ。     

Ag/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/YBa2Cu3O7-x三端器件构造和性能的研究

应用脉冲激光沉积法和光刻技术我们成功地制作Ａｇ／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＰＺＴ／ＹＢＣＯ）三端器件．为了降低矫顽场,应用变形相界（ｘ≈０．５３）的５５０纳米厚的ＰＺＴ作为门电极,通过优化沉积条件和门电极面积小型化（６×１０－６ｃｍ２）,在６４Ｋ下三端器件门电极显示了极好的电性能,低的矫顽场（～３７ｋＶ／ｃｍ）、大的饱和极化强度（６０μＣ／ｃｍ２）、剩余极化强度（４１μＣ／ｃｍ２）以及击穿电压～３×１０５Ｖ／ｃｍ．对于我们的场效应器件,在±９Ｖ的情况下沟道电阻被调制～３％．     

含隧道效应校正和曲率校正的单分子正则速率常数计算及应用

本文根据微正则与正则系综的关系给出了包含隧道效应校正和曲率校正、用积累反应几率表达的单分子反应的正同速率公式ｋＱＭ（Ｔ），应用自编程序，对氟代乙炔氢迁移反应（Ｉ）和二氟代乙炔氟迁移反应（Ⅱ）计算了含隧道效应和曲率校正的单分子反应的（ｋＱＭ（Ｔ）和ｋＱＭ（Ｔ）／Ａ≠１）。结果表明：隧道效庆和曲率正只在低温区对氢迁移反应（Ⅰ）的速率常数具有明显的影响，对氟迁称反应（Ⅱ）影响极小，随着温度的升高，两者对     

激光驱动的光阴极研究

论述激光驱动的光阴极实验研究。包括直流高压真空试验系统，测试装置和实验结果及其分析讨论。ＬａＢ６、纯金属铜（Ｃｕ）和钐（Ｓｍ）以及半导体碲化铯（Ｃｓ２Ｔｅ）三类有代表性光阴极的量子效率分别是６×１０－４、３．８×１０－４、１１．６×１０－４和（２～６）×１０－２。利用ＫｒＦ激光，１８ｋＶ极间电压下饱和电流密度分别为７０Ａ／ｃｍ２、５０Ａ／ｃｍ２、１０２Ａ／ｃｍ２和５７Ａ／ｃｍ２。用多孔板法测得的归一化发射度约１０πｍｍ·ｍｒａｄ。     

磁电子学讲座 第五讲 自旋极化输运及隧道巨磁电阻效应

简要回顾了利用量子隧道效应测定铁磁金属传导电子自旋极化率的研究历史．综述了自旋极化电子隧穿效应导致的“铁磁金属／非磁绝缘体／铁磁金属”三层平面型隧道结（简称ＦＭ／Ｉ／ＦＭ隧道结）中的巨磁电阻效应以及“铁磁金属／非磁绝缘体”颗粒膜系统中的隧穿类型巨磁电阻效应的研究进展．     

STM的同胞兄弟--原子力显微镜(AFM)

介绍了在扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）基础上发展起来的原子力显微镜（ＡＦＭ）的工作原理、关键部分、工作模式及其应用。     

弹道电子发射显微术的研究进展

弹道电子发射显微镜（ＢＥＥＭ）是在扫描隧道显微镜基础上发展起来的用于界面无损探测的分析仪器。在描述这种仪器的基本工作原理的基础上，介绍了几种理论模型，并以Ａｕ－ｎ－ｓｉ（１００），Ａｕ／ｎ－ＧａＡ（１００）两种界面系统为例，对实验结果进行了解释，介绍了用这种仪器对金属／半导体界面势垒的探测方法和分析方法。     

利用金属掩模法制备钉扎型磁性隧道结

利用金属掩模法和Ir22Mn78合金反铁磁钉扎层，制备了四种钉扎型的Py/Al2O3/Py，Py/Al2O3/Co，Co/Al2O3/Py和Co/Al2O3/Co磁性隧道结，坡莫合金的成分为Py＝Ni79Fe21.例如：利用狭缝宽度为100?μm的金属掩模，直接制备出室温隧穿磁电阻比值为17.2%的磁性隧道结Co/Al2O3/Co，其结电阻为76Ω,结电阻和结面积的积矢为76×10_{4Ωμm2，自由层的偏转场为1114?A/m，并且在外加磁场0.1114A·m-1之间时室温磁电阻比值 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 金属掩模}     

磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的研究

用等离子体氧化形成中间绝缘层的方法可重复制备出具有隧道磁电阻（TMR)效应的Ni₈₀Fe₂₀/Al₂O₃/Co磁性隧道结.光透射谱等实验结果表明等离子体氧化能可控制地制备较致密的Al₂O₃绝缘层.样品的TMR比值在室温下最高可达6.0％,反转场可低于800A/m,相应的平台宽度约为2400A/m.结电阻R_j的变化范围从百欧到几百千欧,并且TMR比值随零磁场结偏压增大单调减小. 关键词：     

