| 磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的制备和物性 |
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| 引用本文： | 陈璟,杜军,吴小山,潘明虎,龙建国,张维,鹿牧,翟宏如,胡安.磁性隧道结Ni80Fe20/Al2O3/Co的制备和物性[J].物理,2000,29(1):5-6,18. |
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| 作者姓名： | 陈璟 杜军 吴小山 潘明虎 龙建国 张维 鹿牧 翟宏如 胡安 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093
2. 南京大学现代分析中心,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，高等学校博士点基金，95 国家攀登计划项目 |
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| 摘 要： | 用等离子体氧化形成绝缘层的方法，重复性地制备出了Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ磁性隧道结。样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ）比值在室温下最高可达６．０％，翻转场（ｓｗｉｔｃｈ ｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ，平台宽度约２４００Ａ／ｍ。结电阻的变化范围从几百欧姆到几百千欧。
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| 关 键 词： | 磁性隧道结 隧道磁电阻 等离子体氧化 绝缘层 |
PREPARATION AND PROPERTIES OF Ni80Fe20/Al2O3/Co MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS |
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| CHEN Jing,DU Jun,WU Xiao-Shan,PAN Ming-Hu,LONG Jian-Guo,ZHANG Wei,Lu Mu,ZHAI Hong-Ru,HU An.PREPARATION AND PROPERTIES OF Ni80Fe20/Al2O3/Co MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS[J].Physics,2000,29(1):5-6,18. |
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| Authors: | CHEN Jing DU Jun WU Xiao-Shan PAN Ming-Hu LONG Jian-Guo ZHANG Wei Lu Mu ZHAI Hong-Ru HU An |
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| Abstract: | With plasma oxidization to create an insulating layer of Al\-2O\-3,we have repeatedly fabricated Ni 80 Fe 20 /Al\-2O\-3/Co magnetic tunnel junctions which show obvious tunneling magnetoresistance (TMR) effect.At room temperature,the maximum TMR ratio reaches 6 0%.The switch field can be less than 800A/m with a relative step width of about 2400A/m.The junction resistance changes from hundreds of ohms to hundreds of kilohms. |
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| Keywords: | magnetic tunnel junction tunneling magnetoresistance |
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