排序方式: 共有110条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
Formation mechanism of incubation layers in the initial stage of microcrystalline silicon growth by PECVD 总被引:5,自引:0,他引:5 下载免费PDF全文
The incubation layers in microcrystalline silicon films
(\muc-Si:H) are studied in detail. The incubation layers in
\muc-Si:H films are investigated by bifacial Raman spectra,
and the results indicate that either decreasing silane
concentration (SC) or increasing plasma power can reduce the
thickness of incubation layer. The analysis of the in-situ
diagnosis by plasma optical emission spectrum (OES) shows that
the emission intensities of the SiH*(412\,nm) and H_\al
(656nm) lines are time-dependent, thus SiH*/H_\al ratio is
of temporal evolution. The variation of SiH*/H_\al ratio can
indicate the variation in relative concentration of precursor
and atomic hydrogen in the plasma. And the atomic hydrogen plays
a crucial role in the formation of \muc-Si:H; thus, with the
plasma excited, the temporal-evolution SiH*/H_\al ratio has a
great influence on the formation of an incubation layer in the
initial growth stage. The fact that decreasing the SC or
increasing the plasma power can decrease the SiH*/H_\al ratio
is used to explain why the thickness of incubation layer can
reduce with decreasing the SC or increasing the plasma power. 相似文献
72.
用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO/Al背反射电极 总被引:2,自引:0,他引:2
本文首先在低温(140℃)和低功率下采用Zn:Al合金靶直流反应磁控溅射法研制ZnO:A1透明导电膜.然后在单结(glass/SnO2/pin/)或双结(glass/SnO2/pin/pin/)非晶硅电池上沉积约70~lOOnm厚的ZnO透明导电膜,最后再用电阻蒸发法沉积Al电极.实验获得了较好的n+/ZnO界面,实现了ZnO/Al背电极的增反作用,使电池的短路电流增加1~3mA/cm2,光电转化效率提高1~3;(绝对效率),小面积电池效率达到9.5;. 相似文献
73.
用等离子体源辅助分子束外延(P-MBE)方法在蓝宝石(0001)面上生长出了高质量的ZnO薄膜,并对其结构和发光特性进行了研究。在XRD中只观察到ZnO薄膜的(0002)衍射峰,其半高宽(FWHM)值为0.18°;而在共振Raman散射光谱中观测到1LO(579 cm-1 )和2LO(1 152 cm-1 )两个峰位,这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰,这表明在ZnO薄膜中激子稳定的存在于室温,并且两峰之间能量间隔为71.2 meV,与文献上报道的ZnO纵向光学声子能量(71 meV)相符。室温下在光致发光光谱(PL)中仅观测到位于376 nm处的自由激子发光峰,而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。 相似文献
74.
利用传输矩阵方法,研究了一维电介质-金属光子晶体的光学特性,该光子晶体通过在Si/SiO2组成的电介质型光子晶体中插入一定厚度Al层形成。计算结果表明,金属层的引入可以有效提高反射效率,[Si(46 nm)/SiO2(60 nm)/Al(10 nm)/SiO2(60 nm)]5结构的单位周期传输衰减从[Si(46 nm)/SiO2(120 nm)]5的7.2 dB增大到了20 dB;可以得到更宽频率范围的全方向反射带隙,例如[Si(46 nm)/SiO2(60 nm)/Al(30 nm)/SiO2(60 nm)]5结构即可提供550 nm带宽的全方向反射;同时讨论了金属吸收、金属层厚度及插入位置对其光学特性的影响。这种电介质-金属光子晶体有望作为性能优异的光学反射镜得到应用。 相似文献
75.
本文采用VHF-PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响.电学特性和结构特性测试结果表明:在10W的功率条件下,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料;在30W时,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大,光敏性也相应的降低,50W的条件表现出相类似的结果,初步分析是氧引起的差别;激活能的测试结果也表明,使用纯化器会降低材料中的氧含量,即表现激活能相对大;另外,沉积速率的测试结果也给出:耗尽区所在位置与是否使用纯化器有很大关系. 相似文献
76.
77.
78.
本文主要采用超声喷镀法在玻璃衬底上制备了N-Al共掺的p型ZnO薄膜.研究了前驱溶液的不同配比对薄膜电学、结构特性的影响.X射线衍射的结果显示:共掺与本征ZnO具有很相似的结晶特性.霍耳测试结果表明:随着Al原子掺入量的逐渐增加,制备ZnO的类型逐渐由n型转换成p型,进一步提高后又转换成n型,文中对其中的原因进行了讨论.在普通玻璃衬底上制备出了空穴浓度达到4.6×1018cm-3,同时迁移率和电阻率分别为0.4cm2·V-1·s -1、3.3Ω·cm的p型ZnO薄膜. 相似文献
79.
80.