ICP-AES法测定Pd/Al_2O_3中钯的干扰问题

本文研究了用 ICP- AES法测定 Pd/Al2 O3催化剂中钯所存在的干扰问题。考察了基体及所用试剂对钯测定的影响 ,发现氧化铝基体、硫酸等对钯的测定均有负干扰 ,提出采用基体匹配法测定 Pd/Al2 O3中的钯含量。方法回收率在 96%以上 ,9次测定相对标准偏差小于 3%     

Tunnel Мagnetoresistive Еlements for Magnetic Field Sensors

Technical Physics - We have developed technology for manufacturing chains of CoFe/Al2O3/NiFe tunnel magnetoresistive (TMR) elements with pinning on the IrMn antiferromagnetic layer. We have studied...     

Al和Fe替代对La0.67Ca0.33MnO3体系结构和M-I转变的影响

研究了Al和Fe替代的La0.67Ca0.33Mn1-xMxO3体系的结构特征及其对金属-绝缘转变的影响.结果表明,随Fe替代含量的增加,晶胞体积并未有显著的变化;而随Al替代含量的增加,在整个替代范围内,晶胞体积表现为单调减小.两种替代均使体系的电阻率急剧增加,绝缘-金属转变温度TIM向低温方向移动.对少量替代含量,在T<TIM的低温区域满足金属输运行为,这种输运行为随Al和Fe离子替代含量的变化特征,可从Al3+离子和Fe3+离子对Mn3+-O2--Mn4+双交换通道的破坏给予解释.对于较高的替代含量,Al离子的替代除通过形成Al3+-O2--Mn4+作用通道影响双交换外,由晶格畸变所导致的电声子耦合变化也会影响双交换,而对于Fe离子的替代,由于反铁磁簇的存在所诱发的Mn离子自旋对电子的散射可能是影响体系输运特性的重要原因.     

Investigation of a 4H-SiC metal-insulation-semiconductor structure with an Al2O3/SiO2 stacked dielectric

Atomic layer deposited(ALD) Al2O3 /dry-oxidized ultrathin SiO2 films as a high-k gate dielectric grown on 8°off-axis 4H-SiC(0001) epitaxial wafers are investigated in this paper.The metal-insulation-semiconductor(MIS) capacitors,respectively with different gate dielectric stacks(Al2O3/SiO2,Al2O3,and SiO2) are fabricated and compared with each other.The I-V measurements show that the Al2O3/SiO2 stack has a high breakdown field(≥12 MV/cm) comparable to SiO2,and a relatively low gate leakage current of1×10-7A/cm2 at an electric field of4 MV/cm comparable to Al2O3.The 1-MHz high frequency C-V measurements exhibit that the Al2O3/SiO2 stack has a smaller positive flat-band voltage shift and hysteresis voltage,indicating a less effective charge and slow-trap density near the interface.     

Al,F-doped new perovskite lithium fast ion conductor Li3x La2/3−x□1/3−2x Ti1−y Al y O3−y F y (x=0.11)

Al, F-doped new perovskite lithium ion conductors (x=0.11) have been prepared by solid state reaction. It is found that a pure perovskite-structured phase with space group of P4mm(99) exits in the composition range of 0<y≤0.10. The sample with y=0.02 possesses the highest ionic conductivity of 1.06×10⁻³ S/cm at room temperature, and its decomposing voltage is 2.3 V. The factors affecting the conductivity of this system are discussed.     

Room-temperature tunnel magnetoresistance and spin-polarized tunneling through an organic semiconductor barrier

Electron spin-polarized tunneling is observed through an ultrathin layer of the molecular organic semiconductor tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3). Significant tunnel magnetoresistance (TMR) was measured in a Co/Al2O3/Alq3/NiFe magnetic tunnel junction at room temperature, which increased when cooled to low temperatures. Tunneling characteristics, such as the current-voltage behavior and temperature and bias dependence of the TMR, show the good quality of the organic tunnel barrier. Spin polarization (P) of the tunnel current through the Alq3 layer, directly measured using superconducting Al as the spin detector, shows that minimizing formation of an interfacial dipole layer between the metal electrode and organic barrier significantly improves spin transport.     

Structural and Magnetic Properties of the Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co System

Technical Physics - The Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co system with an Al2O3 buffer layer deposited by ion-plasma sputtering has been experimentally investigated. The dependences of the magnetic properties of...     

Al3O3N纳米线的制备与表征

在H2+Ar混合气氛中加入少许N2+O2气氛，采用直流电弧等离子体法制备了Al3O3N纳米线.用XRD，SEM，TEM，HRTEM测定了纳米线的成分、形貌特征、显微结构等.Al3O3N纳米线直径分布为25—110nm，长度达55μm.Al3O3N纳米线是尖晶石结构.另外，对Al3O3N纳米线的生长机理进行了研究. 关键词： 纳米线 等离子体 纳米结构陶瓷 尖晶石结构