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采用脉冲激光气相沉积(PLD)方法,在Si(100)晶面上制备了Co:BaTiO3纳米复合薄膜.采用X射线衍射(XRD)结合透射电镜(TEM)方法研究了两种厚度Co:BaTiO3纳米复合薄膜的晶体结构,当薄膜厚度约为30 nm时,薄膜为单一择优取向;当薄膜厚度约为100nm时,薄膜呈多晶结构.原子力显微镜(AFM)分析表明,当膜厚为30nm时,薄膜呈现明显的方形晶粒.采用紫外光电子能谱(UPS)研究了Co的价态和Co:BaTiO3纳米复合薄
关键词:
3')" href="#">BaTiO3
纳米复合薄膜
紫外光电子能谱 相似文献
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采用脉冲激光气相沉积(PLD)方法,在Si(100)晶面上制备了Co:BaTiO3纳米复合薄膜.采用X射线衍射(XRD)结合透射电镜(TEM)方法研究了两种厚度Co:BaTiO3纳米复合薄膜的晶体结构,当薄膜厚度约为30 nm时,薄膜为单一择优取向;当薄膜厚度约为100 nm时,薄膜呈多晶结构.原子力显微镜(AFM)分析表明,当膜厚为30 nm时,薄膜呈现明显的方形晶粒.采用紫外光电子能谱(UPS)研究了Co的价态和Co:BaTiO3纳米复合薄膜的价带谱.研究表明:当Co浓度很高时其态密度(DOS)与晶体BaTiO3明显不同.此外,嵌埋纳米Co颗粒的BaTiO3薄膜的能带结构可用纳米颗粒的浓度来调制,从而也可对其光学和电学性质进行改性. 相似文献
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用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了非晶Si/SiO2超晶格.利用透射电子显微镜 (TEM) 和X射线衍射技术对其结构进行了分析,结果表明,超晶格中Si层大部分区域为非晶相,局域微区呈现有序结构,其厚度由1.8-3.2nm变化,SiO2层厚度为4.0nm.并采用多种光谱测量技术,如吸收光谱、光致发光光谱和Raman光谱技术,对该结构的光学性质进行了系统研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,光学吸收边以及光致荧光峰发生明显蓝移,Raman峰发生展宽,即观测到明显的量子尺寸效应. 相似文献
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本文在使用一个四单元微热板式集成气体传感器阵列测试煤矿中的两种主要易燃易爆气体一氧化碳和甲烷的基础上, 将气体传感器阵列与盲信号分离技术相结合, 讨论了混合气体分析的盲可辨识性, 并使用盲信号分离中的一种主要方法独立分量分析法(ICA)进行了分析和验证. 相似文献
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通过X射线粉末衍射数据,用Rietveld精修方法分析了Te部分替换LaMnO3中La后,其晶格参数及其结构对称性所发生的变化.结果表明:Te掺杂LaMnO3系列样品具有R3C的晶格结构对称性,其MnO6八面体晶格还产生了伸张畸变,畸变程度随Te掺杂量的增加而增大.此外根据Mn—O—Mn键角、eg电子能带的带宽、A位离子平均半径及A位离子尺寸失配度等的变化特点,推测Te掺杂LaMnO3样品除居里温度等相变物理量将随x增加而非线性变化外,还可能产生自旋玻璃态、相分离等宏观现象.
关键词:
庞磁电阻效应
La-Te-Mn-O
X射线衍射
Rietveld精修 相似文献
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一种新的钙钛矿结构的庞磁电阻氧化物La0.9Sb0.1MnO3已用固态反应方法制 成,通过超导量子干涉器件(SQUID)装置测量研究了它的电输运性质和磁性质.x射线光电子 能谱分析证明,该氧化物中Sb的价态是+5价,因此该氧化物是一种新的电子掺杂型庞磁电阻 材料.
关键词:
钙钛矿结构
0.9Sb0.1MnO3')" href="#">La0.9Sb0.1MnO3
电子掺杂
庞磁电阻 相似文献
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硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状 总被引:4,自引:0,他引:4
随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求,硅基集成电路的集成度越来越高,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的。当栅极Si02介电层的厚度减小到原子尺度大小时,由于量子效应的影响,Si02将失去介电特性,因此必须寻找一种新的高介电常数(high—K)的氧化物材料来代替它。如今世界上许多国家都开展了替代Si02的介电氧化物材料的研究工作。文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响,栅极Si02介电层的高尺氧化物材料的要求和租选,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述。 相似文献
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