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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
通过X光电子能谱(XPS)、阳极氧化电压谱(AVS)和Fiske台阶电压的测量,研究了约瑟夫森结中AlOxAl隧道势垒.发现结的隧道势垒最佳沉积Al层厚度为7nm,Al上形成AlOx厚度只取决于氧化条件,与沉积Al厚无关,势垒Al氧化物可能含有一个像AlOOH态的OH基团.同时,估算了剩余Al厚度,证实了结中Al/Nb间在42K时,由常态Al而产生临近效应的存在  相似文献   

2.
利用分子束和飞行时间质谱技术研究了激光烧蚀金属Al原子与4种不同的卤代甲烷:CCl4,CF3Cl,CF3Br,CF4的气相反应,由激光电离飞行时间质谱检测的结果表明,Al与CF3Cl反应生成AlCl,而与CF3Br反应生成AlBr,与CCl4及CF4反应分别生成ACl及AlF。  相似文献   

3.
通过X光电子能谱(XPS)、阳极氧化电压谱(AVS)和Fiske台阶电压的测量,研究了约瑟夫森结中AlOx-Al隧道势垒.发现结的隧道势垒最佳沉积Al层厚度为7nm,Al上形成AlOx厚度只取决于氧化条件,与沉积Al厚无关,势垒Al氧化物可能含有一个像AlOOH态的OH基团.同时,估算了剩余Al厚度,证实了结中Al/Nb间在4.2K时,由常态Al而产生临近效应的存在 关键词:  相似文献   

4.
以马尔可夫链近似模拟线光沸石脱铝过程,用MonteCarlo方法计算脱铝丝光沸石中骨架Si-Al近邻分布{Si(n-Al);n=0-4}和Al-Al次部分布{Al(m-Al);m=0-3}随铝浓度的演化。为使Si-Al近邻分布与对脱铝丝光沸石样品的^2^9SiMASNMR观测相符,而得到丝光沸石弱酸铝易于解脱的结论,这个结构与八面沸石弱酸铝易于解脱相反。根据计算丝光沸石脱铝的开始阶段,强酸中心...  相似文献   

5.
测量了CuAl 混合粉末经过不同时间球磨后的27Al 核磁共振(NMR) 谱,分析了27Al NMR 谱的特征参量随球磨时间的变化.根据27Al NMR 谱所提供的信息,研究了CuAl 混合粉末机械合金化反应的微观过程.CuAl 混合粉末的27Al Knight 位移随球磨时间的增加而减小.对于CuAl 混合粉末,球磨不仅改变了27Al 附近的化学短程序,而且也直接地影响了27Al 的外层电子态,后者使传导电子的s 态成分减小.实验结果表明,CuAl 混合粉末在球磨过程中发生了真正的合金化反应;经过90 h 球磨完成了合金化反应;用机械合金化法制备的CuAl 合金与用熔融法制备的同成分合金有相同的化学短程序  相似文献   

6.
丝光沸石的Monte Carlo研究 Ⅰ,原粉丝光沸石的硅,铝分布   总被引:1,自引:0,他引:1  
丝光沸石原粉样品骨架上硅、铝原子占据是不违反Loewenstein's rule。而且Al-Al彼此次最近邻回避的随机分布。基于这个设想模型,Model-2的Monte Carlo计算所得到的Si-Al近邻分布{Si(n-Al)}相对于未考虑Al-Al次最近邻回避原则的Model-1或二项分布模型计算与^29Si MASNMR实验观测有较好的符合。根据Model-2我们也计算了Al-Al次邻分布{  相似文献   

7.
铝在镀锌板镀层中的分布   总被引:2,自引:0,他引:2  
用GD-AES法测定镀锌板镀层中的Zn,Al,Fe的分布,看到在镀层界面上Al的富集现象,而且富集程度随锌液中Al含量的增加而更显著,认为这可能与热浸时首先生成Fe-Al相有关。  相似文献   

8.
刘学彦 《发光学报》1998,19(4):361-363
由于GaAs与AlAs晶格常数相近,GaAs晶格常数为0.56535nm,AlAs的晶格常数为0.56605nm,当固熔体中Al组份x值从0变到1时,晶格常数变化约为0.15%.因此,在GaAs衬底上生长Ga1-xAlxAs时,在界面处的失配位错少,...  相似文献   

9.
闵新民  邓志平 《计算物理》1997,14(4):669-670
应用自洽场离散变分量子化学分子轨道计算方法研究铁铝酸盐水泥矿物,讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明,Al净电荷高于Fe,Al-O共价键弱于Fe-O同时,随Al含量的增加,Al净电荷增高,Al-O共价健减弱,最低空轨道能量降低,是铁铝酸盐水化活性随铝含量的增加而提高的主要原因。  相似文献   

10.
用LiF/Al作阴极的高效率有机发光器件   总被引:1,自引:1,他引:0  
赵伟明  刘祖刚 《光学学报》1998,18(8):152-1152
用LiF/Al作阴极的高效率有机发光器件*赵伟明刘祖刚唐春玖蒋雪茵张志林许少鸿(上海大学材料科学与工程学院,上海201800)Al电极是非常好的接触材料,但是Al的高功函数(4.3eV)阻碍了它在有机发光二极管(LED)中的应用。近来,有报道在Al电...  相似文献   

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