X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构.实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的Ge_xSi_1－x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层.     

X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明,由于Ge原予的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为x≈0.13;650℃退大会使Ge原予向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。     

THE DISTRIBUTION OF Sb ATOMS IN δ-DOPED SILICON CRYSTAL

The distribution of Sb atoms in δ-doped silicon crystals grown by molecular beam epitaxy at different temperatures was measured using the technique of synchrotron radiation X-ray low angle reflection. The esults indicate that the doped Sb atoms are distributed exponentially in the epitaxial layers, and the 1/e decay lengths are 0.45, 0.95 and 3.5 nm for the samples grown at temperatures of 250, 300 and 350℃, respectively. For samples grown at 400℃, the 1/e decay length of the Sb atomic distribution increases drastically because of the segregation of Sb atoms during the growth process.     

X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响

利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的X射线衍射技术，研究了活化剂Sb对于Ge在Si上外延过程的影响．当没有活化剂、Ge层厚度为6nm时，外延Ge层形成岛状，应力完全释放．当有Sb时、Ge在Si上的生长是二维的，并且应力释放是缓慢的，即使Ge外延层厚为6nm，仍有42%的应变没有弛豫． 关键词：     

双势垒超晶格结构的同步辐射及X射双晶衍射研究

利用高精度的Ｘ射线双晶衍射和同步辐射散射对可用于半导体红外探测器的双势垒超晶格材料进行了研究，并运用Ｘ射衍射动力学理论进行模拟计算，得到了与实验结果符合得很好的理论曲线。同时发现包络函数节点处的卫星峰对结构参数的变化极为灵敏。     

北京同步辐射装置X射线漫散射实验站及准周期非晶多层膜的X射线非镜面散射研究

讨论了北京同步辐射装置的4W1C光束线和X射线漫散射实验站的技术特点.利用在漫散射实验站上获得的能量分辨率为4.4×10^－4、光斑大小为0.5mm(水平)×0.3mm(垂直)的聚焦单色X射线光束,研究了准周期非晶多层膜的X射线漫散射──非镜面散射.实验结果表明,准周期多层膜的漫散射强度分布在倒空间中与表面平行的条纹上并形成散射强度的调制.对散射强度调制进行的模拟计算得到相当满意的结果.     

Ba TiO3/SrTiO3超晶格Bragg衍射及其理论模拟

用X射线全外反射掠入射衍射和通常Bragg衍射,研究了Ba TiO³/SrTiO³(BTO/STO)超晶格的界面应变.X射线衍射动力学理论用于模拟Bragg衍射.发现与一般半导体外延膜或超晶格不同,BTO/STO超晶格的垂直和水平晶格常数的关系不完全遵守四方畸变的规律.这种偏离可能与钙钛矿型氧化物材料的结构复杂性有关.     

Co/Cu多层膜反铁磁第一、第二峰耦合结构的磁电阻与结构研究

确定了Co/Cu多层膜的第一和第二反铁磁耦合对应的非磁层(Cu)的厚度,对相同厚度铁磁层(Co)制备了第一与第二反铁磁耦合的Co/Cu多层膜,利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术研究了耦合多层膜的界面结构,探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因.     

掠入射X射线衍射和散射实验技术及其应用

对掠入射Ｘ射线衍射和散射实验技术的原理，设备和近年的发展和应用进行了介绍。