耐熔金属约瑟夫逊隧道结制备中Nb／AlO_x－Al／Nb结构质量的检验

在耐熔金属约瑟夫逊结制备过程中，我们应用各种分析技术对Ｎｂ／ＡｌＯｘ－Ａｌ／Ｎｂ基本结构的质量作了检验；基于这些分析，从实验上确定了用直流磁控溅射制备该结构时的最佳参数．     

高质量的光刻胶图型及它对Nb／AlOx—Al／Nb隧道结制备的影响

本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Ｎｂ／ＡｌＯｘＡｌ／Ｎｂ的制备．借助于ＳＥＭ，利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺，并分析了其对铌结特性的影响．结面积为７μｍ２的铌结具有典型的ＩＶ曲线，在４．２Ｋ时，他们的特性参数Ｖｍ～２０ｍＶ，能隙电压Ｖｇ～２．７ｍＶ，临界电流密度Ｊｃ～３０００Ａ／ｃｍ２，比电阻ρｎ～１μΩｃｍ２．这些铌结能够被直接应用于ｄｃＳＱＵＩＤ．     

YCO／CeO2／LaAlO3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱结合透射电子显微镜对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究。结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，基本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多。ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜。     

双靶磁控溅射镀膜机及镀膜工艺

介绍了双靶磁探溅射镀膜机的结构、工作原理、主要功能同时还简述了非反应与反应溅射相结合的工艺技术，制备了渐米Ａｌ－Ｎ／Ａｌ太阳能选择性吸收涂层以及ＴｉＯ２／Ａｌ反光保护膜层。     

海水的非线性声学参量B／A的研究

本文对不同盐度、不同温度下的ＮａＣｌ溶液及按Ｌｙｍａｎ—Ｆｌｅｍｉｎｇ配方配制的人造海水的非线性声学参量Ｂ／Ａ进行了测量，并与文献中的计算值进行比较。结果表明，ＮａＣｌ溶液的Ｂ／Ａ值随温度的增加而线性增加，随盐度的增加略有增加，人造海水的Ｂ／Ａ值随温度的增加而线性增加，相同盐度的ＮａＣｌ溶液的Ｂ／Ａ的测量值与文献中的计算值基本相符，ＮａＣｌ溶液可近似模拟同样盐度的海水。     

快速热退火引起的GaAs／AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究

用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究 。用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大，对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程中进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下     

GaAs／GaAlAs脊型波导交变式Δβ耦合器

研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式Δβ耦合器．通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量，以及采用反应离子刻蚀和剥离等技术，使器件总损耗降为１０ｄＢ，消光比为２６．８ｄＢ，器件在１．３μｍ下实现单模工作．     

GaAs／GaAlAs脊型波导交变式△β耦合器

研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式△β耦合器。通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量，以及采用反应离子刻蚀和和剥离等技术，使器件总损耗降为１０ｄＢ，消光比为２６．８ｄＢ，器件在１．３μｍ下实现单模工作。     

用LiF／Al作阴极的高效率有机发光器件

用ＬｉＦ／Ａｌ作阴极的高效率有机发光器件＊赵伟明刘祖刚唐春玖蒋雪茵张志林许少鸿（上海大学材料科学与工程学院，上海２０１８００）Ａｌ电极是非常好的接触材料，但是Ａｌ的高功函数（４．３ｅＶ）阻碍了它在有机发光二极管（ＬＥＤ）中的应用。近来，有报道在Ａｌ电...     

GaAlAs／GaAs量子阱结构的实验研究

利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料，对样品进行了光荧光谱、双晶Ｘ射线衍射和电化学电容－电压分布测量。实验结果表明，样品质量达到了设计要求，利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果。     

AlxGa1—xAs／GaAs异质结材料的XPS研究

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法测得的Ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。     

KNO3／Al2O3和K2CO3／Al2O3的强碱性研究

采用ＣＯ２－ＴＰＤ及Ｈａｍｍｅｔｔ批示剂法测定了ＫＮＯ３／Ａｌ２Ｏ３及Ｋ２ＣＯ３／Ａｌ２Ｏ３样品的碱量和碱强度。当ＫＮＯ３，Ｋ２ＣＯ３的负载量低于其单层分散阈值时，能在ＡｌＯ３均匀分布并产生强度为１８．４的强碱位；高于其单层分散阈值后则能生成强度为２７．０的超强碱位。     

