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通过X射线粉末衍射数据,用Rietveld精修方法分析了Te部分替换LaMnO3中La后,其晶格参数及其结构对称性所发生的变化.结果表明:Te掺杂LaMnO3系列样品具有R(3)C的晶格结构对称性,其MnO6八面体晶格还产生了伸张畸变,畸变程度随Te掺杂量的增加而增大.此外根据Mn-O-Mn键角、eg电子能带的带宽、A位离子平均半径及A位离子尺寸失配度等的变化特点,推测Te掺杂LaMnO3样品除居里温度等相变物理量将随x增加而非线性变化外,还可能产生自旋玻璃态、相分离等宏观现象. 相似文献
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一种新的钙钛矿结构的庞磁电阻氧化物La0.9Sb0.1MnO3已用固态反应方法制 成,通过超导量子干涉器件(SQUID)装置测量研究了它的电输运性质和磁性质.x射线光电子 能谱分析证明,该氧化物中Sb的价态是+5价,因此该氧化物是一种新的电子掺杂型庞磁电阻 材料.
关键词:
钙钛矿结构
0.9Sb0.1MnO3')" href="#">La0.9Sb0.1MnO3
电子掺杂
庞磁电阻 相似文献
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通过X射线粉末衍射数据,用Rietveld精修方法分析了Te部分替换LaMnO3中La后,其晶格参数及其结构对称性所发生的变化.结果表明:Te掺杂LaMnO3系列样品具有R3C的晶格结构对称性,其MnO6八面体晶格还产生了伸张畸变,畸变程度随Te掺杂量的增加而增大.此外根据Mn—O—Mn键角、eg电子能带的带宽、A位离子平均半径及A位离子尺寸失配度等的变化特点,推测Te掺杂LaMnO3样品除居里温度等相变物理量将随x增加而非线性变化外,还可能产生自旋玻璃态、相分离等宏观现象.
关键词:
庞磁电阻效应
La-Te-Mn-O
X射线衍射
Rietveld精修 相似文献
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硅基集成电路的发展和新一代栅极氧化物材料的研究现状 总被引:4,自引:0,他引:4
随着科学技术的进步和集成电路市场日益扩大的需求,硅基集成电路的集成度越来越高,而集成度的提高是以其核心器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸逐渐减小为基础的。当栅极Si02介电层的厚度减小到原子尺度大小时,由于量子效应的影响,Si02将失去介电特性,因此必须寻找一种新的高介电常数(high—K)的氧化物材料来代替它。如今世界上许多国家都开展了替代Si02的介电氧化物材料的研究工作。文章介绍了栅极介电层厚度减小带来的影响,栅极Si02介电层的高尺氧化物材料的要求和租选,并对近期高介电常数氧化物材料的研究状况作了简要的介绍和评述。 相似文献
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