磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究

用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰 ;室温 (30 0K)下 ,PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜的受激发射特性。     

Optical properties of ZnO thin films on SiO_2 substrates deposited by radio frequency magnetron sputtering

The optical properties of both the annealed and as-deposited ZnO thin films by radio frequency (RF) magnetron sputtering on SiO2 substrates were studied. In the annealed films, two pronounced well defined exciton absorption peaks for the A and B excitons were obtained in the absorption spectra, a strong free exciton emission without deep-level emissions was observed in the photoluminescence (PL) spectra at room temperature. It was found that annealing the films in oxygen dramatically improved the optical properties and the quality of the films.     

溶剂效应对聚喹啉铝发光特性的影响

研究了非共轭聚喹啉铝（Palq)在氯仿和乙醇不同极性的溶剂下所获得的薄膜的吸收和发光光谱。由于溶剂性的不同，聚喹啉铝链在氯仿和乙醇溶液中表现出不同的聚集状态。当各种溶液分别旋涂成膜时，溶液中的聚喹啉铝的聚集态仍部分地保存下来，导致不同聚喹啉铝薄膜的电子结构状态的差别。结果，聚喹啉铝的薄膜表现出不同的发光特性。实验表明，在制作聚合物器件中，溶剂的选择对共轭聚合物的发光特性有着重要的影响。     

ZnSe－ZnS量子阱的光学非线性

半导体量子阱及超晶格材料具有室温激子效应以及强的光学非线性从而得到人们广泛的重视。利用半导体量子阱和超晶格可以制备出高速度、低闭值、小尺寸及室温工作的半导体激光器、光双稳器件等一系列光电子器件.     

激光在PERC晶硅电池中背面点接触电极制备中的应用

在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种方法进行详细的比较与分析。对激光烧蚀和激光烧结两种不同的局部接触电极制备方式进行了对比,发现激光烧蚀是更为适宜的工艺方式。相较于激光烧结,以激光烧蚀方式制备的电池的串联面接触电阻从10.7Ω.cm2降到1.24Ω.cm2,效率从4.2%提高到10.7%。     

一种新型的稀土有机电致发光材料：Tb(asprin)3phen

文报道了乙酰水杨酸为第一配体 ,邻菲罗啉为第二配体的铽配合物这种新型电致发光材料 ,并通过引入导电高分子材料PVK来改善配合物的成膜性和导电性 ,使其可应用于电致发光器件的发光层。我们制备了单层电致发光器件ITO/PVK :Tb(asprin) 3phen/Al,并对其电致发光性能进行了研究。结果表明该配合物具有很好的光致发光性能和电致发光性能。通过测量材料的激发谱和发射谱 ,我们初步探讨了器件的电致发光机理 ,认为是PVK及Tb(asprin) 3phen激发态的载流子被Tb3 +俘获并与符号相反的载流子在Tb3 +中心上复合 ,发出Tb3+的特征发光     

The effects of substrate temperature on ZnO-based resistive random access memory devices

Ag/ZnO/Zn/Pt structure resistive switching devices are prepared by radio frequency magnetron sputtering.The ZnO thin films are grown at room temperature and 400 C substrate temperature,respectively.By comparing the data,we find that the latter device displayed better stability in the repetitive switching cycle test,and the resistance ratio between a high resistance state and a low resistance state is correspondingly increased.After 104-s storage time measurement,this device exhibits a good retention property.Moreover,the operation voltages are very low:-0.3 V/-0.7 V(OFF state) and 0.3 V(ON state).A high-voltage forming process in the initial state is not required,and a multistep reset process is demonstrated.     

一种新型的稀土Tb配合物的光致和电致发光性能的研究

用一种新型的含酚羟基的Schiff碱三足配体H₃L3稀土Tb配合物作发光层制备了三层结构电致发光器件,器件在正向直流偏压下发出明亮的绿光。器件的电致发光(EL)光谱和Tb配合物薄膜的光致发光(PL)光谱与典型的Tb配合物的发光光谱相同。研究了器件发光及电学特性,讨论了该种新型的稀土Tc配合物的发光机理。     

CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实. 关键词： CdSe/CdMnSe 量子阱 光学性质     

ZnCdSe／ZnSe多量子阱的生长和激光光学性质的研究

用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构,利用X射线衍射（XRD）、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性,由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理。