Ag／YBa_2Cu_3O（7－x）、Al／YB_2Cu_3O（7－x）界面特性

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ和Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－ｘ）（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和互扩散特征进行了测试分析．分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二者与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同．这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ的超导性能．在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布及ＹＢＣＯ的超导性能影响不大，且有利于在界面形成好的电学接触；在Ａｌ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火后，界面则主要发生Ｏ向Ａｌ膜体内的扩散，并在Ａｌ和ＹＢＣＯ界面生成一不导电的氧化层，这些将影响到ＹＢＣＯ体内Ｏ的分布和接触窗口下的ＹＢＣＯ的超导性能．在合适的退火条件（约５００℃氧气氛中）下退火，Ａｇ与ＹＢＣＯ将形成小的接触电阻，利用剥离工艺制备的样品，其界面接触电阻率ρ（ρｃ＝Ｒ×Ａ）高于是１０（－６）Ωｃｍ２．     

[Pd／Co—Nb／Pb／Si]多层膜的结构与磁性

用频溅射法制备了两套「Ｐｂ／Ｃｏ－Ｎｂ／Ｐｄ／Ｓｉ」多层膜，分别用Ｘ射线衍射和振动样品磁强计做了结构和磁性测量。随Ｐｄ层厚度增加，Ｐｄ层由非晶态过渡到晶态，并观察到Ｐｄ的ｆｃｃ（１１１）双峰结构，双峰的位置逐渐从两侧向体材料Ｐｄ的ｆｃｃ（１１１）峰的位置靠近。     

ZrO2对提高CuO／γ—Al2O3催化剂热稳定性的作用

运用ＸＲＤ，ＢＥＴ比表面积，Ｃｕ活性表面积和ＣＯ氧化活性测定，研究了ＺｒＯ２对提高ＣｕＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂热稳定性的作用，研究结果表明，ＣｕＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂加剂一定量的助剂ＺｒＯ３在９５０℃高温焙烧下，除了能提高ＣＯ转化率外，还能延缓载体γ－Ａｌ２Ｏ３的α相变，保持较高的比表面积，同时能抑制活性组分的聚结，保持较大的Ｃｕ活性表面积，从而提高了ＣｕＯ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂，热稳定性ＺｒＯ     

垂直电子耦合InGaAs量子吉的光学特性

报导了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直耦合量子结在注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱，量热吸收谱和电致荧光谱的特性，该激光器的连续波波发光功率在室温下可达１Ｗ。     

SCH量子阱激光器的光学限制特性

通过对描述半导体激光器基本光波导方程的数值求解，分析了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ分别限制量子阱激光器的光学限制特性，比较了不同缓变结构及多量子阱结构的光学限制因子。     

Ag／YB12Cu3O7—x,Al／YBa2Cu3O7—x界面特性分析

利用电学测量方法结合二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术对金属Ａｇ与Ａｌ与ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）超导薄膜接触界面电学性质和扩散特征进行了测试分析，分析结果显示由于Ａｇ和Ａｌ具有不同的化学性质，二与ＹＢＣＯ界面的互扩散特性有明显不同，这些不同影响到接触界面的电学性质和接触窗口下ＹＢＣＯ超导性能，在Ａｇ／ＹＢＣＯ样品中，在高于３５０℃以上的温度下氧气氛中退火将引起Ａｇ和Ｏ的界面互扩散，但对ＹＢＣ     

Ba,Sr,Ca在Co／γ—Al2O3催化剂上CO氧化的作用机制（II）

用硝酸盐水溶液等量共浸法制备了分别在７５０℃和９００℃焙烧的系列催化剂Ｃｏ－Ｍ／γ－Ａｌ２Ｏ３（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｏ３Ｏ４／Ａｌ２Ｏ３＝８ｗｔ％，Ｍ／Ｃｏ＝１５ｍｏｌ％）测定了ＣＯ氧化转化率，用ＢＥＴ表面，ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＤＴＡ和ＴＰＲ等手段研究了助剂Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ的作用，结果表明，加入助剂后，ＣＯ完全转化温度下降了２０～６０℃左右，助剂的作用顺序为Ｃａ＞Ｓｒ＞Ｂａ，实验表明，７５０℃和９     

GaAs／GaAlAs光电阴极量子效率相关参数测量方法的研究

针对三代微光中ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ光电极研制的特点，提出一些与阴极量子效率相关的参数的测量方法，以供阴极工艺研究参考。