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针对现有陶瓷制品敲击声波信号特征提取方法中提取的特征代表性降低的问题,该文提出结合最大重叠离散小波包变换(MODWPT)和时频分帧能量熵的特征提取方法。首先采用MODWPT将信号分解为4层,再对每个节点的子信号分帧后计算各个节点的时频分帧能量熵,然后根据能量分布特征选择了前6个节点的时频分帧能量熵特征,最后构建随机森林分类器完成识别。将该方法和MODWPT时频分段能量熵、MODWPT归一化能量特征两种方法进行比较。实验结果表明,相比MODWPT时频分段能量熵、MODWPT归一化能量两种特征提取方法,MODWPT时频分帧能量熵能提升特征的代表性,具有更优的陶瓷制品敲击声波信号特征识别性能,其识别的F1值达到了98.46%,相比上述两种方法分别提升F1值3.22%、1.86%。 相似文献
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间隔靶对射流侵彻影响的数值模拟和实验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
对某聚能装药射流侵彻靶板的过程进行了数值模拟 ,得出其碰撞点附近应力分布与传统理论相符 ,侵彻深度与实验结果及工程计算结果基本相符 ;分别对该聚能装药侵彻连续靶和间隔靶的过程进行了数值模拟 ,数值模拟结果显示间隔靶的侵彻深度明显低于连续靶的侵彻深度 ,这说明侵彻开坑阶段的能耗侵深比远大于准定常阶段。为了验证间隔靶对射流侵彻的影响 ,用另一聚能装药分别对连续靶和间隔靶进行了侵彻实验 ,并排除了炸高的影响。实验结果也表明 ,间隔靶对射流侵彻的确存在着不利影响。还结合数值模拟及实验结果对传统的侵彻公式进行了修正。 相似文献
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Fabrication of high growth rate solar-cell-quality μc-Si:H thin films by VHF-PECVD 总被引:4,自引:0,他引:4 下载免费PDF全文
Several series of Si:H films were fabricated by the very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition (VHF-PECVD) at different substrate temperatures (T_s) and silane concentration (SC=[SiH_4]/[SiH_4+H_2]%). The results of Raman spectroscopy showed structural evolution of the Si:H films with the variation of T_s and SC. The results of x-ray diffraction (XRD) measurements indicated that T_s also influences the crystal orientation of the Si:H films. The modulation effect of T_s on crystalline volume fraction (X_c) is more evident for the high SC, which shows different trend compared to low SC. In addition, the growth rate of the films also showed a regular change with the variation of SC and T_s. Different samples in the series showed a similar increase in dark conductivity and a decrease in photosensitivity with increasing T_s and decreasing SC. Device-quality microcrystalline silicon materials were deposited at a high growth rate, characterized by relatively low dark conductivity and relatively high photosensitivity in a certain crystalline range. The microcrystalline silicon solar cell with a conversion efficiency of 4.55% has been prepared by VHF-PECVD. 相似文献
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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池.电池的J-V测试结果表明:在实验的硅烷浓度和功率范围内,随硅烷浓度的降低和功率的加大,对应电池的开路电压逐渐变小;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密 度有很大的影响,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著.对于微晶硅电池,N层最好 是非晶硅,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应,另一方面也降低了电池的漏电概率,提高了电池的填充因子.
关键词:
微晶硅太阳电池
甚高频等离子体增强化学气相沉积 相似文献
8.
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池.
关键词:
射频等离子体增强化学气相沉积
硅薄膜
Staebler-Wronski(SW)效应
稳定性 相似文献
9.
采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变。电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大。不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同。另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移。 相似文献
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